存储器装置的制作方法

本公开关于一种存储器装置，尤其涉及一种可加快软编程动作速度的存储器装置。

背景技术：

1、在三维存储器装置中，第一级的译码电路中，常因晶体管的基底共用了大面积的阱区，在这些阱区以及晶圆的基底间，产生许多的寄生电容。这些寄生电路，在当存储器装置执行软编程动作以及软编程验证动作时，因个别动作需要不同电压的需求，要交替地进行晶体管的基底上的电压的切换动作。基于这个电压切换动作，存储器装置的软编程动作以及软编程验证动作，因需要额外的晶体管的基底上的电压稳定时间。因此，存储器装置的软编程动作以及软编程验证动作的时间会被拉长，降低存储器装置的工作效率。并且，重复的使上述的寄生电路进行充放电的动作，也造成无谓的功率消耗，降低存储器装置的工作效益。

技术实现思路

1、本公开提供一种存储器装置，例如为三维与式存储器装置，可提升执行软编程动作的速度。

2、本公开的存储器装置，例如为三维与式存储器装置，包括存储单元区块、字线驱动器以及多个位线开关。字线驱动器具有多个互补式晶体管对，分别产生多个字线信号至存储单元区块的多条字线上。互补式晶体管对的第一晶体管以及第二晶体管的基底分别接收第一电压以及第二电压。位线开关分别耦接至存储单元区块的多条位线，各位线开关为第三晶体管，第三晶体管的基底接收第三电压。其中，第一电压、第二电压与第三电压在存储单元区块执行软编程动作以及软编程验证动作时，均维持为固定的静态电压。

3、基于上述，本公开的存储器装置使字线驱动器以及位线开关中晶体管的基底所接收的电压，在软编程动作以及软编程验证动作时均维持为固定的静态电压。如此一来，在软编程动作以及软编程验证动作中，可以免除字线驱动器以及位线开关中的晶体管，因基底电压需要重复的切换而需要耗去电压稳定时间，可有效增加软编程动作以及软编程验证动作的执行速度。

4、附图说明

5、图1绘示了本公开实施例的存储器装置的示意图；

6、图2a以及图2b分别绘示了本公开实施例的存储器装置的软编程动作以及软编程验证动作的一实施方式的示意图；

7、图3a以及图3b分别绘示了本公开实施例的存储器装置的软编程动作以及软编程验证动作的另一实施方式的示意图；

8、图4绘示了本公开实施例中，存储器装置中的字线驱动器的剖面结构示意图；

9、图5绘示了本公开实施例中，存储器装置中的位线开关或源极线开关的剖面结构示意图；

10、图6a至图6e绘示了本公开实施例的存储器装置的软编程动作的电路动作的示意图；

11、图7绘示了本公开一实施例中，存储器装置中的多个选中存储单元执行软编程动作的示意图；

12、图8a至图8c绘示了本公开实施例的存储器装置在擦除流程中，执行软编程动作的存储单元的阈值电压分布变化的示意图；

13、图9绘示了本公开一实施例的存储器装置的存储单元的架构示意图。

技术特征：

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中各该互补式晶体管对中，该第一晶体管的第一端接收一编程电压，该第一晶体管的第二端耦接至该第二晶体管的第一端以及对应的各该字线，该第二晶体管的第二端接收一参考接地电压，该第一晶体管以及该第二晶体管受控于一控制信号。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中对应一选中字线的该第一晶体管以及该第二晶体管在该软编程动作中，根据该控制信号以交错的被导通及断开，以提供为脉波信号的字线信号至该选中字线。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中还包括一地址译码器，耦接至该字线驱动器，用于产生该控制信号。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该第一晶体管的基底形成在一第一阱区中，该第二晶体管的基底形成在一第二阱区中，该第一阱区与该第二阱区的导电极性互补。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中该第一阱区形成在一基底中，该第二阱区形成在该第一阱区中。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中该第三晶体管的基底形成在一第三阱区中，其中该第三阱区与该第二阱区的导电极性相同，该第三阱区形成在一基底中。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中该页缓冲器用于储存一数码，放大该数码以产生一偏压电压并传输该偏压电压至该共用位线，该存储器装置根据该偏压电压以决定使否针对一选中存储单元执行该软编程动作，其中该选中存储单元对应的源极线开关被断开，该选中存储单元对应的各该位线开关被导通。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中在该软编程验证动作中，该选中存储单元对应的该源极线开关以及各该位线开关均被导通，该选中存储单元提供一感测电流至该感测放大器。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中该感测放大器判断该软编程验证动作为通过时，该感测放大器通过该输入输出电路以改写该页缓冲器中的该数码。

13.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该页缓冲器包括：

14.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该输入输出电路耦接至一焊垫，该输入输出电路包括：

15.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该软编程动作，该字线驱动器逐步提升一选中存储单元对应的各该字线信号的电压。

16.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该存储单元区块包括以三维方式堆叠的多个与式快闪存储单元，或包括以三维方式堆叠的多个或非式快闪存储单元。

技术总结本公开提供了一种存储器装置，例如为三维与式存储器装置，包括存储单元区块、字线驱动器以及多个位线开关。字线驱动器具有多个互补式晶体管对，分别产生多个字线信号至存储单元区块的多条字线上。互补式晶体管对的第一晶体管以及第二晶体管的基底分别接收第一电压以及第二电压。各位线开关为第三晶体管。第三晶体管的基底接收第三电压。其中，第一电压、第二电压与第三电压在存储单元区块执行软编程动作以及软编程验证动作时，均维持为固定的静态电压。技术研发人员：叶腾豪,吕函庭,徐子轩,陈振桓,陈耕晖受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19