用于增强元数据支持的设备及方法与流程

本公开大体上涉及半导体装置，且更具体来说，涉及半导体存储器装置。

背景技术：

1、特定来说，本公开涉及易失性存储器，例如动态随机存取存储器(dram)。信息可作为物理信号(例如电容元件上的电荷)存储在存储器的个别存储器单元上。在存取操作期间，可接收存取命令以及指定应存取哪些存储器单元的地址信息。

2、人们对使存储器能够将与若干条数据相关联的信息存储在阵列中越来越感兴趣。例如，错误校正信息及/或元数据可与其相关联数据一起存储在阵列中。可能需要确保此信息可与指定数据一起存取，而不会过度地影响装置的性能。

技术实现思路

1、一方面，本公开提供一种设备，其包括：第一数据列平面，其包括第一位线；第二数据列平面，其包括第二位线及第三位线；额外列平面，其包括第四位线；列解码器，其经配置以激活所述第一位线、所述第二位线、所述第三位线及所述第四位线作为存取操作的部分；及错误校正码(ecc)电路，其经配置以沿所述第一位线存取数据位、沿所述第二或第四位线存取元数据位及沿所述第三位线存取奇偶校验位作为所述存取操作的部分。

2、另一方面，本公开提供一种设备，其包括：存储体，其包括：第一多个列平面；第二多个列平面；及额外列平面；及列解码器，其经配置以基于作为存取操作的部分接收的列地址来选择所述第一或所述第二多个列平面，其中，在增强元数据模式中，作为所述存取操作数据位的部分，在所述第一或所述第二多个列平面中的所选择一者中存取数据位，在所述第一或所述第二多个列平面中的非所选择一者中存取奇偶校验位，且在所述第一或所述第二多个列平面中的所述非所选择一者及所述额外列平面中的至少一者中存取元数据位。

3、另一方面，本公开提供一种方法，其包括：基于作为存取操作的部分接收的列地址来选择多个列平面的第一部分；从所述多个列平面的所述第一部分中的列存取数据位作为所述存取操作的部分；从不在所述第一部分中的第一列平面中的列存取奇偶校验位作为所述存取操作的部分；以及作为存取操作的一部分，从不在所述第一部分中的第二列平面及额外列平面中的至少一者存取元数据位。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中，作为第二存取操作的部分，所述列解码器经配置以激活所述第二数据列平面的第五位线、所述第一列平面的第六及第七位线以及所述额外列平面的第八位线，其中所述ecc电路经配置以沿所述第五位线存取数据，沿所述第六位线存取奇偶校验位，以及沿所述第七或第八位线存取元数据作为所述第二存取操作的部分。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述列解码器经配置以在所述存取操作期间基于具有指定所述数据位存储在所述第一数据列平面的第一值的第一列地址的列选择位来激活所述第一位线，以及以在所述第二存取操作期间基于具有指定所述第二数据位存储在所述第一数据列平面的第二值的第二列地址的所述列选择位来激活所述第五位线。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述列解码器经配置以基于所接收列地址来选择性地激活所述第二位线或所述第四位线中的一者。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一数据列平面具有与所述额外列平面相同数目的存储器单元。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述列解码器经配置以在处于增强元数据模式中时激活所述第二及第四位线，其中，在非增强元数据模式中，所述列解码器经配置以仅激活所述第四位线。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，在所述增强元数据模式中，与所述非增强元数据模式相比，存取两倍多的元数据位。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括输入/输出电路，所述输入/输出电路经配置以在所述存取操作是读取操作的情况下从所述ecc电路接收所述数据及所述元数据，且经配置以在所述存取操作是写入操作的情况下向所述ecc电路提供所述数据及所述元数据。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述ecc电路经配置以当所述存取操作是读取操作时，基于所述数据、元数据及所述奇偶校验来定位且校正所述数据及所述元数据中的错误。

10.一种设备，其包括：

11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括错误校正码ecc电路，所述ecc电路经配置以在所述存取操作是读取操作时基于所述奇偶校验位来定位且校正所述数据位及所述元数据位中的错误。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述ecc电路经配置以执行单错误校正双错误检测secded。

13.根据权利要求10所述的设备，其中，在所述存取操作期间，所述列解码器经配置以在处于第一模式中时致使在所述第一或所述第二多个列平面中的所述非所选择一者及所述额外列平面中的至少一者中存取所述元数据位，且以在处于第二模式中时致使在仅所述额外列平面中存取所述元数据位。

14.根据权利要求13所述的设备，其进一步包括经配置以存储指示所述第一模式或所述第二模式的设置的模式寄存器。

15.根据权利要求13所述的设备，其中在处于第一模式中时在所述存取操作期间存取的元数据位的计数大于在处于所述第二模式中时在所述存取操作期间存取的元数据位的计数。

16.根据权利要求10所述的设备，其中所述列地址包含列平面选择位，且其中基于所述列平面选择位来选择所述第一多个列平面或所述第二多个列平面。

17.根据权利要求10所述的设备，其中所述设备是在x4模式中操作的存储器装置。

18.一种方法，其包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括用错误校正码ecc电路基于所述奇偶校验位来校正所述数据位及所述元数据位中的错误。

20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：

21.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：

22.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括：

技术总结用于增强元数据支持的设备、系统及方法。存储器阵列包含数个列平面及额外列平面。在x4单遍次操作模式中设置存储器装置。在此模式中，所述存储器能够将数据码字存储在所述列平面中的所选择者中，且元数据能够存储在所述列平面中的非所选择者中及存储在所述额外列平面中。错误校正码电路ECC能够将与所述数据及元数据相关联的奇偶校验位存储在所述列平面中的所述非所选择者中。以此方式，能够存取所述数据、元数据及奇偶校验作为所述存储器阵列的单个存取的部分。技术研发人员：S·E·史密斯,S·艾亚普利迪受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19