存储器装置和操作该存储器装置的方法与流程

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置是存储数据的装置，并且可以分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、此外，在存储器装置的编程操作期间，当源极选择线和漏极选择线在验证阶段放电时，可能发生电荷向下耦合到负值的负升压现象。此时，位于源极选择线一侧的被选字线可以具有相对低程度的负升压，但是位于漏极选择线一侧的被选字线可以具有相对高程度的负升压。也就是说，位于源极选择线一侧的被选字线和位于漏极选择线一侧的被选字线之间可能出现电压电平差。根据电压电平差，可能发生由于热载流子注入(hci)而引起的干扰。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施方式，一种存储器装置可以包括：多个存储器单元，其连接到布置在多条源极选择线和多条漏极选择线之间的多条字线；外围电路，其被配置为执行将数据编程在多个存储器单元当中的被选存储器单元中的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路在向连接到被选存储器单元的被选字线施加编程电压之后在向多条字线施加通过电压的同时向多条源极选择线施加用于使连接到多条源极选择线的源极选择晶体管导通的电压。

2、根据本公开的一个实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括：向布置在多条源极选择线和多条漏极选择线之间的多条字线当中的连接到被选存储器单元的被选字线施加编程电压；向多条字线施加通过电压；以及在向多条字线施加通过电压的同时将多条源极选择线初始化。

3、根据本公开的一个实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括：向布置在多条源极选择线和多条漏极选择线之间的多条字线当中的连接到被选存储器单元的被选字线施加编程电压；向多条字线施加通过电压；测量存储器装置的温度；根据温度是否小于预设值，生成在向多条字线施加通过电压的同时要施加到多条源极选择线的电压；以及将所生成的电压施加至多条源极选择线。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在向所述多条字线施加所述通过电压的同时向所述多条漏极选择线施加用于使连接到所述多条漏极选择线的漏极选择晶体管截止的电压。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在向所述被选字线施加所述编程电压之前，对多个存储器单元串的沟道区进行预充电，所述多个存储器单元串中的每一个包括所述多条源极选择线和所述多条漏极选择线。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在向所述多条字线施加所述通过电压之后，使所述多条源极选择线和所述多条漏极选择线放电。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在放电之后验证所述被选存储器单元的编程状态。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，当所述温度小于预设值时，所述编程操作控制器控制所述外围电路在向所述多条字线施加所述通过电压的同时向所述多条源极选择线施加用于使所述源极选择晶体管导通的电压。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，当所述温度等于或大于预设值时，所述编程操作控制器控制所述外围电路在向所述多条字线施加所述通过电压的同时向所述多条源极选择线施加用于使连接到所述多条源极选择线的所述源极选择晶体管截止的电压。

9.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述多条源极选择线初始化的步骤包括使连接到所述多条源极选择线的源极选择晶体管导通。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述多条源极选择线初始化的步骤还包括使连接到所述多条漏极选择线的漏极选择晶体管截止。

12.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

13.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，生成所述电压的步骤包括：响应于所述温度小于所述预设值而生成用于使连接到所述多条源极选择线的源极选择晶体管导通的电压。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，生成所述电压的步骤包括：响应于所述温度等于或大于所述预设值而生成用于使连接到所述多条源极选择线的源极选择晶体管截止的电压。

技术总结本申请涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法。本技术涉及电子装置。一种存储器装置包括：多个存储器单元，其连接到布置在多条源极选择线和多条漏极选择线之间的多条字线；外围电路，其被配置为执行将数据编程在多个存储器单元当中的被选存储器单元中的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路在向连接到被选存储器单元的被选字线施加编程电压之后在向多条字线施加通过电压的同时向多条源极选择线施加用于使连接到多条源极选择线的源极选择晶体管导通的电压。技术研发人员：辛在贤,孙昌汉,梁仁坤,黄盛炫受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27