一种改进3DNAND系统中的编程操作的方法与流程

本说明书总体上涉及半导体，并且更具体地，涉及用于改进3d nand存储器中的编程操作的方法。

背景技术：

1、存储装置(例如闪存芯片)可以通过向存储单元施加电压(例如编程电压)来对存储装置的存储单元进行编程。可以施加增量步进脉冲编程(ispp)方案，其中编程电压可以通过添加步进脉冲而递增地增加。然后，存储装置验证存储单元是否满足电压范围或所需电压。例如，存储装置可以向存储单元施加一个或多个参考电压以确定存储单元的阈值电压，并将阈值电压与电压范围或所需电压进行比较。在一些方面，存储装置的同一存储页中的存储单元共享同一字线并且可以被同时编程。

技术实现思路

1、本公开的一些方面涉及用于编程操作的存储装置和方法。例如，提供了用于提高编程操作的效率的存储装置和方法。

2、本公开的一些方面涉及一种用于对存储装置进行编程的方法。该方法包括对存储单元执行编程操作。存储单元连接到位线并由字线控制。执行编程操作包括将第一编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。执行编程操作还可以包括将第一电压施加到位线。执行编程操作还可以包括当存储单元处于第二状态时执行验证操作。执行编程操作还可以包括基于验证操作确定存储单元的分类。执行编程操作还可以包括基于所确定的分类将第二电压施加到位线。执行编程操作还可以包括将第二编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。执行编程操作还可以包括将第三电压施加到位线。执行编程操作还可以包括将第三编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。执行编程操作还可以包括将第四电压施加到位线。

3、根据一些方面，施加第一电压可以包括施加大于零的电压。

4、根据一些方面，第二状态的目标电压可以低于第一状态的目标电压。

5、根据一些方面，执行验证操作可以包括将存储单元的阈值电压与读取参考电压进行比较。读取参考电压可以是第二状态的验证电压。

6、根据一些方面，基于验证操作确定存储单元的分类可以包括当阈值电压大于读取参考电压时确定存储单元的分类为第一分类。替代地，基于验证操作确定存储单元的分类可以包括当阈值电压小于读取参考电压时将存储单元的分类确定为第二分类。

7、根据一些方面，基于存储单元的所确定的第一分类，所施加的第二电压可以被施加为等于第一电压，或者基于所述存储单元的所确定的第二分类，所施加的第二电压可以被施加为零电压。

8、根据一些方面，第三电压可以大于第二电压。

9、本公开的一些方面涉及三维(3d)nand存储装置。3d nand存储装置可以包括nand串，该nand串包括要被禁止编程的单元、字线驱动器、位线驱动器和控制器。控制器可以被配置为控制字线驱动器和位线驱动器向字线施加第一编程电压信号以将存储单元编程到第一状态。控制器还可以被配置为将第一电压施加到位线。控制器还可以被配置为当存储单元处于第二状态时执行验证操作。控制器还可以被配置为基于验证操作确定存储单元的分类。控制器还可以被配置为基于所确定的分类将第二电压施加到位线。控制器还可以被配置为将第二编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。控制器还可以被配置为将第三电压施加到位线。控制器还可以被配置为将第三编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。控制器还可以被配置为将第四电压施加到位线。

10、根据一些方面，施加第一电压可以包括施加大于零的电压。

11、根据一些方面，第二状态的目标电压可以低于第一状态的目标电压。

12、根据一些方面，执行验证操作可以包括将存储单元的阈值电压与读取参考电压进行比较。读取参考电压可以是第二状态的验证电压。

13、根据一些方面，基于验证操作确定存储单元的分类可以包括当阈值电压大于读取参考电压时将存储单元的分类确定为第一分类。替代地，基于验证操作确定存储单元的分类可以包括当阈值电压小于读取参考电压时将存储单元的分类确定为第二分类。

14、根据一些方面，基于存储单元的所确定的第一分类，所施加的第二电压可以被施加为等于第一电压，或者基于所述存储单元的所确定的第二分类，所施加的第二电压可以被施加为零电压。

15、根据一些方面，第三电压可以大于第二电压。

16、本公开的一些方面涉及一种其上存储有指令的非暂态介质，所述指令在由至少一个控制器执行时使所述至少一个处理器执行一种方法，所述方法执行存储装置的编程操作。该方法包括对存储单元执行编程操作。存储单元连接到位线并由字线控制。执行编程操作包括将第一编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。执行编程操作还可以包括将第一电压施加到位线。执行编程操作还可以包括当存储单元处于第二状态时执行验证操作。执行编程操作还可以包括基于验证操作确定存储单元的分类。执行编程操作还可以包括基于所确定的分类将第二电压施加到位线。执行编程操作还可以包括将第二编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。执行编程操作还可以包括将第三电压施加到位线。执行编程操作还可以包括将第三编程电压信号施加到字线以将存储单元编程到第一状态。执行编程操作还可以包括将第四电压施加到位线。

17、根据一些方面，施加第一电压可以包括施加大于零的电压。

18、根据一些方面，第二状态的目标电压可以低于第一状态的目标电压。

19、根据一些方面，执行验证操作可以包括将存储单元的阈值电压与读取参考电压进行比较。读取参考电压可以是第二状态的验证电压。

20、根据一些方面，基于验证操作确定存储单元的分类可以包括当阈值电压大于读取参考电压时确定存储单元的分类为第一分类。替代地，基于验证操作确定存储单元的分类可以包括当阈值电压小于读取参考电压时将存储单元的分类确定为第二分类。

21、根据一些方面，基于存储单元的所确定的第一分类，所施加的第二电压可以被施加为等于第一电压，或者基于所述存储单元的所确定的第二分类，所施加的第二电压可以被施加为零电压。

22、根据一些方面，第三电压可以大于第二电压。

23、该技术实现要素：部分仅用于说明一些方面的目的，以提供对本文所述主题的理解。因此，上述特征仅仅是示例，并且不应被解释为缩窄本公开的主题的范围或精神。本公开的其他特征、方面和优点将从以下详细描述、附图和权利要求中变得显而易见。

技术特征：

1.一种用于对存储装置进行编程的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述第一电压包括施加大于零的电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二状态的目标电压低于所述第一状态的所述目标电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述验证操作包括将所述存储单元的阈值电压与读取参考电压进行比较，其中，所述读取参考电压是所述第二状态的验证电压。

5.根据权利要求4所述的方法，基于所述验证操作确定所述存储单元的分类包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中，基于所述存储单元的所确定的第一分类，所施加的所述第二电压被施加为等于所述第一电压，或者基于所述存储单元的所确定的第二分类，所施加的所述第二电压被施加为等于零电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三电压大于所述第二电压。

8.一种三维(3d)nand存储装置，包括：

9.根据权利要求8所述的3d nand存储装置，其中，施加所述第一电压包括施加大于零的电压。

10.根据权利要求8所述的3d nand存储装置，其中，所述第二状态的目标电压低于所述第一状态的目标电压。

11.根据权利要求8所述的3d nand存储装置，其中，执行所述验证操作包括将所述存储单元的阈值电压与读取参考电压进行比较，其中，所述读取参考电压是所述第二状态的验证电压。

12.根据权利要求11所述的3d nand存储装置，基于所述验证操作确定所述存储单元的分类包括：

13.根据权利要求12所述的3d nand存储装置，其中，基于所述存储单元的所确定的第一分类，所施加的所述第二电压被施加为等于所述第一电压，或者基于所述存储单元的所确定的第二分类，所施加的所述第二电压被施加为等于零电压。

14.根据权利要求8所述的3d nand存储装置，其中，所述第三电压大于所述第二电压。

15.一种其上存储有指令的非暂态介质，所述指令在由至少一个控制器执行时使所述至少一个处理器执行一种方法，所述方法执行存储装置的编程操作，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的非暂态介质，其中，施加所述第一电压包括施加大于零的电压。

17.根据权利要求15所述的非暂态介质，其中，所述第二状态的目标电压低于所述第一状态的所述目标电压。

18.根据权利要求15所述的非暂态介质，其中，执行所述验证操作包括将所述存储单元的阈值电压与读取参考电压进行比较，其中，所述读取参考电压是所述第二状态的验证电压。

19.根据权利要求18所述的非暂态介质，基于所述验证操作确定所述存储单元的分类包括：

20.根据权利要求19所述的非暂态介质，其中，基于所述存储单元的所确定的第一分类，所施加的所述第二电压被施加为等于所述第一电压，或者基于所述存储单元的所确定的第二分类，所施加的所述第二电压被施加为等于零电压。

技术总结本公开提供了一种用于对连接到位线并由字线控制的存储单元执行编程操作的方法。该方法包括：将第一编程电压信号施加到所述字线以将所述存储单元编程到第一状态，将第一电压施加到所述位线，当所述存储单元处于第二状态时，执行验证操作，基于所述验证操作确定所述存储单元的分类，基于所确定的分类将第二电压施加到所述位线，将第二编程电压信号施加到所述字线以将所述存储单元编程到所述第一状态，将第三电压施加到所述位线，将第三编程电压信号施加到所述字线以将所述存储单元编程到所述第一状态，以及将第四电压施加到所述位线。技术研发人员：罗哲,李达,许锋,田瑶瑶,贾建权,赵向南受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27