非易失性存储器装置和存储装置的制作方法

本公开涉及存储器装置，更具体地说，涉及包括具有彼此不同尺寸的子块的非易失性存储器和包括非易失性存储器装置的存储装置。

背景技术：

1、随着堆叠在基底上的字线的数量增加以满足非易失性存储器装置的高容量和小型化的需求，存储器块的尺寸也可增加。随着存储器块的尺寸增加，每个存储器块可被划分为至少两个子块，并且擦除操作可以以子块为单位来执行。在这种情况下，当至少两个子块在尺寸上不同时，可需要大量资源来以子块为单位执行擦除操作，并且用于执行垃圾收集、耗损均衡等的管理和固件的复杂性可增加，并且因此，存储装置的性能可劣化。

技术实现思路

1、一个或多个示例实施例提供能够提高对包括具有不同尺寸的子块的非易失性存储器的操作的效率的非易失性存储器以及能够提高对包括具有不同尺寸的子块的非易失性存储器的操作的效率的存储装置。

2、根据示例实施例的一个方面，一种非易失性存储器装置包括：多个子块，在垂直方向上设置在基底上。所述多个子块包括：第一子块，连接到包括第一数量的字线的第一字线组；以及第二子块，连接到包括第二数量的字线的第二字线组。第一子块包括：至少一个第一存储器单元，存储m位数据；以及多个第二存储器单元，各自存储n位数据。第二子块包括：至少一个第三存储器单元，存储k位数据；以及多个第四存储器单元，各自存储l位数据。m、n、k和l是正整数，n大于m，并且l大于k。第一数量和第二数量不同，并且所述至少一个第一存储器单元和所述至少一个第三存储器单元包括不同数量的存储器单元。

3、根据示例实施例的另一方面，一种存储装置包括：非易失性存储器，包括连接到第一字线组的第一子块和连接到第二字线组的第二子块，其中，第一字线组包括第一数量的字线，第二字线组包括在垂直方向上设置在第一字线组上方的第二数量的字线；以及存储控制器，被配置为管理与第一子块对应的第一映射表和与第二子块对应的第二映射表。第一子块包括至少一个第一存储器单元、至少一个第一中间存储器单元和多个第二存储器单元，其中，所述多个第二存储器单元中的每个存储n位数据，并且存储在所述至少一个第一存储器单元和所述至少一个第一中间存储器单元中的至少一个中的数据的位数小于n。第二子块包括至少一个第三存储器单元和多个第四存储器单元，其中，所述多个第四存储器单元中的每个存储l位数据，并且存储在所述至少一个第三存储器单元中的数据的位数小于l。n和l是大于或等于2的正整数。所述至少一个第一存储器单元包括比所述至少一个第三存储器单元多的存储器单元。

4、根据示例实施例的另一方面，一种非易失性存储器装置包括：第一存储器堆叠件，包括分别连接到在垂直方向上堆叠在基底上的第一字线的第一存储器单元；以及第二存储器堆叠件，包括分别连接到在垂直方向上堆叠的第二字线的第二存储器单元。第一字线设置在基底与第二字线之间，并且第二字线的第二数量小于第一字线的第一数量。第一存储器单元包括至少一个第一存储器单元、至少一个第一中间存储器单元和多个第二存储器单元，所述多个第二存储器单元中的每个存储n位数据。第二存储器单元包括至少一个第三存储器单元、至少一个第二中间存储器单元和多个第四存储器单元，所述多个第四存储器单元中的每个存储l位数据。存储在所述至少一个第一存储器单元和所述至少一个第一中间存储器单元中的至少一个中的数据的位数小于n。存储在所述至少一个第三存储器单元和所述至少一个第二中间存储器单元中的至少一个中的数据的位数小于l。n和l是大于或等于2的正整数。所述至少一个第一存储器单元包括比所述至少一个第三存储器单元更大数量的存储器单元。

技术特征：

1.一种非易失性存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一子块和第二子块是独立可擦除的，

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个第一存储器单元包括比所述至少一个第三存储器单元多的存储器单元。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一子块在基底与第二子块之间，

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，沟道孔延伸穿过所述至少一个第一存储器单元、所述多个第二存储器单元、所述至少一个第三存储器单元和所述多个第四存储器单元，

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：电荷存储层，设置在沟道孔中，所述沟道孔延伸穿过所述至少一个第一存储器单元、所述多个第二存储器单元、所述至少一个第三存储器单元和所述多个第四存储器单元，

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一子块还包括：至少一个第一中间存储器单元，设置在所述至少一个第一存储器单元与所述多个第二存储器单元之间，所述至少一个第一中间存储器单元存储p位数据，并且

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，在与所述至少一个第一中间存储器单元对应的第一高度和与所述多个第二存储器单元对应的第二高度处，沟道孔尺寸、沟道孔形状和电荷存储层厚度中的至少一个彼此不同。

9.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，第一子块包括独立可擦除的第一组和第二组，并且

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第二子块还包括：至少一个第二中间存储器单元，设置在所述至少一个第三存储器单元与所述多个第四存储器单元之间，所述至少一个第二中间存储器单元存储p位数据，并且

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，与第一子块对应的逻辑地址的数量等于与第二子块对应的逻辑地址的数量。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，与第一子块对应的逻辑地址的数量不同于与第二子块对应的逻辑地址的数量。

13.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，与第一子块对应的物理地址的数量不同于与第二子块对应的物理地址的数量。

14.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，与第一子块对应的物理地址的数量等于与第二子块对应的物理地址的数量。

15.根据权利要求1至14中的任一项所述的非易失性存储器装置，其中，所述多个子块还包括：第三子块，连接到包括第三数量的字线的第三字线组，

16.一种存储装置，包括：

17.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述多个第二存储器单元在垂直方向上设置在所述至少一个第一存储器单元上方，并且

18.根据权利要求16所述的存储装置，其中，存储控制器还被配置为：将待分配的相同数量的逻辑地址分配给第一映射表和第二映射表中的每个。

19.根据权利要求16至18中的任一项所述的存储装置，其中，非易失性存储器还包括：

20.一种非易失性存储器装置，包括：

技术总结提供非易失性存储器装置和存储装置。所述非易失性存储器装置包括设置在基底上的子块。子块包括：第一子块，连接到包括第一数量的字线的第一字线组；以及第二子块，连接到包括第二数量的字线的第二字线组。第一子块包括：至少一个第一存储器单元，存储M位数据；以及第二存储器单元，各自存储N位数据。第二子块包括：至少一个第三存储器单元，存储K位数据；以及第四存储器单元，各自存储L位数据。M、N、K和L是正整数，N大于M，并且L大于K。第一数量和第二数量不同，并且所述至少一个第一存储器单元和所述至少一个第三存储器单元包括不同数量的存储器单元。技术研发人员：吴银珠,慎钒揆受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/20