非易失性存储器设备、存储设备及其操作方法与流程

本公开通常涉及电子设备，更具体地，涉及被配置为执行数据恢复读取操作的非易失性存储器设备、存储设备、存储控制器的操作方法以及存储设备的操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器设备可分为易失性存储器设备，例如但不限于动态随机存取存储器(dram)和静态ram(sram)，以及非易失性存储装置，例如但不限于电可擦除和可编程只读存储器(eeprom)、铁电ram(fram)、相变ram(pram)、磁性ram(mram)和闪速存储器。当电源中断时，易失性存储器设备可能会丢失存储的数据，而非易失性存储器设备即使在电源中断时也会保留存储的数据。

2、使用非易失性存储器设备的相关设备可以包括，例如，运动图像专家组1(mpeg-1)音频层3(mp3)播放器、数码相机、移动电话、摄像机、闪速存储器卡、固态盘(ssd)等。随着使用非易失性存储器设备作为存储设备的相关设备的数量增加，非易失存储器设备的容量也增加了。

技术实现思路

1、本公开提供了一种非易失性存储器设备、存储设备、存储控制器的操作方法以及存储设备的操作方法，其可以提高数据恢复读取操作的性能。

2、根据本公开的一方面，提供一种存储设备的操作方法。所述操作方法包括：通过搜索耦合到多个字线中的选择字线的选择存储器单元的阈值电压分布之间的第一谷点来获得多个点。多个点中的每个点包括读取电压电平和存储器单元计数值。所述操作方法还包括使用第一函数计算与第一参考计数值相对应的第一电压电平。第一函数对应于多个点中具有高于或等于第一谷点的谷读取电压电平的第一读取电压电平的第一点。第一参考计数值小于第一谷点的第一存储器单元计数值。所述操作方法还包括使用第二函数计算与第一参考计数值相对应的第二电压电平。第二函数对应于多个点中具有小于或等于第一谷点的谷读取电压电平的第二读取电压电平的第二点。所述操作方法还包括根据耦合到与选择字线相邻的至少一个相邻字线的每个相邻存储器单元的侵略者单元组，将选择存储器单元分类为多个耦合模式。所述操作方法还包括基于选择存储器单元的多个耦合模式、第一电压电平和第二电压电平执行读取操作。

3、根据本公开的一方面，提供一种存储设备。存储设备包括非易失性存储器，非易失性存储器包括分别耦合到多个字线的多个存储器单元；以及存储控制器，被配置为向非易失性存储器提供读取命令和选择地址，并指示非易失性存储器读取存储在耦合到多个字线中的选择字线的选择存储器单元中的数据。存储控制器还被配置为：通过搜索选择存储器单元的阈值电压分布之间的第一谷点来获得多个点。所述多个点中的每个点包括读取电压电平和存储器单元计数值。存储控制器还被配置为：使用第一函数计算与第一参考计数值相对应的第一电压电平。第一函数对应于多个点中具有高于或等于第一谷点的谷读取电压电平的第一读取电压电平的第一点。第一参考计数值小于第一谷点的第一存储器单元计数值。存储控制器还被配置为：使用第二函数计算与第一参考计数值相对应的第二电压电平。第二函数对应于多个点中具有小于或等于第一谷点的谷读取电压电平的第二读取电压电平的第二点。存储控制器还被配置为：根据耦合到与选择字线相邻的至少一个相邻字线的每个相邻存储器单元的侵略者单元组，将选择存储器单元分类为多个耦合模式。存储控制器还被配置为：基于选择存储单元的多个耦合模式、第一电压电平和第二电压电平来计算要被施加到选择存储器单元的第三读取电压电平。

4、根据本公开的一方面，提供一种存储设备的操作方法。所述操作方法包括：通过搜索多个选择字线的选择存储器单元的阈值电压分布之间的第一谷点来获得多个点。多个点中的每个点包括读取电压电平和存储器单元计数值。所述操作方法还包括使用第一函数计算与第一参考计数值相对应的第一电压电平。第一函数对应于多个点中具有高于或等于第一谷点的谷读取电压电平的第一读取电压电平的第一点。第一参考计数值小于第一谷点的第一存储器单元计数值。所述操作方法还包括使用第二函数计算与第一参考计数值相对应的第二电压电平。第二函数对应于多个点中具有小于或等于第一谷点的谷读取电压电平的第二读取电压电平的第二点。所述操作方法还包括将连接到至少一个相邻字线的相邻存储器单元分组为多个侵略者单元组。所述至少一个相邻字线与耦合到选择存储器单元的选择字线相邻。所述操作方法还包括根据多个侵略者单元组中的每一个将选择存储器单元分类为多个耦合模式。所述操作方法还包括基于选择存储单元的多个耦合模式、第一电压电平和第二电压电平来计算要被施加到选择存储器单元的第三读取电压电平。

5、根据本公开的一方面，提供一种非易失性存储器设备。非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括耦合到多个字线的多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成被施加到多个字线的字线电压；以及控制逻辑电路，被配置为向电压生成器提供电压控制信号。电压控制信号指示字线电压的生成。电压生成器还被配置为在第一时段期间，将多个读取电压顺序地施加到多个字线中的选择字线。多个读取电压被配置为搜索耦合到选择字线的选择存储器单元的阈值电压分布之间的谷点。电压生成器还被配置为在第二时段期间，向与选择字线相邻的至少一个相邻字线施加至少一个组确定读取电压。至少一个组确定读取电压被配置为对耦合到至少一个相邻字线的相邻存储器单元的多个侵略者单元组进行分组。电压生成器还被配置为在第三时段期间，向选择字线顺序地施加子读取电压。子读取电压对应于已经根据多个侵略者单元组确定的选择存储器单元的多个耦合模式。子读取电压包括：第一电压电平，对应于第一线性函数中的参考计数值，第一线性函数最小化第一线性函数与包括选择存储器单元的阈值电压分布中的第一读取电压和对应于第一读取电压的存储器单元计数值的点之间的第一距离。第一读取电压的电平高于或等于多个读取电压中对应于谷点的谷读取电压的电平。参考计数值小于与谷点相对应的存储器单元计数值。子读取电压还包括：第二电压电平，对应于第二线性函数中的参考计数值，第二线性函数最小化第二线性函数与包括选择存储器单元的阈值电压分布中的第二读取电压和对应于第二读取电压的存储器单元计数值的点之间的第二距离。第二读取电压的电平等于或小于多个读取电压中对应于谷点的谷读取电压的电平。

6、附加方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地从描述中显而易见，或者可以通过所呈现的实施例的实践来学习。

技术特征：

1.一种存储设备的操作方法，所述操作方法包括：

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，第一电压电平的计算包括：

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，第二电压电平的计算包括：

4.根据权利要求1所述的操作方法，其中：

5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，第一参考计数值与多个耦合模式的多个类型相对应。

6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，将选择存储器单元分类为多个耦合模式包括：

7.根据权利要求1所述的操作方法，其中，将选择存储器单元分类为多个耦合模式包括：

8.根据权利要求1所述的操作方法，其中，将选择存储器单元分类为多个耦合模式包括：

9.一种存储设备，包括：

10.根据权利要求9所述的存储设备，其中，存储控制器还被配置为：

11.根据权利要求9所述的存储设备，其中，存储控制器还被配置为：

12.根据权利要求9所述的存储设备，其中，存储控制器还被配置为：

13.根据权利要求9所述的存储设备，其中，存储控制器还被配置为：

14.一种非易失性存储器设备，包括：

15.根据权利要求14所述的非易失性存储器设备，其中：

16.根据权利要求15所述的非易失性存储器设备，其中：

17.根据权利要求14所述的非易失性存储器设备，其中：

18.根据权利要求14所述的非易失性存储器设备，其中：

19.根据权利要求14所述的非易失性存储器设备，其中，电压生成器还被配置为：

20.根据权利要求14所述的非易失性存储器设备，其中，参考计数值与对应于谷点的存储器单元计数值与多种类型的耦合模式的平方根的比率相对应。

技术总结在一些实施例中，存储设备的操作方法包括：通过搜索耦合到多个字线中的选择字线的选择存储器单元的阈值电压分布之间的第一谷点来获得多个点；使用第一函数计算与第一参考计数值相对应的第一电压电平；使用第二函数计算与第一参考计数值相对应的第二电压电平；根据耦合到与选择字线相邻的至少一个相邻字线的每个相邻存储器单元的侵略者单元组，将选择存储器单元分类为多个耦合模式；以及基于选择存储器单元的多个耦合模式、第一电压电平和第二电压电平执行读取操作。技术研发人员：安孝珍,李书永,赵勋受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/4/17