存储器设备和操作存储器设备的方法与流程

本公开的各种实施例总体上涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种存储器设备和操作存储器设备的方法。

背景技术：

1、存储器系统是在诸如计算机或智能电话的主机设备的控制下存储数据的设备。存储器系统可以包括在其中存储数据的存储器设备和控制该存储器设备的存储器控制器。存储器设备被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

2、非易失性存储器设备可以是即使当电源供应被中断时，仍保留在其中存储的数据的存储器设备。非易失性存储器设备的示例可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除和可编程rom(eeprom)以及快闪存储器。

3、编程操作是将数据存储在被包括在非易失性存储器设备中的存储器单元中的操作。在编程操作期间，存储器单元的阈值电压根据要被存储在存储器单元中的数据而增加。根据编程操作而增加的存储器单元的阈值电压可能由于诸如时间或噪声的各种因素的影响而降低。为了增加存储器单元的被降低的阈值电压，可以执行附加的(额外的)编程操作。

技术实现思路

1、本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备。存储器设备可以包括：存储器单元；外围电路，被配置为对存储器单元执行中间编程操作和最终编程操作；以及编程操作控制器，被配置为控制外围电路以在执行最终编程操作之后对存储器单元之中具有低于额外验证电压的阈值电压的欠编程单元执行额外编程操作，该额外验证电压低于在最终编程操作中使用的主验证电压。

2、本公开的一个实施例可以提供一种操作存储器设备的方法。该方法可以包括：对被耦合到第一字线的第一存储器单元执行中间编程操作；对被耦合到第二字线的第二存储器单元执行中间编程操作；对第一存储器单元执行最终编程操作；以及对第一存储器单元之中具有低于额外验证电压的阈值电压的欠编程单元执行额外编程操作，该额外验证电压低于在最终编程操作中使用的主验证电压。

3、本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备。存储器设备可以包括：存储器单元；外围电路，被配置为执行将存储器单元的阈值电压增加到对应于中间编程状态中的任何一个中间编程状态的阈值电压的中间编程操作，以及将存储器单元的阈值电压增加到对应于目标编程状态中的任何一个目标编程状态的阈值电压的最终编程操作；以及编程操作控制器，被配置为控制外围电路以在执行最终编程操作之后执行增加存储器单元之中具有低于对应于一个目标编程状态的阈值电压的阈值电压的欠编程单元的阈值电压的额外编程操作。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述编程操作控制器被配置为：控制所述外围电路以在对所述存储器单元执行所述最终编程操作之前对被耦合到与所述存储器单元的字线不同的附加字线的存储器单元执行所述中间编程操作。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中基于执行所述额外编程操作的次数来增加所述额外验证电压的大小。

5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中基于执行所述多个额外编程循环的次数，所述额外编程电压的大小增加额外阶跃电压。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述额外阶跃电压的大小大于在所述最终编程操作中使用的最终编程电压增加的大小。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述中间编程操作是将所述存储器单元的阈值电压增加到对应于中间编程状态中的任何一个中间编程状态的阈值电压的操作。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述最终编程操作是将所述存储器单元的阈值电压增加到对应于目标编程状态中的任何一个目标编程状态的阈值电压的操作。

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述欠编程单元是将所述目标编程状态之中高于阈值编程状态的编程状态作为目标编程状态的存储器单元。

10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述编程操作控制器被配置为：在额外编程电压被施加到被耦合到所述欠编程单元的字线的同时，控制所述外围电路以在所述额外编程操作期间将高于接地电压的编程控制电压施加到被耦合到所述欠编程单元之中具有高于预验证电压、低于所述额外验证电压的阈值电压的第一存储器单元的位线。

11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述编程操作控制器被配置为：在所述额外编程电压被施加到所述字线的同时，控制所述外围电路以将编程使能电压施加到被耦合到所述欠编程单元之中具有低于所述预验证电压的阈值电压的第二存储器单元的位线。

12.根据权利要求1所述的存储器设备，其中多次执行所述额外编程操作以将所述欠编程单元的所述阈值电压增加到高于所述额外验证电压的电压。

13.一种操作存储器设备的方法，包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

15.根据权利要求14所述的方法，其中基于执行所述多个额外编程循环的次数，所述额外编程电压的大小增加额外阶跃电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述额外阶跃电压的大小大于所述中间阶跃电压的大小。

18.根据权利要求16所述的方法，其中执行所述多个额外编程循环的所述次数小于执行所述多个中间编程循环的所述次数。

19.一种存储器设备，包括：

20.根据权利要求19所述的存储器设备，其中所述编程操作控制器被配置为：在额外编程电压被施加到被耦合到所述存储器单元的字线的同时，控制所述外围电路以在所述额外编程操作期间将编程使能电压施加到分别被耦合到所述欠编程单元的位线。

21.根据权利要求19所述的存储器设备，其中所述编程操作控制器被配置为：在额外编程电压被施加到被耦合到所述存储器单元的字线的同时，控制所述外围电路以在所述额外编程操作期间将编程禁止电压施加到分别被耦合到所述存储器单元之中除了所述欠编程单元之外的存储器单元的位线。

22.根据权利要求19所述的存储器设备，其中在相应的额外编程操作中，阈值电压增加的欠编程单元的数目彼此相等。

技术总结本文提供一种存储器设备和操作存储器设备的方法。存储器设备包括：存储器单元；外围电路，被配置为对存储器单元执行中间编程操作和最终编程操作；以及编程操作控制器，被配置为控制外围电路以在执行最终编程操作之后对存储器单元之中具有低于额外验证电压的阈值电压的欠编程单元执行额外编程操作，该额外验证电压低于在最终编程操作中使用的主验证电压。技术研发人员：金在雄受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17