闪存刷新方法、设备及计算机可读存储介质与流程

本发明涉及闪存存储领域，尤其涉及闪存刷新方法、设备及计算机可读存储介质。

背景技术：

1、在闪存中，每个存储单元都由一个或多个比特位组成，用于存储数据。由于使用寿命或其他原因，比特位可能会发生错误，导致数据读取或写入的不准确性。因此，闪存设备通常会设置一个出错比特位的阈值。当错误比特位的数量达到或超过阈值时，闪存控制器会触发刷新操作。

2、以往闪存的刷新方式中，通常采用固定时段或当闪存所剩空间不足时进行刷新，但上述方式容易因为时间间隔设定不合理、剩余空间不足导致数据损坏或丢失。

3、上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种闪存刷新方法、设备及计算机可读存储介质，旨在解决以往闪存的刷新方式中，容易因为时间间隔设定不合理、剩余空间不足导致数据损坏或丢失的技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提供一种闪存刷新方法，所述闪存刷新方法包括以下步骤：

3、在基于初始读取电压值读取数据出错时，获取出错数据的出错数量和块信息；

4、在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压；

5、基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作。

6、可选地，所述在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压的步骤包括：

7、根据所述块信息，基于读取电压对应关系表确定目标调整阶段；

8、根据所述目标调整阶段，确定所述偏移电压值；

9、基于所述偏移电压值修正所述初始读取电压。

10、可选地，所述基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作的步骤包括：

11、记录出错数据的位置和错误类型并读取闪存块中的数据；

12、擦除所述闪存块中的数据；

13、为所述数据分配新的闪存块，并更新所述数据块的状态。

14、可选地，所述在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压的步骤之后，还包括：

15、基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据未出错，则将所述数据进行传输；

16、若再次读取的所述数据的出错数量小于所述预设阈值，执行所述取出错数据的出错数量和块信息的步骤。

17、可选地，所述基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作的步骤之前，还包括：

18、对所述数据进行编码，并计算出对应的校验码；

19、将所述校验码存储至所述数据块；

20、在接收到读取所述数据块中已存储数据的指令时，基于所述校验码对所述数据的校验位进行校验；

21、在校验出所述数据存在错误数据时，基于所述校验码纠正所述错误数据。

22、可选地，所述在基于初始读取电压值读取数据出错时，获取出错数据的出错数量和块信息的步骤之后，还包括：

23、确定所述出错数据的错误类型和错误代码；

24、根据所述错误类型和所述错误代码，执行对应的重试策略；

25、基于重试表，记录所述错误类型、错误代码和重试策略的参数。

26、可选地，所述在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压的步骤之前，还包括：

27、获取所述重试表中记录的重试信息和重试数据；

28、基于所述重试信息和所述重试数据，设定所述预设阈值，所述预设阈值为比特出错数量的阈值。

29、可选地，所述基于所述重试信息和所述重试数据，设定所述预设阈值，所述预设阈值为比特出错数量的阈值的步骤包括：

30、基于闪存硬件特性，设定初始阈值；

31、若所述重试信息和所述重试数据表明闪存刷新后读取数据出错的数量超出所述初始阈值，则提升所述初始阈值；

32、若所述重试信息和所述重试数据表明闪存刷新后读取数据出错的数量未超出所述初始阈值，则基于所述初始阈值设定所述预设阈值。

33、此外，为实现上述目的，本发明还提供一种闪存刷新设备，所述设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的闪存刷新程序，所述闪存刷新程序配置为实现如上所述的闪存刷新方法的步骤。

34、此外，为实现上述目的，本发明还提供一种计算机可读存储介质所述计算机可读存储介质上存储有闪存刷新程序，所述闪存刷新程序被处理器执行时实现如上所述的闪存刷新方法的步骤。

35、本发明实施例通过提供一种闪存刷新方法、设备及计算机可读存储介质，在基于初始读取电压值读取数据出错时，获取出错数据的出错数量和块信息，在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压，基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作。通过以上步骤，通过在数据的比特出错数达到阈值时，进行刷新，能够减少闪存中坏块的数量，提升闪存的使用寿命以及可存储的数据量。

技术特征：

1.一种闪存刷新方法，其特征在于，所述闪存刷新方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的闪存刷新方法，其特征在于，所述在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压的步骤包括：

3.如权利要求1所述的闪存刷新方法，其特征在于，所述基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作的步骤包括：

4.如权利要求1所述的闪存刷新方法，其特征在于，所述在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压的步骤之后，还包括：

5.如权利要求1所述的闪存刷新方法，其特征在于，所述基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作的步骤之前，还包括：

6.如权利要求1至5任一项所述的闪存刷新方法，其特征在于，所述在基于初始读取电压值读取数据出错时，获取出错数据的出错数量和块信息的步骤之后，还包括：

7.如权利要求1所述的闪存刷新方法，其特征在于，所述在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压的步骤之前，还包括：

8.如权利要求7所述的闪存刷新方法，其特征在于，所述基于所述重试信息和所述重试数据，设定所述预设阈值，所述预设阈值为比特出错数量的阈值的步骤包括：

9.一种闪存刷新设备，其特征在于，所述闪存刷新设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的闪存刷新程序，所述闪存刷新程序配置为实现如权利要求1至8中任一项所述的闪存刷新方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有闪存刷新程序，所述闪存刷新程序被处理器执行时实现如权利要求1至8任一项所述的闪存刷新方法的步骤。

技术总结本发明公开了一种闪存刷新方法、设备及计算机可读存储介质，所述闪存刷新方法包括以下步骤：在基于初始读取电压值读取数据出错时，获取出错数据的出错数量和块信息；在所述出错数量小于预设阈值时，根据所述块信息，确定偏移电压值并基于所述偏移电压阈值调整所述初始读取电压；基于调整后的读取电压值再次读取所述数据，若再次读取的所述数据的出错数量大于或等于所述预设阈值时，触发闪存刷新操作。本发明通过以上步骤，通过在数据的比特出错数达到阈值时，进行刷新，能够减少闪存中坏块的数量，提升闪存的使用寿命以及可存储的数据量。技术研发人员：叶敏,王朋怀,吴大畏,李晓强受保护的技术使用者：得一微电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17