一种NAND闪存最佳读取电压区间的定位方法、装置及电子设备、存储介质与流程

本发明涉及电子，尤其是涉及一种nand闪存最佳读取电压区间的定位方法、装置及电子设备、存储介质。

背景技术：

1、闪存是一种非易失存储介质，信息存储依赖于基本存储单元，随着工艺技术进步，存储单元能存储更多soft bit的个数据，从slc到mlc再到tlc(每单元存储1至3个比特)。读取闪存中的数据是通过检测介质单元的电子数量(电压)来确定的。

2、为了保证数据的可靠性，在使用闪存作为存储介质的设备(如ssd、ufc、sd、u盘)中的闪存控制器通常采用了低密度奇偶校验(ldpc)作为纠错算法。ldpc算法通过生成特定的校验位来保护数据位，确保数据的准确性和完整性。在nand闪存控制器中，ldpc模块具有两种主要的解码方式：hard decode和soft decode。hard decode模式下，只需要读取的数据一笔数据，解码速度相对较快，但纠错的bit个数有限。而soft decode模式下，通常需要读取多笔的数据，但可以大幅增加可纠错的bit个数，从而提高整体的数据可靠性。harddecode和soft decode在一个最佳的读取电压范围才能最大程度的发挥解码能力，目前在nand闪存控制器的方案中，通常采用轮询预设的多个电压挡位，闪存厂商通常会提供几十组电压组合，在soft decode通常会有更多的组合。

3、在现有的nand闪存控制器方案中，通常采用轮询闪存厂商提供的数十组电压组合来进行操作，而ldpc在soft decode时需要轮询更多的电压组合。这种轮询的方式通常存在几个缺陷，如：通过轮询厂商预设的电压的挡位组合有局限性，在遇到不适用的场景时，我们无法获得正确的读取电压范围，从而无法完全发挥ldpc纠错能力；nand每个rv的默认电压挡位表示为0，轮询逐步增大读取的电压值为+1，+2，+3等等,逐步减小读取电压为-1，-2，-3等等，通常可以设置的挡位个数为±127个挡位，ldpc轮询这些挡位尝试能否解码成功所花费的时间很长；ldpc一次soft decode需要读取至少三笔数据(2bit ldpc)，即使用上一点中的rv为中心电压hr，还需要提供一笔基于hr的rv减小的sr1和增大的sr2；基于中心电压hr，通常尝试遍历±5/±8/±12/±15等不同组合去尝试解码，轮询的组合会变的更多，轮询的次数会变更多，消耗时间花费更长，且在轮询过程中会多次重复读取数据，会造成数据进一步的破坏。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的在于提供一种nand闪存最佳读取电压区间定位方法、装置及电子设备、存储介质。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种nand闪存最佳读取电压区间定位方法，该方法包括：

3、根据nand闪存的型号确定基准电压区间；

4、将基准电压区间向右偏移得到第一电压区间，并，将基准电压区间向左偏移得到第二电压区间；

5、分别读取基准电压区间、第一电压区间和第二电压区间中的soft bit的个数，得到基准电压区间对应的第一soft bit的个数、第一电压区间对应的第二soft bit的个数和第二电压区间对应的第三soft bit的个数；

6、根据第一soft bit的个数、第二soft bit的个数和第三soft bit的个数的比较关系，确定nand闪存最佳读取电压区间。

7、结合第一方面，根据第一soft bit的个数、第二soft bit的个数和第三soft bit的个数的比较关系，确定nand闪存最佳读取电压区间的步骤包括：

8、若sbc_2>sbc_0，且sbc_1>sbc_0，确定基准电压区间为nand闪存最佳读取电压区间；

9、其中，sbc_2为第三soft bit的个数，sbc_1为第二soft bit的个数，sbc_0为第一soft bit的个数。

10、结合第一方面，根据第一soft bit的个数、第二soft bit的个数和第三soft bit的个数的比较关系，确定nand闪存最佳读取电压区间的步骤，还包括：

11、若sbc_1≤sbc_0<sbc_2，将第一电压区间向右偏移，直至偏移后的当前第一电压区间的第四soft bit的个数大于前次第一电压区间的第五soft bit的个数；

12、确定前次第一电压区间为nand闪存最佳读取电压区间；

13、其中，sbc_2为第三soft bit的个数，sbc_1为第二soft bit的个数，sbc_0为第一soft bit的个数。

14、结合第一方面，根据第一soft bit的个数、第二soft bit的个数和第三soft bit的个数的比较关系，确定nand闪存最佳读取电压区间的步骤，还包括：

15、若sbc_2≤sbc_0<sbc_1，将第二电压区间向左偏移，直至偏移后的当前第二电压区间的第六soft bit的个数小于前次第二电压区间的第七soft bit的个数；

16、确定前次第二电压区间为nand闪存最佳读取电压区间；

17、其中，sbc_2为第三soft bit的个数，sbc_1为第二soft bit的个数，sbc_0为第一soft bit的个数。

18、结合第一方面，根据第一soft bit的个数、第二soft bit的个数和第三soft bit的个数的比较关系，确定nand闪存的中心电压的步骤之后，还包括：

19、将纠错模块的中心电压设于最佳读取电压区间；

20、控制纠错模块进行soft decode，以对以对nand闪存控制器进行纠错。

21、结合第一方面，纠错模块包括ldpc soft decode模块或hard decode模块。

22、结合第一方面，将基准电压区间向右偏移得到第一电压区间，并，将基准电压区间向左偏移得到第二电压区间的步骤，包括：

23、根据基准电压区间确定移动尺度；

24、根据移动尺度，将基准电压区间向右偏移得到第一电压区间，并，将基准电压区间向左偏移得到第二电压区间。

25、第二方面，本技术提供一种nand闪存的中心电压定位装置，该装置包括：

26、第一确定模块，用于根据nand闪存的型号确定基准电压区间；

27、偏移模块，用于将基准电压区间向右偏移得到第一电压区间，并，将基准电压区间向左偏移得到第二电压区间；

28、读取模块，用于分别读取基准电压区间、第一电压区间和第二电压区间中的softbit的个数，得到基准电压区间对应的第一soft bit的个数、第一电压区间对应的第二softbit的个数和第二电压区间对应的第三soft bit的个数；

29、第二确定模块，用于根据第一soft bit的个数、第二soft bit的个数和第三softbit的个数的比较关系，确定nand闪存最佳读取电压区间。

30、第三方面，本技术提供一种电子设备，电子设备包括存储器以及处理器，存储器用于存储计算机程序，处理器运行计算机程序以使电子设备执行上述的方法。

31、第四方面，本技术提供一种存储介质，存储介质中存储有计算机程序指令，计算机程序指令被一处理器读取并运行时，执行上述的方法。

32、本发明实施例带来了以下有益效果：本技术先确定基准电压区间，并之后将该基准电压区间向右偏移或向左偏移，并读取这三个区间内的soft bit的个数，基于这三个区间的soft bit的个数之间的比较关系，确定nand闪存最佳读取电压区间。这样可以有效的减小确定最佳读取电压区间所需尝试测量的次数，以快速的确定最佳读取电压区间，以提高便于程序纠错的效率。

33、本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

34、为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。