一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法与流程

本发明涉及芯片测试，具体涉及一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法。

背景技术：

1、存储芯片测试主要针对的是存储器，包括随机存取存储器、闪存等，用于存储和读取数据或程序代码的半导体组件。测试的内容包括一些性能参数，例如读取时间、写入恢复时间、数据保存时间等。这些测试的目的是确保存储器在各种条件下都能可靠、准确地存储和读取数据。

2、存储芯片相比系统级芯片的测试存在额外的修复的流程，测试机按照测试要求获取每颗芯片的失效的电路信息，形成失效单元电路的日志文件，测试机的修复分析程序加载日志文件，生成修复方案，使用备用电路去修复损坏的电路，备用电路主要分为两种类型：行备用电路和列备用电路，上图有一组行备用电路、两组列备用电路；修复电路流程，若正常电路存在一个失效单元电路，需要分配一组行或列去修复该区域，若每个芯片上的备用电路数量无法修复该芯片上损坏电路的区域，则该芯片被剔除，不进入后面的流程。

3、失效单元电路分为行或列特定修复类型失效单元电路，还有稀疏失效单元电路区域，针对行或列特定修复类型失效单元区域的修复备用电路分配方案，由于备用电路设计，一般为固定解。而针对稀疏失效单元电路由于可以使用行备用电路或列备用电路修复，修复方案灵活多变。

4、由于稀疏失效单元电路不需要特定类型的备用电路去修复，修复方案灵活多变，在针对同样稀疏失效单元电路的修复方案不同，行或列的电路修复范围不一致，同一个失效单元电路可能被行或列备用电路同时修复，使用的备用电路数量也不同。基于上述的场景可以了解到测试机的处理失效单元电路的修复分配算法能够影响到存储芯片在测试封装流程中的良率，最优的修复方案能够使得芯片生产经济价值达到最大化，但由于芯片修复的失效信息复杂，程序分配的解只能够达到相对较优的解。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，解决以下技术问题：

2、由于稀疏失效单元电路不需要特定类型的备用电路去修复，修复方案灵活多变，在针对同样稀疏失效单元电路的修复方案不同，行或列的电路修复范围不一致，同一个失效单元电路可能被行或列备用电路同时修复，使用的备用电路数量也不同。最优的修复方案能够使得芯片生产经济价值达到最大化，但由于芯片修复的失效信息复杂，程序分配的解只能够达到相对较优的解。

3、本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

4、一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，包括以下步骤：

5、s1：芯片测试机运行测试程序获取存储芯片整体的失效单元电路信息，首先分配特定区域的失效单元电路的修复方案；将剩余的稀疏失效单元信息存储到哈希表数据结构中，标记为φ集合；

6、s2：在任一区域中，生成x-y哈希表结构和y-x哈希表结构；

7、s3：分别构建x坐标覆盖度矩阵和y坐标覆盖度矩阵，将每个x地址或y地址所对应失效单元的数量值作为覆盖度值；

8、s4：分别构建x坐标影响作用度矩阵和y坐标影响作用度矩阵，获取每个x地址或y地址所对应失效单元的数量k，若k大于等于2，则影响作用度加1，累计计算得到任一坐标下的影响作用度；

9、s5：当行和列备用电路未使用完时，获得x坐标中覆盖度最大的值α和影响作用度最小的值γ，以及y坐标中覆盖度最大的值β和影响作用度最小的值δ；若α大于β，则优先修复α对应的x坐标，否则优先修复β对应的y坐标，若α等于β，则优先修复γ和δ中最小的值对应的坐标；

10、s6：当行备用电路使用完时，获取y覆盖度矩阵的集合大小，若集合大小值小于列备用电路数量，直接修复y覆盖度中的y坐标集合；否则该存储芯片不可修复，停止迭代；

11、s7：当列备用电路使用完时，获取x覆盖度矩阵的集合大小，若集合大小值小于行备用电路数量，直接修复x覆盖度中的x坐标集合；否则该存储芯片不可修复，停止迭代；

12、s8：重复上述s1-s7，直至φ集合中所有稀疏失效单元信息被清空，存储芯片修复完成。

13、作为本发明进一步的方案：所述稀疏失效单元信息为φ={f1，f2，...，fn}，fi=l1，l2，l3，l4，n表示稀疏失效单元电路的数量，fi表示任意稀疏失效单元电路信息，i∈n，l1，l2，l3，l4依次表示失效单元电路的区域编号、io编号、x地址、y地址。

14、作为本发明进一步的方案：生成x-y哈希表结构和y-x哈希表结构的过程为：

15、分别以任一x地址作为关键字，该x地址对应所有的失效单元电路的y地址值的集合作为键值，得到x-y哈希表结构；

16、分别以任一y地址作为关键字，该y地址对应所有的失效单元电路的x地址值的集合作为键值，得到y-x哈希表结构。

17、作为本发明进一步的方案：每次修复均从集合中删除修复成功所在的失效单元信息，更新集合中的数值。

18、作为本发明进一步的方案：x坐标的覆盖度矩阵为：x={x1，x2，...，xm}，vx={v1，v2，...，vm}，xm表示失效单元x坐标，m表示x的坐标的个数，vm表示对应xm下有失效单元数量的值；

19、y坐标的覆盖度矩阵为：y={y1，y2，...，yn}，vy={v1，v2，...，vn}，n表示y的坐标的个数，yn表示失效单元y坐标，vn表示对应yn下有失效单元数量的值。

20、作为本发明进一步的方案：x坐标的影响作用度矩阵为：x0={x1，x2，...，xm}，hx={h1，h2，...，hm}，xm表示失效单元x坐标，m表示x的坐标的个数，hm表示对应xm下有失效单元的影响作用度值；

21、y坐标的影响作用度矩阵为：y0={y1，y2，...，yn}，hy={h1，h2，...，hn}，表示失效单元y坐标，n表示y的坐标的个数，hn表示对应yn下有失效单元的影响作用度值。

22、本发明的有益效果：

23、本发明应用于存储芯片的修复过程中稀疏失效单元电路的修复方案计算，通过考虑失效单元行方向和列方向相互的影响作用，引入影响作用度概念，避免行和列备用电路重复修复同一稀疏失效单元电路，能够有效减少备用电路的使用量，从而提升存储芯片修复流程中的良率。

技术特征：

1.一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，其特征在于，所述稀疏失效单元信息为φ={f1，f2，...，fn}，fi=l1，l2，l3，l4，n表示稀疏失效单元电路的数量，fi表示任意稀疏失效单元电路信息，i∈n，l1，l2，l3，l4依次表示失效单元电路的区域编号、io编号、x地址、y地址。

3.根据权利要求1所述的一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，其特征在于，生成x-y哈希表结构和y-x哈希表结构的过程为：

4.根据权利要求1所述的一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，其特征在于，每次修复均从集合中删除修复成功所在的失效单元信息，更新集合中的数值。

5.根据权利要求1所述的一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，其特征在于，x坐标的覆盖度矩阵为：x={x1，x2，...，xm}，vx={v1，v2，...，vm}，xm表示失效单元x坐标，m表示x的坐标的个数，vm表示对应xm下有失效单元数量的值；

6.根据权利要求1所述的一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，其特征在于，x坐标的影响作用度矩阵为：x0={x1，x2，...，xm}，hx={h1，h2，...，hm}，xm表示失效单元x坐标，m表示x的坐标的个数，hm表示对应xm下有失效单元的影响作用度值；

技术总结本发明公开了一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，属于芯片测试技术领域，具体包括：芯片测试机获取失效单元电路信息，为特定区域的失效单元分配修复方案，并将剩余的稀疏失效单元信息存储到哈希表中，在任一区域，构建X‑Y和Y‑X哈希表结构，X坐标和Y坐标的覆盖度矩阵和影响作用度矩阵，计算每个坐标的影响作用度；根据覆盖度和影响作用度，选择优先修复的坐标，若行和列备用电路未用完，优先修复覆盖度最大且影响作用度最小的坐标；若仅行或列备用电路用完，则直接修复对应的覆盖度集合，重复上述过程，直到哈希表中的信息被清空，芯片修复完成；本发明提升了对存储芯片中的稀疏失效单元电路的修复效果。技术研发人员：潘志富,刘金海,李海涛,郭琦,陈尚成受保护的技术使用者：悦芯科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17