与验证操作有关的存储器装置和操作该存储器装置的方法与流程

本公开总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及存储器装置的验证操作。

背景技术：

1、存储器装置是存储数据的装置，并且可分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、存储器装置可在编程操作期间执行验证操作。此时，当使用一个验证电压验证编程状态时，根据存储器单元的不同编程速度，阈值电压分布的宽度可能变宽。因此，存储器装置可执行双验证编程(dpgm)操作以形成宽度较窄的阈值电压分布。双验证编程可以是通过基于一个验证电压区分时间来感测存储器单元两次的操作。

3、此外，存储器单元可包括慢单元和快单元。当相同的编程电压施加到慢单元和快单元时，快单元的阈值电压的变化量可大于慢单元的阈值电压的变化量。在编程操作开始时，快单元的比率高于慢单元的比率，但是在编程操作的后半段，慢单元的比率可高于快单元的比率。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括：多个存储器单元，其通过多个编程循环被编程为第一编程状态；页缓冲器，其被配置为在多个编程循环中的每一个中执行验证第一编程状态的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为随着依次执行所述多个编程循环，调节第一评估操作的第一评估时间以减小第二评估操作的第二评估时间与第一评估时间之间的差。

2、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可包括以下步骤：在第一编程循环中将第一编程电压施加到多个存储器单元；在第一编程循环中基于第一评估时间执行验证多个存储器单元的第一编程状态的第一验证操作；在第一编程循环中基于第二评估时间执行验证第一编程状态的第二验证操作；增加第一评估时间；在第二编程循环中将第二编程电压施加到多个存储器单元；在第二编程循环中基于增加的第一评估时间执行验证第一编程状态的第一验证操作；以及在第二编程循环中基于第二评估时间执行验证第一编程状态的第二验证操作。

3、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括：多个存储器单元，其被编程为多个编程状态当中的任一个编程状态；页缓冲器，其被配置为在编程循环中执行验证编程状态的第一验证操作和第二验证操作；评估时间控制器，其被配置为每当编程循环改变时，增加包括在第一验证操作中的第一评估操作的第一评估时间并且维持包括在第二验证操作中的第二评估操作的第二评估时间；以及页缓冲器控制器，其被配置为控制页缓冲器基于第一评估时间执行第一评估操作并且基于第二评估时间执行第二评估操作。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一评估时间比所述第二评估时间短。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，随着所述多个编程循环依次执行，所述控制逻辑增加所述第一评估时间。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑在所述多个编程循环中维持所述第二评估时间。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一编程状态是基于阈值电压分类的多个编程状态中的任一个。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当验证电压被施加到与所述多个存储器单元连接的字线时，所述页缓冲器基于所述第一评估时间执行所述第一评估操作并且基于所述第二评估时间执行所述第二评估操作。

7.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一编程循环中执行所述第一验证操作的步骤包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述第二编程循环中执行所述第一验证操作的步骤包括以下步骤：

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一编程循环或所述第二编程循环中执行所述第二验证操作的步骤包括以下步骤：

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所增加的第一评估时间比所述第二评估时间短。

12.一种存储器装置，该存储器装置包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述评估时间控制器将所述第一评估时间增加单位时间。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，在所述第一验证操作和所述第二验证操作首次开始的编程循环中，所述评估时间控制器将所述第一评估时间设定为初始值。

技术总结本申请涉及与验证操作有关的存储器装置和操作该存储器装置的方法。一种存储器装置包括：多个存储器单元，其通过多个编程循环被编程为第一编程状态；页缓冲器，其被配置为在所述多个编程循环中的每一个中执行验证第一编程状态的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为随着所述多个编程循环依次执行，调节第一评估操作的第一评估时间以减小第二评估操作的第二评估时间与第一评估时间之间的差。技术研发人员：李宗勋,朴世泉受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/20