存储器装置的制作方法

本公开涉及半导体装置，并且更具体地，涉及用于减小电压波动的影响的存储器装置。

背景技术：

1、最近，随着信息通信装置已经变得多功能，存储器装置被期望具有大容量和高集成度。随着存储器单元的尺寸减小以实现高集成度，用于存储器装置的操作和电连接的包括在存储器装置中的操作电路和/或布线结构变得更加复杂。因此，对具有更高集成度和优异电特性的存储器装置的需求增加。为了提高存储器装置的存储容量和集成度，已经开发了在半导体基底上垂直形成的垂直沟道晶体管，以代替在半导体基底上平面形成的平面沟道晶体管。

技术实现思路

1、提供了具有电压驱动器电路和去耦电容器的架构的存储器装置，以减少与包括垂直沟道晶体管的多个存储器单元相关的电压波动的影响。

2、根据公开的实施例的一种存储器装置包括：外围电路结构；以及单元阵列结构，与外围电路结构叠置，其中，单元阵列结构包括存储器单元区域，存储器单元区域包括在第一水平方向上延伸的多条字线和在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的多条位线，其中，第一水平方向和第二水平方向与垂直方向相交，其中，存储器单元区域包括多个单元结构，所述多个单元结构包括位线上的多个晶体管结构和电连接到晶体管结构中的相应的晶体管结构的电容器结构，并且其中，外围电路结构包括第一区域和第二区域，第一区域包括结合到存储器单元区域的所述多条位线的感测放大器，第二区域邻近于第一区域并且包括被配置为生成内部电源电压以提供给感测放大器的第一电压驱动器电路。

3、根据公开的实施例的一种存储器装置包括：外围电路结构；以及单元阵列结构，与外围电路结构叠置，其中，单元阵列结构包括存储器单元区域，存储器单元区域包括在第一水平方向上延伸的多条字线和在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的多条位线，其中，第一水平方向和第二水平方向与垂直方向相交，其中，存储器单元区域包括多个单元结构，所述多个单元结构包括位线上的晶体管结构和电连接到晶体管结构中的相应的晶体管结构的电容器结构，并且其中，外围电路结构包括第一区域和第二区域，第一区域包括结合到存储器单元区域的位线的感测放大器，第二区域邻近于第一区域并且包括电连接到被配置为将内部电源电压提供给感测放大器的内部电源电压线的第一去耦电容器。

4、根据公开的实施例的一种存储器装置包括：外围电路结构；以及单元阵列结构，与外围电路结构叠置，其中，单元阵列结构包括包含字线和位线的存储器单元区域，其中，存储器单元区域包括位线上的晶体管结构和分别电连接到晶体管结构中的相应的晶体管结构的电容器结构，并且其中，外围电路结构包括第一区域和第二区域，第一区域包括结合到存储器单元区域的所述多条位线的感测放大器，第二区域邻近于第一区域并且包括被配置为生成提供给感测放大器的内部电源电压和位线预充电电压的电压生成电路。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，

3.根据权利要求1所述的存储器装置，

4.根据权利要求3所述的存储器装置，

5.根据权利要求3所述的存储器装置，

6.根据权利要求5所述的存储器装置，

7.根据权利要求5所述的存储器装置，

8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器装置，

9.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器装置，

10.一种存储器装置，包括：

11.根据权利要求10所述的存储器装置，

12.根据权利要求11所述的存储器装置，

13.根据权利要求12所述的存储器装置，

14.根据权利要求12所述的存储器装置，

15.根据权利要求14所述的存储器装置，

16.根据权利要求14所述的存储器装置，

17.根据权利要求10至16中的任何一项所述的存储器装置，

18.根据权利要求10至16中的任何一项所述的存储器装置，

19.一种存储器装置，包括：

20.根据权利要求19所述的存储器装置，

技术总结公开了一种存储器装置。所述存储器装置包括：外围电路结构；以及单元阵列结构，垂直叠置在外围电路结构上。单元阵列结构包括存储器单元区域，存储器单元区域包括多个晶体管结构和电连接到所述多个晶体管结构中的相应的晶体管结构的多个电容器结构。外围电路结构包括第一区域和第二区域，第一区域包括结合到存储器单元区域的多条位线的感测放大器，第二区域包括被配置为生成内部电源电压以提供给感测放大器的第一电压驱动器电路。技术研发人员：梁裕锡受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/20