存储器装置和操作该存储器装置的方法与流程

本公开的各种实施方式总体上涉及一种用于执行模糊-精细编程操作的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置可具有串水平布置在半导体基板上的二维(2d)结构。另选地，存储器装置可具有串垂直层叠在半导体基板上的三维(3d)结构。可通过模糊编程操作对串的存储器单元进行一次编程，此后可通过精细编程操作对存储器单元进行二次编程。为了使存储器单元的阈值电压分布形成为窄形状，可使用模糊-精细编程方法对存储器单元进行编程。在这种情况下，在对所选存储器单元执行精细编程操作时，可能对与所选存储器单元相邻的存储器单元的阈值电压施加编程扰动。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：存储块，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对多个存储器单元当中的所选存储器单元执行编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制由外围电路执行的编程操作。控制逻辑可被配置为控制外围电路对多个存储器单元当中的联接到第一字线的第一存储器单元执行模糊编程操作，对多个存储器单元当中的联接到与第一字线相邻的第二字线的第二存储器单元执行模糊编程操作，并且通过减小要施加到第二字线的验证通过电压来对第一存储器单元执行精细编程操作。

2、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：使用第一验证通过电压对联接到第一字线的第一存储器单元执行模糊编程操作；使用第一验证通过电压对联接到与第一字线相邻的第二字线的第二存储器单元执行模糊编程操作；以及使用第一验证通过电压和低于第一验证通过电压的第二验证通过电压对第一存储器单元执行精细编程操作。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元的所述精细编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路将第一验证通过电压施加到除所述第二字线之外的未选字线，将低于所述第一验证通过电压的第二验证通过电压施加到所述第二字线，并且将验证电压施加到所述第一字线。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元的所述精细编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路检查所述第一存储器单元当中的要被编程为第一编程状态的存储器单元的编程进度。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，当所述第一编程状态为部分编程通过时，所述控制逻辑控制所述外围电路将第一验证通过电压施加到除所述第二字线之外的未选字线，将低于所述第一验证通过电压的第二验证通过电压施加到所述第二字线，并且将验证电压施加到所述第一字线。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，当所述第一编程状态不为部分编程通过时，所述控制逻辑控制所述外围电路将第一验证通过电压施加到包括所述第二字线的未选字线并且将验证电压施加到所述第一字线。

7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，当要被编程为所述第一编程状态的存储器单元当中的阈值电压高于第一验证电压的存储器单元的数量大于预设第一值时，所述控制逻辑确定所述第一编程状态为部分编程通过。

8.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元的所述精细编程操作期间，所述控制逻辑：

9.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元的所述精细编程操作期间，所述控制逻辑：

10.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元的所述模糊编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路：当判定在对所述第一存储器单元的所述精细编程操作中在不减小要施加到所述第二字线的验证通过电压的情况下对所述第一存储器单元执行所述精细编程操作时，使用第一中间验证电压对所述第一存储器单元执行所述模糊编程操作。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元的所述模糊编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路：当判定在对所述第一存储器单元的所述精细编程操作中通过减小要施加到所述第二字线的验证通过电压来对所述第一存储器单元执行所述精细编程操作时，使用低于所述第一中间验证电压的第二中间验证电压对所述第一存储器单元执行所述模糊编程操作。

12.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，对所述第一存储器单元执行所述精细编程操作的步骤包括以下步骤：

14.根据权利要求12所述的方法，其中，对所述第一存储器单元执行所述精细编程操作的步骤包括以下步骤：

15.根据权利要求12所述的方法，其中，对所述第一存储器单元执行所述精细编程操作的步骤包括以下步骤：

16.根据权利要求14所述的方法，其中，检查要被编程为第一编程状态至第(2n-1)编程状态当中的所述第一编程状态的存储器单元的所述阈值电压的步骤包括以下步骤：

17.根据权利要求12所述的方法，其中，对所述第一存储器单元执行所述精细编程操作的步骤包括以下步骤：

18.根据权利要求13所述的方法，其中，对所述第一存储器单元执行所述精细编程操作的步骤包括以下步骤：

19.根据权利要求12所述的方法，其中，使用所述第一验证通过电压对联接到所述第一字线的所述第一存储器单元执行所述模糊编程操作的步骤包括以下步骤：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，确定所述中间验证电压的步骤包括以下步骤：

21.根据权利要求19所述的方法，其中，确定所述中间验证电压的步骤包括以下步骤：

技术总结本文提供了一种用于执行模糊‑精细编程操作的存储器装置和操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：存储块，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对所述多个存储器单元当中的所选存储器单元执行编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制由外围电路执行的编程操作。控制逻辑被配置为控制外围电路对所述多个存储器单元当中的联接到第一字线的第一存储器单元执行模糊编程操作，对存储器单元当中的联接到与第一字线相邻的第二字线的第二存储器单元执行模糊编程操作，并且通过减小要施加到第二字线的验证通过电压来对第一存储器单元执行精细编程操作。技术研发人员：郑载烨,郭东勋,文映朝,辛弦燮受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19