测试方法及测试系统与流程

本案涉及一种方法及电子系统。详细而言，本案涉及一种测试方法及测试系统。

背景技术：

1、测试人员采用数据保存性(retention)方法以测试存储器的自刷新。测试存储器的自刷新率的过程通常处于高温范围内并且需要耗费大量的时间成本。

2、因此，上述技术尚存诸多缺陷，而有待本领域从业人员研发出其余适合的测试方法。

技术实现思路

1、本案的一面向涉及一种测试方法。测试方法包含以下步骤：输入第一信号至存储器芯片；根据第一信号以使存储器芯片进入自刷新模式；根据第一信号输入激活命令，以测试存储器芯片，借以产生第一测试结果；调整第一信号的频宽以产生第二信号，借以输入至存储器芯片；根据第二信号以使存储器芯片进入自刷新模式；根据第二信号输入激活命令，以测试存储器芯片，借以产生第二测试结果；以及根据第一测试结果及第二测试结果以计算存储器芯片的自刷新率。

2、在一些实施例中，第一信号及第二信号都包含时脉致能信号(clock enablesignal,cke signal)。

3、在一些实施例中，根据第一信号以使存储器芯片进入自刷新模式的步骤包含：当第一信号的第一电压准位处于低电压准位时，产生第一自刷新命令以进入自刷新模式下的第一自刷新程序。

4、在一些实施例中，第一自刷新命令及激活命令之间包含第一时间差值。若第一时间差值小于存储器芯片的刷新周期，则第一测试结果为存储器芯片处于数据失败状态。

5、在一些实施例中，若第一时间差值大于存储器芯片的刷新周期，则第一测试结果为存储器芯片处于数据通过状态。

6、在一些实施例中，根据第二信号以使存储器芯片进入自刷新模式的步骤包含：当第二信号的第二电压准位处于低电压准位时，产生第二自刷新命令以进入自刷新模式下的第二自刷新程序。

7、在一些实施例中，第二自刷新命令及激活命令之间包含第二时间差值。若第二时间差值小于存储器芯片的刷新周期，则第二测试结果为存储器芯片处于数据失败状态。

8、在一些实施例中，若第二时间差值大于存储器芯片的刷新周期，则第二测试结果为存储器芯片处于数据通过状态。

9、在一些实施例中，第一自刷新命令及第二自刷新命令之间包含自刷新周期。自刷新周期包含第一时间区间及第二时间区间。第一时间区间为存储器芯片处于数据失败状态。第二时间区间为存储器芯片处于数据通过状态。

10、在一些实施例中，第一测试结果及第二测试结果以计算存储器芯片的自刷新率的步骤包含：根据第一时间区间及第二时间区间以计算存储器芯片的自刷新率。

11、本案的另一面向涉及一种测试系统。测试系统包含存储器芯片以及测试仪器。测试仪器耦接于存储器芯片，并用以产生第一信号及激活命令。测试仪器用以输入第一信号至存储器芯片。测试仪器用以根据第一信号以使存储器芯片进入自刷新模式。测试仪器用以根据第一信号输入激活命令，以测试存储器芯片，借以产生第一测试结果。测试仪器用以调整第一信号的频宽以产生第二信号，借以输入至存储器芯片。测试仪器用以根据第二信号以使存储器芯片进入自刷新模式。测试仪器用以根据第二信号输入激活命令，以测试存储器芯片，借以产生第二测试结果。测试仪器用以根据第一测试结果及第二测试结果以计算存储器芯片的自刷新率。

12、在一些实施例中，第一信号及第二信号都包含时脉致能信号(clock enablesignal,cke signal)。

13、在一些实施例中，当第一信号的第一电压准位处于低电压准位时，存储器芯片用以产生第一自刷新命令以进入自刷新模式下的第一自刷新程序。

14、在一些实施例中，第一自刷新命令及激活命令之间包含第一时间差值。若第一时间差值小于存储器芯片的刷新周期，则第一测试结果为存储器芯片处于数据失败状态。

15、在一些实施例中，若第一时间差值大于存储器芯片的刷新周期，则第一测试结果为存储器芯片处于数据通过状态。

16、在一些实施例中，当第二信号的第二电压准位处于低电压准位时，存储器芯片用以产生第二自刷新命令以进入自刷新模式下的第二自刷新程序。

17、在一些实施例中，第二自刷新命令及激活命令之间包含第二时间差值。若第二时间差值小于存储器芯片的刷新周期，则第二测试结果为存储器芯片处于数据失败状态。

18、在一些实施例中，若第二时间差值大于存储器芯片的刷新周期，则第二测试结果为存储器芯片处于数据通过状态。

19、在一些实施例中，第一自刷新命令及第二自刷新命令之间包含自刷新周期。自刷新周期包含第一时间区间及第二时间区间。第一时间区间为存储器芯片处于数据失败状态。第二时间区间为存储器芯片处于数据通过状态。

20、在一些实施例中，测试仪器还用以根据第一时间区间及第二时间区间以计算存储器芯片的自刷新率。

技术特征：

1.一种测试方法，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述第一信号及所述第二信号都包含时脉致能信号。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，根据所述第一信号以使所述存储器芯片进入所述自刷新模式的步骤包含：

4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述第一自刷新命令及所述激活命令之间包含第一时间差值，其中若所述第一时间差值小于所述存储器芯片的刷新周期，则所述第一测试结果为所述存储器芯片处于数据失败状态。

5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，若所述第一时间差值大于所述存储器芯片的所述刷新周期，则所述第一测试结果为所述存储器芯片处于数据通过状态。

6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，根据所述第二信号以使所述存储器芯片进入所述自刷新模式的步骤包含：

7.根据权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第二自刷新命令及所述激活命令之间包含第二时间差值，其中若所述第二时间差值小于所述存储器芯片的所述刷新周期，则所述第二测试结果为所述存储器芯片处于所述数据失败状态。

8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，若所述第二时间差值大于所述存储器芯片的所述刷新周期，则所述第二测试结果为所述存储器芯片处于所述数据通过状态。

9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述第一自刷新命令及所述第二自刷新命令之间包含自刷新周期，其中所述自刷新周期包含第一时间区间及第二时间区间，其中所述第一时间区间为所述存储器芯片处于所述数据失败状态，其中所述第二时间区间为所述存储器芯片处于所述数据通过状态。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述第一测试结果及所述第二测试结果以计算所述存储器芯片的所述自刷新率的步骤包含：

11.一种测试系统，其特征在于，包含：

12.根据权利要求11所述的测试系统，其特征在于，所述第一信号及所述第二信号都包含时脉致能信号。

13.根据权利要求12所述的测试系统，其特征在于，当所述第一信号的第一电压准位处于低电压准位时，所述存储器芯片用以产生第一自刷新命令以进入所述自刷新模式下的第一自刷新程序。

14.根据权利要求13所述的测试系统，其特征在于，所述第一自刷新命令及所述激活命令之间包含第一时间差值，其中若所述第一时间差值小于所述存储器芯片的刷新周期，则所述第一测试结果为所述存储器芯片处于数据失败状态。

15.根据权利要求14所述的测试系统，其特征在于，若所述第一时间差值大于所述存储器芯片的所述刷新周期，则所述第一测试结果为所述存储器芯片处于数据通过状态。

16.根据权利要求15所述的测试系统，其特征在于，当所述第二信号的第二电压准位处于低电压准位时，所述存储器芯片用以产生第二自刷新命令以进入所述自刷新模式下的第二自刷新程序。

17.根据权利要求16所述的测试系统，其特征在于，所述第二自刷新命令及所述激活命令之间包含第二时间差值，其中若所述第二时间差值小于所述存储器芯片的所述刷新周期，则所述第二测试结果为所述存储器芯片处于所述数据失败状态。

18.根据权利要求17所述的测试系统，其特征在于，若所述第二时间差值大于所述存储器芯片的所述刷新周期，则所述第二测试结果为所述存储器芯片处于所述数据通过状态。

19.根据权利要求18所述的测试系统，其特征在于，所述第一自刷新命令及所述第二自刷新命令之间包含自刷新周期，其中所述自刷新周期包含第一时间区间及第二时间区间，其中所述第一时间区间为所述存储器芯片处于所述数据失败状态，其中所述第二时间区间为所述存储器芯片处于所述数据通过状态。

20.根据权利要求19所述的测试系统，其特征在于，所述测试仪器还用以根据所述第一时间区间及所述第二时间区间以计算所述存储器芯片的所述自刷新率。

技术总结一种测试方法包含以下步骤：输入第一信号至存储器芯片；根据第一信号以使存储器芯片进入自刷新模式；根据第一信号输入激活命令，以测试存储器芯片，借以产生第一测试结果；调整第一信号的频宽以产生第二信号，借以输入至存储器芯片；根据第二信号以使存储器芯片进入自刷新模式；根据第二信号输入激活命令，以测试存储器芯片，借以产生第二测试结果；以及根据第一测试结果及第二测试结果以计算存储器芯片的自刷新率。本案提供一种测试方法及测试系统，借以于任意温度范围下计算存储器芯片的自刷新率，进而减少时间成本。技术研发人员：彭柏榕受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19