存储装置及其操作方法与流程

本发明涉及一种存储装置及其操作方法，尤其涉及一种具有三维结构的存储装置及其操作方法。

背景技术：

1、存储装置可以包括其中存储数据的存储单元阵列及配置成执行编程、读取或擦除操作的外围电路。

2、存储单元阵列可以包括多个存储块，并且多个存储块中的每一者均可以包括多个存储单元。

3、外围电路可以包括：控制电路，该控制电路响应于从外部控制器传输的命令而控制存储装置的整个操作；以及配置成在控制电路的控制下执行编程、读取或擦除操作的电路。

4、存储装置可以配置成响应于从控制器输出的命令而执行编程、读取或擦除操作。近来，为了增加存储装置的存储容量，编程操作采用多级单元方法进行，该方法将配置有多个位的数据存储在一个存储单元中。在多级单元方法的编程操作中，可以执行多个编程循环以将存储单元编程到不同目标电平。由于编程操作时间是执行多个编程所花费的时间，因此需要减少多个编程循环所需的时间以便减少存储装置的操作时间。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，一种存储装置包括：包括存储单元的存储块；电压发生器，所述电压发生器通过字线连接到所述存储单元，并且向所述字线施加编程电压或验证电压；多个页缓冲器，所述多个页缓冲器通过多条位线连接到所述存储单元，并且向所述多条位线施加编程允许电压或编程禁止电压；电流测量器，所述电流测量器根据从所述多条位线测得的感测电压输出所述多条位线的总电流值；以及逻辑电路，所述逻辑电路控制所述电压发生器和所述页缓冲器以根据所述总电流值计算禁止单元的数量，并且根据所述禁止单元的数量省略编程循环的验证操作或者执行编程循环的验证操作。

2、根据本公开的实施方式，一种操作存储装置的方法包括：向连接到被选存储单元的第一位线施加编程允许电压，并向连接到禁止单元的第二位线施加编程禁止电压；测量所述第一位线和所述第二位线的总电流值；根据所述总电流值确定验证模式；向连接到所述被选存储单元的字线施加编程电压；以及根据所述验证模式执行或省略所述被选存储单元的验证操作。

3、根据本公开的实施方式，一种操作存储装置的方法包括：对第一位线和第二位线当中的所述第一位线预充电；测量所述第一位线和所述第二位线的总电流值；通过将所述总电流值除以流过所述第一位线当中的一条位线的电流来计算值；通过将所述值乘以连接到所述第一位线和所述第二位线的存储单元能够具有的阈值电压分布的总数量来计算连接到所述第一位线的存储单元的数量。

技术特征：

1.一种存储装置，所述存储装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述页缓冲器将所述编程禁止电压施加到所述多条位线当中的与禁止单元连接的位线，并且将所述编程允许电压施加到所述多条位线当中的与除所述禁止单元以外的单元连接的位线。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述编程禁止电压设定为高于所述编程允许电压。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述电流测量器包括：

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述镜像电路包括：

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述栅极线连接到所述第一镜像开关与所述接地端子之间的第一节点。

7.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述第一镜像开关以及所述第二镜像开关由pmos晶体管来实现。

8.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述目标电路包括子电路，所述子电路并联连接到所述第二镜像开关与所述接地端子之间的第二节点。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述子电路中的每一者均包括串联连接在所述第二节点与所述接地端子之间的目标开关和检查开关。

10.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述目标开关连接在所述第二节点与所述检查开关之间，并且所述目标开关由响应于目标使能信号而导通或关断的nmos晶体管来实现。

11.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述目标使能信号选择性地施加到每个所述子电路中所包括的目标开关。

12.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述检查开关连接在所述目标开关与所述接地端子之间，并且所述检查开关由响应于检查使能信号而导通或关断的nmos晶体管来实现。

13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，每个所述子电路中所包括的检查开关响应于所述检查使能信号而同时导通或关断。

14.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述逻辑电路包括：

15.根据权利要求14所述的存储装置，其中，所述操作部件通过将所述总电流值除以施加所述编程禁止电压的一条位线的电流来计算值，并且通过将所述值乘以所述存储单元能够具有的阈值电压分布的总数量来输出所述禁止单元的数量。

16.根据权利要求14所述的存储装置，其中，所述操作部件在所述禁止单元的数量等于或小于所述被选参考数量时输出所述盲模式信号，并且在所述禁止单元的数量大于所述被选参考数量时输出所述正常模式信号。

17.一种操作存储装置的方法，所述方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述编程禁止电压设定为正电压，并且

19.根据权利要求17所述的方法，其中，测量所述总电流值的步骤以及施加所述编程允许电压或所述编程禁止电压的步骤同时执行。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，在将所述编程禁止电压施加到所述第二位线之后的预定时间之后执行测量所述总电流值的步骤。

21.根据权利要求17所述的方法，其中，根据所述总电流值确定验证模式的步骤包括以下步骤：

22.根据权利要求21所述的方法，其中，计算所述禁止单元的数量的步骤包括以下步骤：

23.根据权利要求21所述的方法，其中，确定所述验证模式的步骤包括以下步骤：

24.根据权利要求23所述的方法，其中，在执行或省略所述验证操作中，当所述禁止单元的数量等于或小于所述参考数量时，在所述当前编程循环中省略所述验证操作，并且当所述禁止单元的数量大于所述参考数量时，在所述当前编程循环中执行所述验证操作。

25.一种操作存储装置的方法，所述方法包括以下步骤：

26.根据权利要求25所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

27.根据权利要求26所述的方法，在确定所述盲时段时，当禁止单元的数量等于或小于参考数量时，设定所述盲时段，并且当所述禁止单元的数量大于所述参考数量时，省略所述盲时段。

技术总结本发明提供一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储块；页缓冲器，所述页缓冲器通过位线连接到存储单元，并且配置成向所述位线施加编程允许电压或编程禁止电压；电流测量器，所述电流测量器配置成根据从所述位线测得的感测电压输出所述位线的总电流值；以及逻辑电路，所述逻辑电路配置成控制所述电压发生器和所述页缓冲器以根据所述总电流值计算禁止单元的数量，并且根据所述禁止单元的数量省略编程循环的验证操作或执行编程循环的验证操作。技术研发人员：郑胜根受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19