存储器装置及操作存储器装置的方法与流程

本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及操作该存储器装置的方法，并且更具体地，涉及与编程操作的执行相关的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置可以包括存储数据的存储器单元阵列、被配置为执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路、以及被配置为控制外围电路的控制电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储块，多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。具有三维结构的存储器装置可以包括层叠在基板上的存储器单元。例如，在具有三维结构的存储器装置中，存储块可以包括从基板起沿垂直方向延伸的多个串，并且多个串中的每一个可以包括多个存储器单元。

3、在多个存储块当中的被选存储块的编程操作期间，可以对包括于被选存储块中的多个串当中的被选串中所包括的存储器单元进行编程。在对被选存储器单元进行编程时，需要禁止对未选串中所包括的存储器单元进行编程。未选串可以是包括要保持处于擦除状态的存储器单元或完成编程的存储器单元的串。在编程操作期间，为了防止或减轻未选串中所包括的未选存储器单元的阈值电压增加，可以将未选串的沟道层预充电为具有正电压的电位。例如，为了对未选串进行预充电，可以向连接至串的源极线施加预充电电压，并且为了将施加至源极线的预充电电压传送至串的沟道层，可以向源极选择线施加导通电压。这里，源极选择线可以是源极选择晶体管的栅极线，所述源极选择晶体管被配置为将施加到源极线的电压传送至串的沟道层或者阻断施加到源极线的电压到达串的沟道层。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括：串，其包括连接在源极线和位线之间的第一选择晶体管、存储器单元和第二选择晶体管；以及电压发生器，其被配置为向源极线提供预充电电压，并向连接到第一选择晶体管的栅极的第一选择线选择性地施加导通电压和负电压中的至少一种。电压发生器可以被配置为在对串的沟道层进行预充电的同时，向源极线施加预充电电压，在对串的沟道层进行预充电的第一时间期间向第一选择线施加导通电压，以及在对串的沟道层进行预充电的第二时间期间向第一选择线施加负电压。

2、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括：在第一时间期间向连接到第一选择晶体管的栅极的第一选择线施加导通电压，以便对包括第一选择晶体管、第二选择晶体管以及连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的存储器单元的串进行预充电；在第二时间期间向第一选择线施加负电压，以对串进行预充电；以及在对串进行预充电时，向连接到存储器单元的栅极的字线当中的被选字线施加编程电压。

3、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括：将编程循环数量与参考数量进行比较；当编程循环数量小于参考数量时，通过向连接到串中所包括的第一选择晶体管、第二选择晶体管以及连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的存储器单元当中的第一选择晶体管的栅极的第一选择线施加导通电压，来对串进行预充电；以及当编程循环数量等于或大于参考数量时，通过在第一时间期间向第一选择线施加导通电压以及在第二时间期间施加负电压，对串进行预充电。

4、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括：将被选页编号与参考页编号进行比较；当被选页编号小于参考页编号时，通过向连接到串中所包括的第一选择晶体管、第二选择晶体管以及连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的存储器单元当中的第一选择晶体管的栅极的第一选择线施加导通电压，来对串进行预充电；以及当被选页编号等于或大于参考页编号时，通过在第一时间期间向第一选择线施加导通电压以及在第二时间期间施加负电压，对串进行预充电。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述导通电压被设置为高于所述存储器单元的阈值电压的正电压。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压，然后在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压，然后在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二时间被设置为比所述第一时间长。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二时间被设置为是所述第一时间的至少两倍长。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压或所述负电压的同时，向连接到所述第二选择晶体管的栅极的第二选择线施加所述导通电压。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压或所述负电压的同时，向连接到所述第二选择晶体管的栅极的第二选择线施加所述导通电压或所述负电压。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压或所述负电压的同时，向连接到所述存储器单元的栅极的字线施加0v电压和低于0v的负电压中的一种。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，向所述字线施加的所述负电压等于向所述第一选择线施加的所述负电压。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，向所述字线施加的所述负电压被设置为在向所述第一选择线施加的所述负电压与0v电压之间的电压。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压的同时向连接到所述存储器单元的栅极的字线施加通过电压，以及在向所述第一选择线施加所述负电压的同时向所述字线施加0v电压和所述负电压中的一种。

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述位线是未选位线时，在对所述沟道层进行预充电的同时向所述位线施加所述预充电电压。

14.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述位线是被选位线时，在对所述沟道层进行预充电的同时向所述位线施加0v电压。

15.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在对所述沟道层进行预充电之后向所述第一选择线施加0v电压。

16.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述预充电电压被生成为高于0v的正电压。

17.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述导通电压被设置为高于0v的正电压，使得电子通过所述第一选择晶体管移动到所述串的沟道。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述负电压被设置为低于0v的电压，使得空穴从所述第一选择晶体管移动到所述串的沟道。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，在施加所述导通电压之后执行施加所述负电压。

21.根据权利要求17所述的方法，其中，在施加所述负电压之后执行施加所述导通电压。

22.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二时间被设置为比所述第一时间长。

23.根据权利要求17所述的方法，其中，在向所述第一选择线施加所述导通电压和所述负电压中的一种的同时，向连接到所述第二选择晶体管的栅极的第二选择线施加所述导通电压。

24.根据权利要求17所述的方法，其中，在向所述第一选择线施加所述导通电压和所述负电压中的一种的同时，向连接到所述第二选择晶体管的栅极的第二选择线施加所述导通电压和所述负电压中的一种。

25.根据权利要求17所述的方法，其中，在向所述第一选择线施加所述导通电压或所述负电压的同时，向连接到所述存储器单元的栅极的字线施加0v电压或负电压。

26.根据权利要求17所述的方法，其中，在向所述第一选择线施加所述导通电压的同时向连接到所述存储器单元的栅极的字线施加通过电压，以及在向所述第一选择线施加所述负电压的同时向所述字线施加0v电压和负电压中的一种。

27.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

28.根据权利要求27所述的方法，其中，当所述编程循环数量等于或大于所述参考数量时，在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压之后，在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压。

29.根据权利要求27所述的方法，其中，当所述编程循环数量等于或大于所述参考数量时，在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压之后，在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压。

30.根据权利要求27所述的方法，其中，所述导通电压被设置为高于所述存储器单元的阈值电压的正电压。

31.根据权利要求27所述的方法，其中，所述第二时间被设置比所述第一时间长。

32.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

33.根据权利要求32所述的方法，其中，当所述被选页编号等于或大于所述参考页编号时，在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压之后，在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压。

34.根据权利要求32所述的方法，其中，在所述被选页编号等于或大于所述参考页编号时，在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压之后，在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压。

技术总结本技术包括存储器装置及操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：串，其包括连接在源极线和位线之间的第一选择晶体管、存储器单元和第二选择晶体管；以及电压发生器，其被配置为向源极线提供预充电电压，并向连接到第一选择晶体管的栅极的第一选择线选择性地施加导通电压或负电压。电压发生器被配置为在对串的沟道层进行预充电的同时，向源极线施加预充电电压，在对串的沟道层进行预充电的第一时间期间向第一选择线施加导通电压，以及在对串的沟道层进行预充电的第二时间期间向第一选择线施加负电压。技术研发人员：许惠银,刘泫昇受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19