半导体芯片的制作方法

本发明涉及半导体芯片。

背景技术：

1、近年来，对智能移动设备和可穿戴设备的需求迅速增加，并且需要降低这些设备的功耗。众所周知，通过降低半导体芯片的电压可以有效地降低设备的功耗。

2、公开了以下列出的技术。

3、[专利文献1]日本特开2011/258270号专利。

4、大量的静态随机存取存储器(sram)被安装在半导体芯片上。由于sram特性的变化，很难在低电压下操作sram。为了在低电压下操作sram，已建议执行读取辅助或写入辅助(例如参见专利文献1)。

技术实现思路

1、读取辅助量和写入辅助量通常被设计为与电源电压成比例。另一方面，众所周知，当sram的电源电压降低时，所需的读取辅助量和所需的写入辅助量增加。因此，当sram的电源电压通过动态控制(动态电压和频率缩放(dvfs))改变时，由于在电源电压处于高电压范围内的状态下，读取辅助量和写入辅助量过大，因此存在写入时功率损耗增加、读取速率降低以及写入时未选定单元中的数据破坏风险增加的问题。

2、其它问题和新颖特征将从本说明书的描述和附图中变为明显。

3、根据一个实施例，半导体芯片是其上安装有多个静态随机存取存储器(sram)宏的半导体芯片，每个宏包括存储器单元阵列、输入/输出电路、字线驱动器和控制电路，并且每个sram宏包括确定电路，被布置在控制电路中并且被配置为基于sram宏的电源电压，生成用于确定读取辅助量和写入辅助量的模式信号；以及辅助电路，被配置为基于由确定块生成的模式信号来执行读取辅助操作和写入辅助操作。

4、根据该实施例，当sram的电源电压被动态控制时，可以防止功率损耗的增加，可以防止速度的降低，并且可以降低数据破坏的风险。

技术特征：

1.一种半导体芯片，所述半导体芯片上安装有多个静态随机存取存储器(sram)宏，每个静态随机存取存储器(sram)宏包括存储器单元阵列、输入/输出电路、字线驱动器和控制电路，

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，

5.根据权利要求2所述的半导体芯片，

6.根据权利要求2所述的半导体芯片，

技术总结各自包括存储器单元阵列、输入/输出电路、字线驱动器和控制电路的多个SRAM宏被安装在半导体芯片上。每个SRAM宏包括：确定块，被布置在控制电路中并且被配置为基于SRAM宏的电源电压来生成用于确定读取辅助量和写入辅助量的模式信号；以及辅助电路，基于由确定块生成的模式信号来执行读取辅助操作和写入辅助操作。技术研发人员：北形大树,佐藤康治,佐野聪明受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/20