存储器装置及其操作方法与流程

本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置可基于可根据存储器单元的位置和特性而不同的读条件集来执行优化的读操作。

背景技术：

1、存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、易失性存储器装置是在向存储器装置供电的同时存储数据的装置。当存储器装置的电源中断或切断时，易失性存储器装置丢失所存储的数据。易失性存储器包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)等。

3、非易失性存储器装置是即使电源被切断时也不丢失数据的装置。非易失性存储器包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存等。

4、存储器装置可在感测存储器单元的阈值电压分布的同时执行编程操作。在编程期间，存储器装置可通过根据通道的位置和存储器单元与地址解码器的分离距离在不同时间期间对存储器单元执行感测操作来改进阈值电压分布。

技术实现思路

1、本公开的实施方式提供了一种具有改进的感测和编程性能的存储器装置和操作这种存储器装置的方法。

2、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括多个存储器单元、读写电路和编程控制器。多个存储器单元可连接到穿过多条字线的多个通道。读写电路可对多个存储器单元当中的连接到所选字线的所选存储器单元执行感测操作。编程控制器可控制读写电路在不同设定的感测时间段期间对所选存储器单元当中的第一存储器单元和第二存储器单元执行感测操作。第一存储器单元可连接到通过多个狭缝分离的多个通道当中的与多个狭缝相邻的第一通道。第二存储器单元可连接到比第一通道更远离多个狭缝的第二通道。

3、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可包括以下步骤：在第一时间段期间对连接到远离多个狭缝的第一通道的第一存储器单元执行感测操作；在不同于第一时间段的第二时间段期间对连接到比第一通道更远离多个狭缝的第二通道的第二存储器单元执行感测操作。第一通道和第二通道穿过多条字线并且根据与多个狭缝的距离来区分。

4、根据本技术，提供了一种感测性能和编程性能改进的存储器装置及其操作方法。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，针对所述第一存储器单元的感测时间段比针对所述第二存储器单元的感测时间段短，

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的编程操作期间，所述编程控制器控制所述读写电路将第一位线电压施加到与所述第一存储器单元连接的第一位线并且将第二位线电压施加到与所述第二存储器单元连接的第二位线，并且

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一位线电压小于所述第二位线电压。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述读写电路将位线电压施加到所述第一位线，该位线电压小于在先前编程循环期间施加到所述第一位线的位线电压。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器单元包括根据与地址解码器的相对距离来区分的第一近存储器单元和第一远存储器单元，并且

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述编程控制器控制所述读写电路在比针对所述第二存储器单元和所述第一近存储器单元的感测时间段短的感测时间段期间对所述第一远存储器单元执行感测操作。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述编程控制器在对所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的编程操作期间将位线电压施加到与所述第一存储器单元连接的第一位线并将位线电压施加到与所述第二存储器单元连接的第二位线，并且

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述编程控制器在所述编程操作期间将不同的位线电压施加到所述第一位线当中的连接到所述第一近存储器单元的第三位线和连接到所述第一远存储器单元的第四位线。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述读写电路在所述编程操作期间将小于所述第二位线的位线电压的位线电压施加到所述第一位线并且将小于所述第三位线的位线电压的位线电压施加到所述第四位线。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，随着编程循环进行，所述读写电路将小于先前编程循环的位线电压的位线电压施加到所述第三位线和所述第四位线。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个狭缝包括彼此相邻的第一目标狭缝和第二目标狭缝，

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个狭缝包括彼此相邻的第一目标狭缝和第二目标狭缝，

14.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一时间段比所述第二时间段短。

16.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，施加所述不同的位线电压的步骤包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，施加所述第一位线电压的步骤包括以下步骤：随着编程循环被执行，减小所述第一位线电压的大小。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个狭缝包括彼此相邻的第一目标狭缝和第二目标狭缝，

20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个狭缝包括彼此相邻的第一目标狭缝和第二目标狭缝，

技术总结本申请涉及存储器装置及其操作方法。本技术涉及电子装置。根据本技术，存储器装置可包括多个存储器单元、读写电路和编程控制器。多个存储器单元可连接到穿过多条字线的多个通道。编程控制器可控制读写电路在不同设定的感测时间段期间对多个存储器单元当中的第一存储器单元和第二存储器单元执行感测操作。第一存储器单元可连接到通过多个狭缝分离的多个通道当中的与多个狭缝相邻的第一通道。第二存储器单元可连接到比第一通道距多个狭缝更远的第二通道。技术研发人员：辛弦燮,郭东勋受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27