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非易失性存储器装置和存储装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 20:00:00

本公开大体上涉及一种存储器装置,并且更具体地,涉及一种包括子块的非易失性存储器装置和一种包括该非易失性存储器装置的存储装置。

背景技术:

1、非易失性存储器装置可需要满足各种类型的功耗规范和/或根据各种类型的功耗规范来设计。例如,当非易失性存储器装置被用在移动装置(例如,移动电话、智能电话、平板计算机、膝上型计算机、可穿戴式装置、物联网(iot)装置等)中时,峰值功率可以是非易失性存储器装置的限制因素。可替换地或附加地,当非易失性存储器装置被用在存储装置(例如,固态驱动器(ssd)等)中时,根据功率规范,最大功耗可以是限制因素。然而,相关的非易失性存储器装置的功耗可能由于移动装置和/或存储装置的吞吐量的增加而倾向于增加。因此,相关的非易失性存储器装置的一些操作可能被禁用以满足功率约束,并且因此,移动装置和/或存储装置的性能可能劣化。

2、由于对增加的吞吐量的需要可能受到功耗的限制,因此需要进一步改进非易失性存储器装置。在本文呈现了改进。这些改进也可以应用于其它存储器装置和/或其它半导体装置。

技术实现思路

1、本公开提供了能够潜在地提高性能并控制功耗的非易失性存储器装置和存储装置。

2、根据本公开的一方面,提供了一种存储装置。该存储装置包括:非易失性存储器,其包括多个块,多个块中的每个块包括多个独立可擦除的子块。该存储装置还包括:存储控制器,其被配置为从包括第一子块擦除模式和第二子块擦除模式的多个擦除模式中选择擦除模式,并且根据选择的擦除模式来控制非易失性存储器的擦除操作。存储控制器还被配置为根据非易失性存储器的操作调度和功耗中的至少一个来选择选择的擦除模式。基于选择的擦除模式是第一子块擦除模式,存储控制器被配置为控制针对多个块中的选择的块的多个独立可擦除的子块中的一个选择的子块的第一擦除操作。基于选择的擦除模式是第二子块擦除模式,存储控制器被配置为控制针对选择的块的多个独立可擦除的子块中的两个或更多个选择的子块的第二擦除操作。

3、根据本公开的一方面,提供了一种存储装置。该存储装置包括:多个非易失性存储器,多个非易失性存储器中的每个非易失性存储器包括多个块,多个块中的每个块包括多个独立可擦除的子块。该存储装置还包括:存储控制器,其被配置为根据多个非易失性存储器的操作调度和功耗中的至少一个,针对多个非易失性存储器中的每个非易失性存储器选择相应的擦除模式,并且根据相应的擦除模式,针对多个非易失性存储器中的每个非易失性存储器,控制该非易失性存储器的擦除操作。该存储控制器还被配置为:基于功耗大于或等于阈值,选择子块擦除模式作为多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的相应的擦除模式,以及基于子块擦除模式是至少一个非易失性存储器的相应的擦除模式,控制针对多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的多个独立可擦除的子块中的至少一个子块的擦除操作。

4、根据本公开的一方面,提供了一种非易失性存储器装置。该非易失性存储装置包括:存储器单元阵列,其包括多个块,多个块中的每个块包括在竖直方向上堆叠在衬底上方的多个存储器堆叠件。该非易失性存储器装置还包括:擦除模式选择器,其被配置为基于从存储控制器接收的命令从多个擦除模式中选择擦除模式,以及根据选择的擦除模式控制针对存储器单元阵列的擦除操作。基于选择的擦除模式是块擦除模式,对多个块中的选择的块执行擦除操作。基于擦除模式是第一子块擦除模式,对选择的块的多个存储器堆叠件中的一个执行擦除操作。基于擦除模式是第二子块擦除模式,对选择的块的多个存储器堆叠件中的两个或更多个存储器堆叠件执行擦除操作。

5、附加方面将在以下的描述中部分地阐明,并且在部分上从该说明可以显而易见,和/或可以通过实践所呈现的实施例而被认识到。

技术特征:

1.一种存储装置,包括:

2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述多个擦除模式还包括块擦除模式,并且所述存储控制器还被配置为:

3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储控制器还被配置为执行以下操作中的至少一个:

4.根据权利要求1所述的存储装置,其中:

5.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述第一子块擦除模式和所述第二子块擦除模式与低功率模式相对应。

6.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述多个擦除模式还包括块擦除模式,并且所述存储控制器还被配置为:

7.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述多个擦除模式还包括块擦除模式,并且所述存储控制器还被配置为:

8.根据权利要求7所述的存储装置,其中,所述功耗包括所述存储装置的功耗、所述非易失性存储器的功耗、所述非易失性存储器的当前功耗以及所述非易失性存储器的未来功耗中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的存储装置,其中:

10.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储控制器还被配置为:

11.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储控制器还被配置为:

12.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储控制器还被配置为:

13.一种存储装置,包括:

14.根据权利要求13所述的存储装置,其中,所述存储控制器还被配置为:

15.根据权利要求13所述的存储装置,其中,所述多个非易失性存储器包括多个存储器芯片、多个存储器裸片和多个存储器平面中的至少一个。

16.根据权利要求13所述的存储装置,其中,所述存储控制器还被配置为:

17.根据权利要求15所述的存储装置,其中:

18.一种非易失性存储器装置,包括:

19.根据权利要求18所述的非易失性存储器装置,其中,所述命令包括以下各项中的至少一个:

20.根据权利要求18所述的非易失性存储器装置,其中:

技术总结提供了一种存储装置和一种非易失性存储器装置。该存储装置包括:至少一个非易失性存储器,该非易失性存储器包括多个块,多个块中的每个块包括多个独立可擦除的子块。该存储装置还包括:存储控制器,该存储控制器被配置为根据非易失性存储器的操作调度和功耗中的至少一个从多个擦除模式中选择擦除模式,并根据选择的擦除模式控制非易失性存储器的擦除操作。基于选择的擦除模式是第一子块擦除模式,存储控制器控制针对选择的块的一个选择的子块的擦除操作。基于选择的擦除模式是第二子块擦除模式,存储控制器控制针对选择的块的两个或更多个选择的子块的擦除操作。技术研发人员:吴银珠,慎钒揆受保护的技术使用者:三星电子株式会社技术研发日:技术公布日:2024/6/5

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