存储器装置和操作该存储器装置的方法与流程

本公开总体上涉及一种存储器装置及其操作方法，更具体地，涉及该存储器装置的编程操作。

背景技术：

1、存储器装置可形成为存储器串水平布置在半导体基板上的二维结构或存储器串垂直层叠在半导体基板上的三维结构。具有三维结构的存储器装置是为了解决具有二维结构的存储器装置的集成度极限而设计的存储器装置，并且可包括在半导体基板上沿垂直方向层叠的多个存储器单元。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：存储块，其包括分别与多条字线对应的多个页；外围电路，其被配置为在编程操作期间将操作电压施加到多条字线并且将多条字线依次放电或同时放电；以及控制逻辑，其被配置为在编程操作期间控制外围电路基于多个页当中的所选页是否被包括在弱页组中来将多条字线依次放电或同时放电。

2、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法包括以下步骤：将编程电压和验证电压依次施加到与分别与多条字线对应的多个页当中的所选页对应的所选字线；确定所选页是否被包括在弱页组中；当所选页被包括在弱页组中时，将多条字线依次放电；以及当所选页不被包括在弱页组中时，将多条字线同时放电。

3、根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：存储块，其包括分别与多条字线对应的多个页；外围电路，其被配置为在编程操作期间通过依次执行包括编程电压施加操作、验证电压施加操作和字线放电操作的多个编程循环来对存储块进行编程；以及控制逻辑，其被配置为基于在编程操作期间当前正执行的编程循环是否对应于多个编程状态当中的设定编程状态，在字线放电操作期间控制外围电路将多条字线依次放电或将多条字线同时放电。

4、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法包括以下步骤：对分别与多条字线对应的多个页当中的所选页执行包括编程电压施加操作、验证电压施加操作和字线放电操作的编程循环；确定编程循环是否对应于多个编程状态当中的设定编程状态；以及当编程循环对应于设定编程状态时，执行下一编程循环，并且在下一编程循环的字线放电操作期间将多条字线依次放电。

5、根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：存储块，其包括分别与多条字线对应的多个页；外围电路，其被配置为在编程操作期间通过依次执行包括编程电压施加操作、验证电压施加操作和字线放电操作的多个编程循环来对存储块进行编程；以及控制逻辑，其被配置为对执行编程循环的次数进行计数，并且基于编程循环的计数次数在字线放电操作期间控制外围电路将多条字线依次放电或同时放电。

6、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法包括以下步骤：对分别与多条字线对应的多个页当中的所选页执行包括编程电压施加操作、验证电压施加操作和字线放电操作的编程循环；对直至前一次执行的编程循环的执行次数进行计数，并且对所计数的编程循环的执行次数与设定次数进行比较；以及当所计数的编程循环的执行次数超过设定次数时，执行下一编程循环，并且在下一编程循环的字线放电操作期间将多条字线依次放电。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路至少一次或更多次在所述编程操作期间执行用于对所述所选页依次执行编程电压施加操作、验证电压施加操作和字线放电操作的编程循环。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括放电控制器，并且

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个页被分成多个页组，并且所述多条字线被分成与相应的所述多个页组对应的多个字线组。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述依次放电方法将所述多条字线中的每一条依次放电或者将所述多个字线组依次放电。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述放电控制器包括弱页确定器，并且该弱页确定器确定正执行所述编程操作的所述所选页是否被包括在所述弱页组中。

7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述弱页组是所述多个页组当中的任一组，并且

8.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述弱页组是所述多个页组当中的包括其中一个存储器单元的沟道宽度相对小于另一存储器单元的另一沟道宽度的存储器单元的页组。

9.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个页被分成多个页组，并且所述多条字线被分成与相应的所述多个页组对应的多个字线组。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述多条字线依次放电的步骤包括以下步骤：将所述多条字线中的每一条依次放电或者针对各个组将所述多个字线组依次放电。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述弱页组是所述多个页组当中的任一组，并且

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述弱页组是所述多个页组当中的包括其中一个存储器单元的沟道宽度相对小于另一存储器单元的另一沟道宽度的存储器单元的页组。

14.一种存储器装置，该存储器装置包括：

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑在当前正执行的所述编程循环对应于所述多个编程状态当中的所述设定编程状态时控制所述外围电路在所述字线放电操作期间将所述多条字线依次放电，并且在当前正执行的所述编程循环对应于所述多个编程状态当中的除了所述设定编程状态之外的剩余编程状态时控制所述外围电路在所述字线放电操作期间将所述多条字线同时放电。

16.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括放电控制器，并且

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述放电控制器包括验证操作确定器，并且

18.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述多个页被分成多个页组，并且所述多条字线被分成与相应的所述多个页组对应的多个字线组。

19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中，将所述多条字线依次放电包括：将所述多条字线中的每一条依次放电或者将所述多个字线组依次放电。

20.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述设定编程状态是所述多个编程状态当中的阈值电压分布最高的至少一个编程状态。

21.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

22.根据权利要求21所述的方法，该方法还包括以下步骤：

23.根据权利要求21所述的方法，其中，确定所述编程循环是否对应于所述设定编程状态的步骤包括以下步骤：在所述编程循环的所述验证电压施加操作期间使用的至少一个验证电压对应于所述设定编程状态时，确定所述编程循环对应于所述设定编程状态。

24.根据权利要求21所述的方法，其中，所述设定编程状态是所述多个编程状态当中的阈值电压分布最高的至少一个编程状态。

25.根据权利要求21所述的方法，其中，所述多个页被分成多个页组，并且所述多条字线被分成与相应的所述多个页组对应的多个字线组。

26.根据权利要求25所述的方法，其中，在所述字线放电操作期间将所述多条字线依次放电的步骤包括以下步骤：将所述多条字线中的每一条依次放电或者针对各个组将所述多个字线组依次放电。

27.一种存储器装置，该存储器装置包括：

28.根据权利要求27所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑在所计数的编程循环的次数超出设定次数时控制所述外围电路在所述字线放电操作期间将所述多条字线依次放电，并且在所计数的编程循环的次数等于或小于所述设定次数时控制所述外围电路在所述字线放电操作期间将所述多条字线同时放电。

29.根据权利要求27所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括放电控制器，并且该放电控制器对所执行的编程循环的次数进行计数，并且基于所计数的编程循环的次数在所述字线放电操作期间控制放电。

30.根据权利要求27所述的存储器装置，其中，所述多个页被分成多个页组，并且所述多条字线被分成与相应的所述多个页组对应的多个字线组。

31.根据权利要求30所述的存储器装置，其中，将所述多条字线依次放电的步骤包括以下步骤：将所述多条字线中的每一条依次放电或者将所述多个字线组依次放电。

32.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

33.根据权利要求32所述的方法，该方法还包括以下步骤：

34.根据权利要求32所述的方法，其中，所述多个页被分成多个页组，并且所述多条字线被分成与相应的所述多个页组对应的多个字线组。

35.根据权利要求34所述的方法，其中，在所述字线放电操作期间将所述多条字线依次放电的步骤包括以下步骤：将所述多条字线中的每一条依次放电或者针对各个组将所述多个字线组依次放电。

技术总结实施方式涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：存储块，其包括分别与多条字线对应的多个页；外围电路，其被配置为在编程操作期间将操作电压施加到多条字线并将多条字线依次放电或同时放电；以及控制逻辑，其被配置为在编程操作期间基于多个页当中的所选页是否被包括在弱页组中来控制外围电路将多条字线依次放电或同时放电。技术研发人员：崔永焕受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5