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多存储器现场自修复选项的管理的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:59:55

本申请涉及多存储器现场自修复选项的管理。

背景技术:

1、集成电路(ic)通常包含组合以执行各种功能的各种模块。例如,数字信号处理器(dsp)包含嵌入在ic中的处理器和存储器块。对包含多个可寻址存储器位置的存储器块进行缺陷测试,以确保ic的可操作性。为了测试这些块,特殊的测试电路(称为“内置自测试”(bist)电路)被并入ic中。bist电路产生测试型式以确定存储器块是否有缺陷。在一些情况下,电路提供冗余行和/或列,其用于重新配置存储器以使用冗余行和/或列而不是存储器块中的缺陷行和/或列。重新配置存储器以使用冗余行和/或列而不是有缺陷的行和/或列的过程称为物理存储器修复。

2、电子熔丝(例如,efuse或fuserom)组件也用于存储器修复。电子熔丝组件存储修复数据或修复签名以识别并修复存储器块的缺陷元件。电子熔丝组件的数目与被测存储器块数目之和直接相关。随着现代片上系统(soc)产品中存储器块的不断增加,在制造测试期间存储器修复对于改进产量至关重要,且使用错误校正码(ecc)容忍错误已成为改进这些现场存储器块在功能操作期间可靠性的普遍方法。ecc的已知实施方案涉及将额外签名与存储器数据一起存储,其中签名满足与数据的特定数学方程。在每次存储器读取时,读取数据和签名两者,并评估读取数据的数学方程。将评估的签名与经读取以检测和校正数据中的错误的存储的签名进行比较。签名位的数目和/或所使用的数学方程确定可检测和/或校正的错误的数目。用ecc校正存储器中的错误的过程称为逻辑存储器修复。正在努力平衡ic占用面积大小、存储器测试和修复效率以及存储器修复灵活性。

技术实现思路

1、根据本发明的至少一个实例,一种系统包括处理器和耦合到所述处理器的存储器组。所述系统还包括耦合到所述存储器组的存储器修复电路。所述存储器修复电路包括第一修复电路和第二修复电路。所述存储器修复电路还包括测试控制器,所述测试控制器经配置以在所述第一修复电路与所述第二修复电路之间进行选择以执行所述存储器组的现场自修复。

2、根据本发明的至少一个实例,一种装置包括存储器组和耦合到所述存储器组的存储器修复电路。所述存储器修复电路包括测试电路、错误掩码电路和递增修复电路。所述存储器修复电路还包括耦合到所述测试电路、所述错误掩码电路和所述递增修复电路的测试控制器。所述测试控制器经配置以在所述错误掩码电路与所述递增修复电路之间进行选择以执行所述存储器组的现场自修复。

3、根据本发明的至少一个实例,一种片上系统(soc)包括具有多个不同存储器单元的存储器组,不同存储器单元中的每一者具有其自身的修复架构。所述soc还包括耦合到所述存储器组的存储器修复电路。所述存储器修复电路包括测试电路,所述测试电路经配置以:为所述存储器组内的不同存储器单元中的每一者提供本地通过/失败确定,提供数据字的错误校正码(ecc)感知区域化,以及提供ecc感知错误掩蔽。所述存储器修复电路还包括修复电路,所述修复电路经配置以修复所述存储器组的现场自修复。所述存储器修复电路还包括耦合到所述测试电路和所述修复电路的测试控制器,其中所述测试控制器经配置以选择性地启用和停用所述修复电路。

技术特征:

1.一种电路,其包括:

2.根据权利要求1所述的电路,其中:

3.根据权利要求2所述的电路,其进一步包括:

4.根据权利要求2所述的电路,其进一步包括:

5.根据权利要求1所述的电路,其进一步包括:

6.根据权利要求1所述的电路,其中:

7.根据权利要求1所述的电路,其中:

8.根据权利要求1所述的电路,其中:

9.根据权利要求8所述的电路,其中:

10.根据权利要求9所述的电路,其中:

11.一种方法,其包括:

12.根据权利要求11所述的方法,其中:

13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:

14.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:

15.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括:

16.根据权利要求11所述的方法,其中:

17.根据权利要求11所述的方法,其中:

18.根据权利要求11所述的方法,其中:

19.根据权利要求18所述的方法,其中:

20.根据权利要求19所述的方法,其中:

技术总结本申请涉及多存储器现场自修复选项的管理。本发明揭示一种系统(100),其包含处理器(102)和耦合到所述处理器(102)的存储器组(130)。所述系统(100)还包含耦合到所述存储器组(130)的存储器修复电路(110)。所述存储器修复电路(130)包含第一修复电路(116)和第二修复电路(118)。所述存储器修复电路(110)还包含测试控制器(114),其经配置以在所述第一修复电路(116)与所述第二修复电路(118)之间进行选择以执行所述存储器组(130)的现场自修复。技术研发人员:德瓦纳坦·瓦拉达拉简,瓦伦·辛格受保护的技术使用者:德州仪器公司技术研发日:技术公布日:2024/6/5

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