用于执行盲编程操作的半导体存储器装置及其操作方法与流程

本公开的各种实施方式涉及半导体存储器装置的编程，更具体地，涉及一种用于执行盲编程操作的半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置可具有串水平布置在半导体基板上的二维(2d)结构。另选地，存储器装置可具有串垂直层叠在半导体基板上的三维(3d)结构。随着具有2d结构的存储器装置一定程度上已达到其物理缩放极限(即，集成度极限)，已生产了包括垂直层叠在半导体基板上的多个存储器单元的3d存储器装置。

2、在对所选存储器单元的编程操作期间，可对所选存储器单元执行多个编程循环。各个编程循环可包括向联接到所选存储器单元的字线施加编程电压的步骤以及感测所选存储器单元的相应阈值电压是否高于验证电压的验证步骤。盲编程操作的特征在于，在一些编程循环中跳过上述验证步骤。在验证操作被确定为不必要的一些编程循环中跳过验证步骤，因此改进总体编程速度。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可提供一种操作半导体存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：对选为编程目标的页中所包括的多个存储器单元当中的具有多个编程状态当中的第n编程状态作为目标编程状态的第一存储器单元执行至少一个正常编程循环；以及对第一存储器单元执行至少一个盲编程循环。在执行至少一个盲编程循环时，存储在联接到第一存储器单元的第一页缓冲器的数据锁存器中并且与第n编程状态对应的目标数据图案可改变为与多个编程状态当中的低于第n编程状态的第一编程状态对应的第一数据图案，并且其中，n是等于或大于2的自然数。

2、本公开的实施方式可提供一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置可包括多个存储器单元、多个页缓冲器和控制逻辑。多个存储器单元中的每一个可存储m比特。多个页缓冲器可分别通过位线联接到多个存储器单元，并且可被配置为执行编程操作，使得多个存储器单元当中的各个所选存储器单元的阈值电压被包括在擦除状态和第一至第(2m-1)编程状态当中的对应编程状态中。控制逻辑可被配置为控制多个页缓冲器当中的联接到与第(2m-1)编程状态对应的第一存储器单元的第一页缓冲器，使得在通过多个页缓冲器执行编程操作时，对第一存储器单元执行正常编程循环，并且使得在执行正常编程循环之后，对第一存储器单元执行盲编程循环，其中，m是等于或大于2的自然数。

技术特征：

1.一种操作半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述至少一个正常编程循环时，所述第一页缓冲器的所述数据锁存器存储与所述第n编程状态对应的所述目标数据图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一存储器单元的验证操作在所述正常编程循环中执行，并且不在所述盲编程循环中执行。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述至少一个盲编程循环的步骤包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，更新存储在所述第一页缓冲器中的值的步骤包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的方法，该方法还包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括以下步骤：

8.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，重新更新存储在所述第一页缓冲器中的值的步骤包括以下步骤：

10.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

11.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，

13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，对所述第一存储器单元的验证操作在所述正常编程循环中执行，并且不在所述盲编程循环中执行。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元执行第一盲编程循环之后，所述第一页缓冲器将存储在所述数据锁存器中的所述第一数据图案改变为第二数据图案。

15.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，

16.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，其中，所述第二数据图案是与所述第一编程状态至所述第(2m-1)编程状态当中的第二编程状态对应的数据图案。

17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，在对所述第一存储器单元执行第二盲编程循环之后，所述第一页缓冲器将存储在所述数据锁存器中的所述第二数据图案改变为第三数据图案。

18.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，

19.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，所述第三数据图案是与所述第一编程状态至所述第(2m-1)编程状态当中的第三编程状态对应的数据图案。

20.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述第一页缓冲器，使得当所述第一存储器单元的阈值电压低于参考电压时，对所述第一存储器单元执行正常编程循环，并且当所述第一存储器单元的所述阈值电压高于所述参考电压时，对所述第一存储器单元执行盲编程循环。

21.根据权利要求20所述的半导体存储器装置，其中，所述参考电压是用于验证所述第一编程状态至所述第(2m-1)编程状态当中的第(2m-2)编程状态的验证电压。

技术总结本申请涉及用于执行盲编程操作的半导体存储器装置及其操作方法。本文可提供一种半导体存储器装置及其操作方法。通过该方法，可对包括在选为编程目标的页中的多个存储器单元当中的具有多个编程状态当中的第N编程状态作为目标编程状态的第一存储器单元执行至少一个正常编程循环，并且可对第一存储器单元执行至少一个盲编程循环。在执行至少一个盲编程循环时，存储在联接到第一存储器单元的第一页缓冲器的数据锁存器中并且与第N编程状态对应的目标数据图案可改变为与低于第N编程状态的第一编程状态对应的第一数据图案，并且其中，N是等于或大于2的自然数。技术研发人员：辛弦燮,郭东勋,文映朝受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/26