用于FINFET感测放大器的装置及方法与流程

本发明大体上涉及存储器装置领域。更具体来说，本公开的实施例涉及非平面晶体管及用于制造存储器装置中的非平面晶体管的技术。

背景技术：

1、本章节希望向读者介绍可与在下文描述及/或主张的本发明的各种方面有关的技术的各种方面。据信，此论述有助于向读者提供背景信息以促进更好地理解本发明的各种方面。因此，应了解，这些陈述应在此意义上阅读而非作为现有技术的认可。

2、存储器装置广泛用于存储与各种电子装置相关的信息，所述电子装置例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者。存储器装置频繁作为内部存储器、集成电路及/或外部可移除装置提供于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器，包含随机存取存储器(ram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等需要经施加电力的源来维持其数据。相比之下，非易失性存储器即使在没有从外部供电的情况下也可留存其所存储数据。非易失性存储器可用于多种技术，包含快闪存储器(例如，nand及nor)、相变存储器(pcm)、铁电随机存取存储器(feram)、电阻式随机存取存储器(rram)及磁随机存取存储器(mram)等。

3、存储器装置可包含数个存储元件，例如存储器单元。二进制存储器装置的存储器单元可例如包含充电或放电电容器。然而，存储器单元的充电电容器可随着时间的推移通过泄漏电流放电，从而导致所存储信息的丢失。易失性存储器的某些特征可提供性能优势，例如更快读取或写入速度，而非易失性存储器的特征(例如在不周期性刷新的情况下存储数据的能力)可为有利的。一些存储器装置包含可通过导通将存储器单元(例如，电容器)与字线或位线/数字线耦合的晶体管来存取的存储器单元。不同存储器装置可使用不同架构来布置存储器单元。例如，不同存储器装置可将存储器单元布置成2维或3维行及列。可基于激活对应于存储器单元的存储器装置的行及列来存取存储器单元。

4、感测放大器(sa)可由存储器装置在读取操作期间使用。具体来说，存储器装置的读取电路系统利用感测放大器来接收低电压(例如，低差分)信号且放大小电压差，以使存储器装置能够正确地解译数据。感测放大器可包含形成在集成电路(ic)芯片上的多个装置(例如，隔离栅极、pmos感测放大器(psa)、nmos感测放大器(nsa))。鳍片场效应晶体管(finfet)通常围绕大体上垂直于衬底延伸的鳍片(例如，高、薄的半导体部件)构建。通常，栅极通过在鳍片的一侧共形地向上延伸而越过顶部且在鳍片的另一侧共形地向下延伸来横穿鳍片。通常，源极及漏极位于鳍片中的栅极的相对侧上。在操作中，通过选择性地使栅极通电来控制通过源极与漏极之间的鳍片的电流。sa中的多个装置可对各种参数敏感，所述参数可对对应鳍片厚度敏感。因此，可能希望sa中的多个装置具有各种鳍片厚度。

技术实现思路

1、一方面，本公开涉及一种装置，其包括：第一组件，其包括第一鳍片场效应晶体管(finfet)，其中所述第一finfet包括具有第一宽度的第一鳍片；及第二组件，其包括第二finfet，其中所述第二finfet包括具有第二宽度的第二鳍片，其中所述第一宽度大于所述第二宽度，且其中所述第一组件经配置以检测两个信号之间的电压差。

2、另一方面，本公开涉及一种电路，其包括第一鳍片场效应晶体管(finfet)，其中所述第一finfet经配置以接收第一信号及第二信号，且检测所述第一信号与所述第二信号之间的电压差；及第二finfet，其中所述第一finfet包括具有第一宽度的第一鳍片，且所述第二finfet包括具有第二宽度的第二鳍片，且其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

3、另一方面，本公开涉及一种方法，其包括：在衬底上形成多个鳍片，其中所述多个鳍片具有共同第一鳍片宽度；使用一或多个硬掩模覆盖所述多个鳍片中的一或多个鳍片；修整所述多个鳍片中的一组鳍片以使其具有共同第二鳍片宽度，其中所述一组鳍片位于所述一或多个硬掩模的外部；以及形成包括具有所述第一鳍片宽度的第一鳍片的第一装置，且形成包括具有所述第二鳍片宽度的第二鳍片的第二装置，其中所述第一装置包括感测放大器。

技术特征：

1.一种装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一组件包括pmos感测放大器psa，且其中所述psa包括所述第一finfet。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一组件包括nmos感测放大器nsa，其中所述nsa包括第三finfet，且其中所述第三finfet包括具有所述第一宽度的第三鳍片。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一组件包括nmos感测放大器nsa，其中所述nsa包括第三finfet，且其中所述第三finfet包括具有第三宽度的第三鳍片，且其中所述第三宽度大于所述第二宽度。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一组件包括nmos感测放大器nsa，且其中所述nsa包括所述第一finfet。

6.根据权利要求1所述的装置，其包括第三finfet，其中所述第三finfet包括具有第三宽度的第三鳍片。

7.根据权利要求1所述的装置，其中从数字线接收所述两个信号中的一者，且所述两个信号中的另一者是参考电压。

8.根据权利要求1所述的装置，其中从存储器装置中的相应数字线接收所述两个信号。

9.一种电路，其包括：

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述电路进一步包括第三finfet，其中所述第三finfet包括具有第三宽度的第三鳍片，其中所述第三宽度大于所述第二宽度。

11.根据权利要求9所述的电路，其中所述第一finfet包括在pmos感测放大器psa中。

12.根据权利要求9所述的电路，其中所述第一finfet包括在nmos感测放大器nsa中。

13.根据权利要求9所述的电路，其中从存储器装置中的第一数字线接收所述第一信号，且从所述存储器装置中的第二数字线接收所述第二信号。

14.一种方法，其包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述感测放大器包括pmos感测放大器psa。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述感测放大器包括nmos感测放大器nsa。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二装置包括控制装置，所述控制装置经配置以激活所述第一装置以检测两个信号之间的电压差。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一鳍片宽度大于所述第二鳍片宽度。

19.根据权利要求18所述的方法，其中从存储器装置的两个数字线接收所述两个信号。

20.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

技术总结本公开涉及用于finFET感测放大器的装置及方法。描述用于制造存储器装置的感测放大器SA中的具有各种鳍片宽度的各种装置的系统及方法。所述SA中的所述各种装置对各种参数敏感，所述参数对对应finFET的所述鳍片宽度敏感。制造所述SA中的所述各种装置中的各种鳍片宽度可改进所述存储器装置的性能。例如，将较厚鳍片(较大鳍片宽度)用于所述SA中的NMOS感测放大器及PMOS感测放大器会减少阈值电压变化，而将较薄鳍片(较小鳍片宽度)用于所述SA中的控制装置会保持所述控制装置的高性能。技术研发人员：李文君,C·G·维杜威特受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/6/18