H桥命令电路的制作方法

本公开总体上涉及电子电路以及，在具体的实施例中，涉及h桥命令电路。

背景技术：

1、开关的h桥目前被用于电子电路中，以提供电力以及控制负载，诸如例如电动机，例如，在汽车领域中使用。

技术实现思路

1、实施例提供具有最优效率的单片集成h桥命令电路，并且提供对已知h桥的改善。

2、实施例提供了集成式单片h桥，该集成式单片h桥在相同的体(bulk)的内部和顶部上包括第一支路和第二支路，第一支路包括串联的第一垂直mos晶体管和第二横向mos晶体管，并且第二支路包括串联的第三垂直mos晶体管和第四横向mos晶体管。第一支路和第二支路被并联。

3、根据实施例，第一支路和第二支路的中点定义h桥的输出端子。

4、根据实施例，第一晶体管的源极被耦合到串联在第一支路中的晶体管之间的中点，以及第三晶体管的源极被耦合到串联在第二支路的晶体管之间的中点。

5、根据实施例，第一晶体管的漏极和第三晶体管的漏极在体的背侧上是共用的。

6、根据实施例，第一晶体管和第三晶体管形成在桥的高侧上的晶体管，它们的漏极旨在被施加向桥施加的dc电压的最高电势。

7、根据实施例，第一晶体管和第三晶体管的栅极和源极被从体的前侧形成。

8、根据实施例，第二晶体管的漏极被耦合到串联在第一支路中的晶体管之间的中点，以及第四晶体管的漏极被耦合到串联在第二支路中的晶体管之间的中点。

9、根据实施例，第二晶体管的源极和第四晶体管的源极是共用的。

10、根据实施例，第二晶体管和第四晶体管形成桥的低侧晶体管，它们的源极旨在被施加向桥施加的dc电压的最低电势。

11、根据实施例，第二晶体管和第四晶体管从体的前侧被形成。

12、根据实施例，横向晶体管被形成在导电类型与体的导电类型相对的阱中。

13、实施例提供了包括dc电流电动机和h桥的dc电流电动机命令系统。垂直晶体管中的一个垂直晶体管在电动机在一个方向中的旋转的整个相位期间被接通，与此同时另一支路的横向晶体管以脉冲宽度调制来控制以改变电动机的旋转速度。

14、实施例提供了包括dc电流电动机和h桥的dc电流电动机命令系统。横向晶体管中的一个横向晶体管在电动机在一个方向中的旋转的整个相位期间被接通，与此同时另一支路的垂直晶体管以脉冲宽度调制来控制以改变电动机的旋转速度。

技术特征：

1.一种集成式单片h桥，包括：

2.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第一支路在所述第一垂直mos晶体管与所述第二横向mos晶体管之间的中点定义所述h桥的第一输出端子，以及其中所述第二支路在所述第三垂直mos晶体管与所述第四横向mos晶体管之间的中点定义所述h桥的第二输出端子。

3.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第一垂直mos晶体管的源极被耦合到所述第一支路在所述第一垂直mos晶体管与所述第二横向mos晶体管之间的中点，以及其中所述第三垂直mos晶体管的源极被耦合到所述第二支路在所述第三垂直mos晶体管与所述第四横向mos晶体管之间的中点。

4.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第一垂直mos晶体管的漏极和所述第三垂直mos晶体管的漏极在所述体半导体区域的背侧上被电连接在一起。

5.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第一垂直mos晶体管和所述第三垂直mos晶体管是所述h桥的高侧晶体管，所述第一垂直mos晶体管和所述第三垂直mos晶体管各自具有旨在被施加向所述h桥施加的dc电压的最高电势的漏极。

6.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第一垂直mos晶体管和所述第三垂直mos晶体管各自具有被设置在所述体半导体区域的前侧处的栅极和源极。

7.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第二横向mos晶体管的漏极被耦合到所述第一支路在所述第一垂直mos晶体管与所述第二横向mos晶体管之间的中点，以及其中所述第四横向mos晶体管的漏极被耦合到所述第二支路在所述第三垂直mos晶体管与所述第四横向mos晶体管之间的中点。

8.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第二横向mos晶体管的源极被耦合到所述第四横向mos晶体管的源极。

9.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第二横向mos晶体管和所述第四横向mos晶体管是所述h桥的低侧晶体管，所述第二横向mos晶体管的源极和所述第四横向mos晶体管的源极旨在被施加向所述h桥的施加的dc电压的最低电势。

10.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第二横向mos晶体管和所述第四横向mos晶体管在所述体半导体区域的前侧被形成。

11.根据权利要求1所述的h桥，其中所述第二横向mos晶体管和所述第四横向mos晶体管被形成在导电类型与所述体半导体区域的导电类型相对的阱中。

12.一种dc电流电动机命令系统，包括：

13.一种dc电流电动机命令系统，包括：

14.一种集成式单片h桥，包括：

15.根据权利要求14所述的h桥，还包括：

16.根据权利要求14所述的h桥，其中所述第一垂直mos晶体管和所述第三垂直mos晶体管各自具有被设置在所述体半导体区域的所述前侧处的栅极。

17.根据权利要求14所述的h桥，其中所述第二横向mos晶体管和所述第四横向mos晶体管被形成在导电类型与所述体半导体区域的导电类型相对的阱中。

18.一种半导体结构，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体结构，其中：

20.根据权利要求19所述的半导体结构，还包括：

技术总结本公开涉及H桥命令电路。一种集成式单片H桥在体半导体区域中被形成。第一支路包括被集成在体半导体区域中的第一垂直MOS晶体管和第二横向MOS晶体管。第一垂直MOS晶体管和第二横向MOS晶体管被串联耦合。第二支路包括被集成在体半导体区域中的第三垂直MOS晶体管和第四横向MOS晶体管。第三垂直MOS晶体管和第四横向MOS晶体管被串联耦合，并且第一支路和第二支路被并联耦合。技术研发人员：P·贝瓦努,J·卡斯泰兰,A·卡兰德拉受保护的技术使用者：意法半导体国际公司技术研发日：技术公布日：2024/6/18