一种存储器电路及随机存取存储器单元的读取方法与流程

本发明总体涉及存储器单元，尤其涉及随机存取存储器单元的预充电。总体而言，本发明的一个方面的特征在于一种存储器电路，包括：随机存取存储器单元阵列；用于提供预充电电压的低阻抗电压源；以及控制电路，该控制电路用于在读取其中一个所述随机存取存储器单元之前，利用所述低阻抗电压源，将该其中一个所述随机存取存储器单元的位线预充电至所述预充电电压。该方法的实施方式可包括以下的一项或多项特征。一些实施方式包括设于所述低阻抗电压源与所述其中一个所述随机存取存储器单元的位线之间的通断开关，其中，所述控制电路用于将所述低阻抗电压源电连接至所述位线，直至该位线达到所述预充电电压，并且在读取所述其中一个所述随机存取存储器单元之前，断开所述低阻抗电压源与所述位线的电连接。在一些实施方式中，所述低阻抗电压源为高增益反馈回路低阻抗电压源。在一些实施方式中，所述低阻抗电压源包括单位增益放大器。在一些实施方式中，所述随机存取存储器单元为电阻式随机存取存储器单元。在一些实施方式中，所述预充电电压的幅度选择为使得所述存储器单元在关断状态下的读取时间约等于所述存储器单元在导通状态下的读取时间。在一些实施方式中，每一个所述电阻式随机存取存储器单元包括：三端存取元件；以及连于所述三端存取元件与多条所述位线当中的一条之间的电阻式存储器元件。在一些实施方式中，所述三端存取元件的第一端与多条字线当中的一条连接；所述三端存取元件的第二端与多条源线当中的一条连接；所述电阻式存储器元件连于所述三端存取元件的第三端与多条所述位线当中的所述一条之间。一些实施方式包括用于读取所述随机存取存储器单元的读取放大器。总体而言，本发明的一个方面的特征在于一种随机存取存储器单元的读取方法，该方法包括：由低阻抗电压源向所述随机存取存储器单元的位线提供预充电电压；以及在所述位线的电压达到所述预充电电压后，读取所述存储器单元。一些实施方式包括：在读取所述存储器单元之前，停止由所述低阻抗电压源向所述随机存取存储器单元的位线提供所述预充电电压。一些实施方式包括：将所述低阻抗电压源电连接至所述位线，直至该位线达到所述预充电电压；以及在读取所述随机存取存储器单元之前，断开所述低阻抗电压源与所述位线的电连接。在一些实施方式中，所述电压源包括低阻抗电压源。在一些实施方式中，所述低阻抗电压源包括单位增益放大器。在一些实施方式中，所述随机存取存储器单元为电阻式随机存取存储器单元。在一些实施方式中，所述预充电电压的幅度选择为使得所述存储器单元在关断状态下的读取时间约等于所述存储器单元在导通状态下的读取时间。在一些实施方式中，所述电阻式随机存取存储器单元包括：三端存取元件；以及连于所述三端存取元件与所述位线之间的电阻式存储器元件。在一些实施方式中，所述三端存取元件的第一端与字线连接；所述三端存取元件的第二端与源线连接；所述电阻式存储器元件连于所述三端存取元件的第三端与所述位线之间。

背景技术：

1、随机存取存储器(ram)单元的预充电为一种缩短ram单元读取时间的常用技术。根据该技术，在读取ram单元状态之前，向该ram单元施加较大的电流，以使其电压快速变动至所需的值。在未采用预充电的情形中，需要通过较小的参考电流对ram单元充电，因此充电速度相对较慢。

技术实现思路

1、所公开的电路和方法用于随机存取存储器单元的电压模式位线预充电。

2、总体而言，本发明的一个方面的特征在于一种存储器电路，包括：随机存取存储器单元阵列；用于提供预充电电压的低阻抗电压源；以及控制电路，该控制电路用于在读取其中一个所述随机存取存储器单元之前，利用所述低阻抗电压源，将该其中一个所述随机存取存储器单元的位线预充电至所述预充电电压。

3、该方法的实施方式可包括以下的一项或多项特征。一些实施方式包括设于所述低阻抗电压源与所述其中一个所述随机存取存储器单元的位线之间的通断开关，其中，所述控制电路用于将所述低阻抗电压源电连接至所述位线，直至该位线达到所述预充电电压，并且在读取所述其中一个所述随机存取存储器单元之前，断开所述低阻抗电压源与所述位线的电连接。在一些实施方式中，所述低阻抗电压源为高增益低阻抗电压源。在一些实施方式中，所述低阻抗电压源包括单位增益放大器。在一些实施方式中，所述随机存取存储器单元为电阻式随机存取存储器单元。在一些实施方式中，所述预充电电压的幅度选择为使得所述存储器单元在关断状态下的读取时间约等于所述存储器单元在导通状态下的读取时间。在一些实施方式中，每一个所述电阻式随机存取存储器单元包括：三端存取元件；以及连接于所述三端存取元件与多条所述位线当中一条之间的电阻式存储器元件。在一些实施方式中，所述三端存取元件的第一端与多条字线当中的一条连接；所述三端存取元件的第二端与多条源线当中的一条连接；所述电阻式存储器元件连接于所述三端存取元件的第三端与多条所述位线当中的所述一条之间。一些实施方式包括用于读取所述随机存取存储器单元的读取放大器。

4、总体而言，本发明的一个方面的特征在于一种随机存取存储器单元的读取方法，该方法包括：由低阻抗电压源向所述随机存取存储器单元的位线提供预充电电压；以及在所述位线的电压达到所述预充电电压后，读取所述存储器单元。

5、该方法的实施方式可包括以下的一项或多项特征。一些实施方式包括：在读取所述存储器单元之前，停止由所述低阻抗电压源向所述随机存取存储器单元的位线提供所述预充电电压。一些实施方式包括：将所述低阻抗电压源电连接至所述位线，直至该位线达到所述预充电电压；以及在读取所述随机存取存储器单元之前，断开所述低阻抗电压源与所述位线的电连接。在一些实施方式中，所述电压源包括低阻抗电压源。在一些实施方式中，所述低阻抗电压源包括单位增益放大器。在一些实施方式中，所述随机存取存储器单元为电阻式随机存取存储器单元。在一些实施方式中，所述预充电电压的幅度选择为使得所述存储器单元在关断状态下的读取时间约等于所述存储器单元在导通状态下的读取时间。在一些实施方式中，所述电阻式随机存取存储器单元包括：三端存取元件；以及连接于所述三端存取元件与所述位线之间的电阻式存储器元件。在一些实施方式中，所述三端存取元件的第一端与字线连接；所述三端存取元件的第二端与源线连接；所述电阻式存储器元件连于所述三端存取元件的第三端与所述位线之间。

技术特征：

1.一种存储器电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的存储器电路，其特征在于，还包括：

3.如权利要求1所述的存储器电路，其特征在于，所述低阻抗电压源为高增益低阻抗电压源。

4.如权利要求3所述的存储器电路，其特征在于，所述低阻抗电压源包括单位增益放大器。

5.如权利要求1所述的存储器电路，其特征在于，所述随机存取存储器单元为电阻式随机存取存储器单元。

6.如权利要求5所述的存储器电路，其特征在于，所述预充电电压的幅度选择为使得所述电阻式存储器单元在关断状态下的读取时间约等于所述电阻式存储器单元在导通状态下的读取时间。

7.如权利要求5所述的存储器电路，其特征在于，所述电阻式随机存取存储器单元包括：

8.如权利要求7所述的存储器电路，其特征在于：

9.如权利要求1所述的存储器电路，其特征在于，还包括：

10.一种随机存取存储器单元的读取方法，其特征在于，所述方法包括：

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述低阻抗电压源包括单位增益放大器。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述随机存取存储器单元为电阻式随机存取存储器单元。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述预充电电压的幅度选择为使得所述电阻式随机存取存储器单元在关断状态下的读取时间约等于所述电阻式随机存取存储器单元在导通状态下的读取时间。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述电阻式随机存取存储器单元包括：

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于：

技术总结本发明公开了一种存储器电路及随机存取存储器单元的读取方法，其中，存储器电路包括：随机存取存储器单元阵列；用于提供预充电电压的低阻抗电压源；以及控制电路，所述控制电路用于在读取所述随机存取存储器单元阵列中的一个随机存取存储器单元之前，利用所述低阻抗电压源，将所述随机存取存储器单元阵列中的所述一个随机存取存储器单元的位线预充电至所述预充电电压，以使得流经所述随机存取存储器单元阵列中的所述一个随机存取存储器单元的电流不超过V<subgt;PRE</subgt;/R，其中，V<subgt;PRE</subgt;为所述预充电电压，R为所述随机存取存储器单元阵列的中的所述一个随机存取存储器单元的电阻。技术研发人员：达努特·马内亚受保护的技术使用者：合肥睿科微电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/18