存储器控制器及其操作方法与流程

背景技术：

1、本文描述的本发明构思的示例实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储器控制器及其操作方法。

2、半导体存储器器件被分类为易失性存储器，其在电源关闭时丢失存储在其中的数据，如动态随机存取存储器(dram)或静态ram(sram)；或者非易失性存储器，其即使在电源关闭时也保留存储在其中的数据，如闪存、相变ram(pram)、磁性ram(mram)或电阻性ram(reram)或者铁电随机存取存储器(fram)。

3、存储器控制器通过各种命令控制非易失性存储器器件。例如，非易失性存储器器件可以响应于从存储器控制器接收的读取命令，在非易失性存储器器件中的平面上执行读取操作。

4、详细地，响应于接收到的读取命令，非易失性存储器器件可以读取存储在平面中的数据，并且可以将读取的数据存储在页缓冲器中。存储器控制器可以通过发布对应于读取命令的后续命令来读取存储在页缓冲器中的数据。例如，存储器控制器可以通过发布状态读取命令来检查平面的状态信息，并且可以通过发布存储器访问命令来读取存储在页缓冲器中的数据。

技术实现思路

1、本发明构思的一些示例实施例提供了一种更有效地控制非易失性存储器器件的存储器控制器及其操作方法。

2、根据一些示例实施例，一种控制包括第一平面和第二平面的非易失性存储器器件以在第一平面和第二平面上执行交错读取操作的存储器控制器的操作方法可以包括:向非易失性存储器器件顺序发送第一平面的第一读取命令和第二平面的第二读取命令，向非易失性存储器器件发送对应于第一读取命令的第一状态读取命令，基于响应于第一状态读取命令从非易失性存储器器件输出的第一状态信息，将对应于第一读取命令的第一存储器访问命令发送到非易失性存储器器件，在接收到第一读取数据之后，接收响应于第一存储器访问命令从非易失性存储器器件输出的第一读取数据，跳过对应于第二读取命令的状态读取命令的发布，并且将对应于第二读取命令的第二存储器访问命令发送到非易失性存储器器件，以及接收响应于第二存储器访问命令从非易失性存储器器件输出的第二读取数据。

3、根据一些示例实施例，一种控制包括第一平面和第二平面的非易失性存储器器件的存储器控制器的操作方法可以包括:向非易失性存储器器件发送第一平面的第一读取命令和第二平面的第二读取命令，响应于确定第一平面的状态信息指示就绪状态，从非易失性存储器器件读取对应于第一平面的第一读取数据，以及在读取第一平面的第一读取数据之后，基于在发送第二读取命令的时间点之后的经过时间，从非易失性存储器器件读取对应于第二平面的第二读取数据。

4、根据一些示例实施例，一种存储器控制器可以包括命令管理器和状态管理器，命令管理器被配置为输出第一读取命令以控制非易失性存储器器件，状态管理器包括定时器和比较电路，定时器被配置为测量从输出第一读取命令的第一时间点开始的第一经过时间，比较电路被配置为存储跳过时间。比较电路可以被配置为将测量的第一经过时间与跳过时间进行比较，以生成第一控制信号。命令管理器可以被配置为基于第一控制信号，跳过与第一读取命令相关联的第一状态读取命令的发布，并且输出与第一读取命令相关联的第一存储器访问命令。

5、根据一些示例实施例，一种控制包括第一平面和第二平面的非易失性存储器器件并存储跳过时间的存储器控制器的操作方法可以包括:向非易失性存储器器件发送第一平面的第一读取命令，将在输出第一读取命令之后的经过时间与跳过时间进行比较，并且响应于确定经过时间长于跳过时间，跳过对应于第一读取命令的状态读取命令的发布，以及将对应于第一读取命令的第一存储器访问命令发送到非易失性存储器器件。

技术特征：

1.一种存储器控制器的操作方法，所述存储器控制器控制包括第一平面和第二平面的非易失性存储器器件，以在第一平面和第二平面上执行交错读取操作，所述操作方法包括:

2.根据权利要求1所述的操作方法，

3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，基于与第一读取时间和第二读取时间的长度相关联的概率分布来确定跳过时间。

4.根据权利要求3所述的操作方法，

5.根据权利要求2所述的操作方法，其中，第一读取数据是第一页的数据的一部分，并且第二读取数据是第二页的数据的一部分。

6.根据权利要求2所述的操作方法，还包括:

7.根据权利要求6所述的操作方法，还包括:

8.根据权利要求1所述的操作方法，还包括:

9.根据权利要求8所述的操作方法，还包括:

10.一种控制包括第一平面和第二平面的非易失性存储器器件的存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括:

11.根据权利要求10所述的操作方法，

12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，所述操作方法还包括，响应于确定经过时间短于跳过时间，

13.根据权利要求11所述的操作方法，还包括:

14.根据权利要求13所述的操作方法，还包括:

15.根据权利要求10所述的操作方法，

16.根据权利要求15所述的操作方法，其中，所述非易失性存储器器件被配置为:

17.一种存储器控制器，包括:

18.根据权利要求17所述的存储器控制器，

19.根据权利要求17所述的存储器控制器，还包括:

20.根据权利要求19所述的存储器控制器，

技术总结一种存储器控制器的操作方法，包括:向非易失性存储器器件顺序发送第一平面的第一读取命令和第二平面的第二读取命令，向非易失性存储器器件发送对应于第一读取命令的第一状态读取命令，基于第一状态信息向非易失性存储器器件发送对应于第一读取命令的第一存储器访问命令，接收从非易失性存储器器件输出的第一读取数据，在接收第一读取数据之后，跳过对应于第二读取命令的状态读取命令的发布，并且将对应于第二读取命令的第二存储器访问命令发送到非易失性存储器器件，以及接收从非易失性存储器器件输出的第二读取数据。技术研发人员：郑筦锡,高晟源,张虎荣,赵永进受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/26