存储器的擦除方法与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种存储器的擦除方法。

背景技术：

1、闪存(flash memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)存储器，其主要由存储单元阵列中的多个存储块(block)组成，每个存储块具有多个扇区(sector)，每个扇区包括多个存储单元。

2、然而，现有的闪存在擦除目标存储区后，读取数据时，与目标存储区共阱区的背景存储区容易发生误读。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种存储器的擦除方法，用于解决现有的存储器容易发生误读的问题。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器的擦除方法，包括：

3、擦除一目标存储区，与所述目标存储区共阱区的存储区为背景存储区；

4、对目标存储区执行预编程操作；

5、对至少部分所述背景存储区执行第一刷新编程操作；以及，

6、对所述目标存储区执行擦除操作。

7、可选的，对所述目标存储区执行擦除操作之后，所述擦除方法还包括：

8、对至少部分所述背景存储区执行第二刷新编程操作。

9、可选的，执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区与执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区不同。

10、可选的，对一部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作，对剩余的所述背景存储区执行所述第二刷新编程操作。

11、可选的，若执行所述第二刷新编程操作时发生异常掉电，记录异常掉电位置，下一次对所述目标存储区执行所述预编程操作之后，至少对异常掉电时未完成所述第二刷新编程操作的所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作。

12、可选的，执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区的数量大于执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区的数量。

13、可选的，所述目标存储区及所述背景存储区均为存储块；或者，所述目标存储区为扇区，所述背景存储区包括存储块和扇区。

14、可选的，对所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作或所述第二刷新编程操作时，扫描所述背景存储区以获取所述背景存储区中阈值电压下降的所述存储单元，并对阈值电压下降的所述存储单元执行所述第一刷新编程操作或所述第二刷新编程操作。

15、可选的，对至少部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作时，仅扫描需要执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区；和/或，对至少部分所述背景存储区执行所述第二刷新编程操作时，仅扫描需要执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区。

16、可选的，扫描所述背景存储区时，分别采用预定读取电压和验证读取电压读取所述背景存储区中的每个所述存储单元，并根据读取数据判定所述背景存储区中阈值电压下降的所述存储单元。

17、可选的，对部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作。

18、在本发明提供的存储器的擦除方法中，擦除一目标存储区之后，对所述目标存储区执行预编程操作，对与所述目标存储区共阱区的至少部分背景存储区执行第一刷新编程操作，然后对所述目标存储区执行擦除操作。本发明在对所述目标存储区执行擦除操作之前对至少部分所述背景存储区执行了所述第一刷新编程操作，从而可以修复所述目标存储区在执行上一次擦除操作时对所述背景存储区产生的干扰，避免所述背景存储区的存储单元因受干扰丢失电子而导致误读的问题，提高了数据存储的稳定性和可靠性，并且即使所述目标存储区执行擦除操作之后发生了异常掉电，也能够保证所述背景存储区数据读取的正确性。

技术特征：

1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对所述目标存储区执行擦除操作之后，所述擦除方法还包括：

3.如权利要求2所述的存储器的擦除方法，其特征在于，执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区与执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区不同。

4.如权利要求3所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对一部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作，对剩余的所述背景存储区执行所述第二刷新编程操作。

5.如权利要求4所述的存储器的擦除方法，其特征在于，若执行所述第二刷新编程操作时发生异常掉电，记录异常掉电位置，下一次对所述目标存储区执行所述预编程操作之后，至少对异常掉电时未完成所述第二刷新编程操作的所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作。

6.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的擦除方法，其特征在于，执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区的数量大于执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区的数量。

7.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的擦除方法，其特征在于，所述目标存储区及所述背景存储区均为存储块；或者，所述目标存储区为扇区，所述背景存储区包括存储块和扇区。

8.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作或所述第二刷新编程操作时，扫描所述背景存储区以获取所述背景存储区中阈值电压下降的所述存储单元，并对阈值电压下降的所述存储单元执行所述第一刷新编程操作或所述第二刷新编程操作。

9.如权利要求8所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对至少部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作时，仅扫描需要执行所述第一刷新编程操作的所述背景存储区；和/或，对至少部分所述背景存储区执行所述第二刷新编程操作时，仅扫描需要执行所述第二刷新编程操作的所述背景存储区。

10.如权利要求8所述的存储器的擦除方法，其特征在于，扫描所述背景存储区时，分别采用预定读取电压和验证读取电压读取所述背景存储区中的每个所述存储单元，并根据读取数据判定所述背景存储区中阈值电压下降的所述存储单元。

11.如权利要求2～5中任一项所述的存储器的擦除方法，其特征在于，对部分所述背景存储区执行所述第一刷新编程操作。

技术总结本发明提供了一种存储器的擦除方法，擦除一目标存储区之后，对目标存储区执行预编程操作，对与所述目标存储区共阱区的至少部分背景存储区执行第一刷新编程操作，然后对所述目标存储区执行擦除操作。本发明在对所述目标存储区执行擦除操作之前对至少部分所述背景存储区执行了所述第一刷新编程操作，从而可以修复所述目标存储区在执行上一次擦除操作时对所述背景存储区产生的干扰，避免所述背景存储区的存储单元因受干扰丢失电子而导致误读的问题，提高了数据存储的稳定性和可靠性，并且即使所述目标存储区执行擦除操作之后发生了异常掉电，也能够保证所述背景存储区数据读取的正确性。技术研发人员：罗旖旎,卢中舟受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/26