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存储器装置、存储器系统及存储器装置的操作方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 20:03:08

本公开涉及存储器装置、具有该存储器装置的存储器系统及该存储器装置的操作方法。

背景技术:

1、动态随机存取存储器(dram)是一种在存储单元阵列中存储数据的随机存取半导体存储器。存储单元阵列包括多个存储体。存储器系统可以包括dram和存储器控制器。存储单元阵列可以从存储器控制器接收记录命令和相应的数据,并根据命令解码结果将数据存储在多个存储体中。

2、相同的数据可以存储在几个存储体中,以提供冗余来增加数据完整性。然而,由于存储单元阵列的可用于存储新数据的空间较小,因此存储器系统的性能可能降低。因此,需要一种能够更有效地执行数据记录操作的存储器系统。

技术实现思路

1、本公开的一方面提供一种支持镜像模式的存储器装置、具有该存储器装置的存储器系统及该存储器装置的操作方法。

2、根据本公开的一方面,一种存储器系统包括:封装件衬底、插入件、逻辑裸芯、存储器装置和控制芯片。插入件设置在封装件衬底上。逻辑裸芯设置在插入件上。存储器装置设置在逻辑裸芯上。控制芯片被配置为控制存储器装置。存储器装置包括多个堆叠的存储器裸芯。多个存储器裸芯中的每一个包括连接到第一通道的第一存储器装置和连接到第二通道的第二存储器装置。在镜像模式下,第一存储器装置对写入数据执行第一写入操作,并且第二存储器装置对写入数据执行第二写入操作。

3、根据本公开的一方面,一种通过多个通道连接到控制芯片的存储器装置的操作方法包括:存储器装置将存储器装置的操作模式内部地设置为镜像模式;在镜像模式下,将多个通道中的第一通道的命令、地址和写入数据与多个通道中的第二通道共享;以及存储器装置使用由第二通道共享的命令、地址和写入数据来执行写入操作。

4、根据本发明的一方面,提供一种具有堆叠在封装件衬底上的多个存储器裸芯的存储器装置。多个存储器裸芯中的每一个包括:第一存储器装置和第二存储器装置。第一存储器装置包括连接到第一通道的第一行地址缓冲器、第一列地址缓冲器和第一数据缓冲器。第二存储器装置包括连接到第二通道的第二行地址缓冲器、第二列地址缓冲器和第二数据缓冲器。第二存储器装置包括第一多路复用器至第四多路复用器。第一多路复用器被配置为响应于镜像模式信号而输出第一行地址缓冲器的输出信号和第二行地址缓冲器的输出信号之一。第二多路复用器被配置为响应于镜像模式信号而输出第一命令解码器的输出信号和第二命令解码器的输出信号之一。第三多路复用器被配置为响应于镜像模式信号而输出第一列地址缓冲器的输出信号和第二列地址缓冲器的输出信号之一。第四多路复用器被配置为响应于镜像模式信号而输出第一数据缓冲器的输出信号和第二数据缓冲器的输出信号之一。

5、根据本公开的示例实施例的存储器装置、具有该存储器装置的存储器系统及该存储器装置的操作方法可支持镜像模式,从而即使一些通道的数据被损坏,也通过使用未损坏的通道的数据来保持数据的完整性。

技术特征:

1.一种存储器系统,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述多个存储器裸芯中的每一个包括被配置为在所述镜像模式下操作的镜像模式电路。

3.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述第一存储器装置和所述第二存储器装置中的每一个包括行地址缓冲器、列地址缓冲器和数据缓冲器,并且

4.根据权利要求3所述的存储器系统,还包括:

5.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式根据对所述存储器装置执行的测试操作的结果被确定。

6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式基于所述第一通道的错误率超过阈值而被激活。

7.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述逻辑裸芯包括用于在所述第一存储器装置和所述第二存储器装置中读取或写入数据的内建自测试电路,并且

8.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,通过设置模式寄存器设置或应用命令而进入所述镜像模式。

9.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式由所述控制芯片设置。

10.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述第一写入操作和所述第二写入操作由单个写入命令同时执行。

11.一种存储器装置的操作方法,所述存储器装置通过多个通道连接到控制芯片,所述操作方法包括:

12.根据权利要求11所述的操作方法,其中,设置所述镜像模式包括:

13.根据权利要求11所述的操作方法,其中,设置所述镜像模式包括:

14.根据权利要求13所述的操作方法,还包括:

15.根据权利要求11所述的操作方法,其中,所述共享包括:

16.一种存储器装置,其具有堆叠在封装件衬底上的多个存储器裸芯,

17.根据权利要求16所述的存储器装置,其中,所述镜像模式信号从模式寄存器设置信息被输出。

18.根据权利要求16所述的存储器装置,其中,所述第一通道及所述第二通道通过硅穿通件连接到外部控制芯片。

19.根据权利要求16所述的存储器装置,其中,当所述第一通道的错误率超过阈值时,在所述存储器装置内内部地产生所述镜像模式信号。

20.根据权利要求16所述的存储器装置,其中,所述多个存储器裸芯的每一个还包括镜像模式电路,其被配置成基于所述镜像模式信号在镜像模式下操作。

技术总结提供了存储器系统、存储器装置的操作方法以及存储器装置。该存储器系统包括多个堆叠的存储器裸芯。多个存储器裸芯中的每一个包括连接到第一通道的第一存储器装置和连接到第二通道的第二存储器装置。在镜像模式下,当第一存储器装置对写入数据执行第一写入操作时,第二存储器装置对写入数据执行第二写入操作。技术研发人员:孙钟弼受保护的技术使用者:三星电子株式会社技术研发日:技术公布日:2024/6/26

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