包括纠错装置的存储器装置的制作方法

本发明的多种实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及包括存储单元阵列的存储器装置，所述存储单元阵列包括冗余单元块和纠错码(ecc)单元块。

背景技术：

1、在半导体存储器行业的早期阶段，通过半导体制造工艺生产存储器芯片，而没有缺陷存储单元。然而，随着存储器装置的容量增加，制造不具有缺陷存储单元的存储器装置变得困难。目前，基本上没有机会来制造出没有任何缺陷存储单元的存储器装置。为了解决这个问题，正在使用用冗余存储单元替换缺陷存储单元的修复方法，或者利用纠错电路来校正存储器装置中的错误的纠错方法。

技术实现思路

1、本发明的实施例涉及一种存储器装置，该存储器装置能够在设置的规范范围内管理在用于列修复的移位操作期间由于缺陷子字线驱动器而导致的纠错装置的误校正。

2、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置包括：存储单元区域，其包括多个单元块，所述多个单元块被划分为多个正常单元块、至少一个ecc单元块和至少一个冗余单元块，所述多个单元块被配置为输出数据和纠错码；纠错电路，其被配置为通过利用所述纠错码来校正所述数据中的错误而生成纠错的数据；第一开关组，其被配置为在根据第一修复控制信息对纠错的数据执行移位操作的时候输出所述纠错的数据；以及第二开关组，其被配置为在根据第二修复控制信息对从所述单元块中的一个输出的所述数据执行零填充操作的时候，将所述数据从所述存储单元区域传送至所述纠错电路。

3、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置包括：存储单元区域，其包括多个单元块，所述多个单元块被划分为多个正常单元块、至少一个纠错码(ecc)单元块和至少一个冗余单元块，所述多个单元块被配置为输出数据和纠错码；纠错电路，其包括与所述单元块相对应的多个码计算电路，并且被配置为在根据第二修复控制信息对由所述码计算电路中的任何一个对所述数据的一部分的计算结果执行零填充操作的时候，通过利用所述纠错码来校正所述数据中的错误而生成纠错的数据，以及第一开关组，其被配置为在根据第一修复控制信息对所述纠错的数据执行移位操作的时候，输出所述纠错的数据。

4、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置包括：存储器块，其被布置成行并且被配置为在其中存储零填充数据片段、用户数据片段和纠错码(ecc)数据片段，所述零填充数据片段存储在所述存储器块的列修复存储器块中以及所述用户数据片段的一个与所述列修复存储器块相对应；交换电路，其被配置为将从所述存储器块之中的两个相邻存储器块的所述ecc数据块和所述用户数据块相互交换；零填充电路，其被配置为从所述列修复存储器块生成用于所述零填充数据片段的零填充数据片段；纠错电路，其被配置为基于来自所述交换电路的ecc数据片段、来自所述零填充电路的所述零填充数据片段以及来自所述存储器块和所述交换电路的用户数据片段来进行纠错；以及移位电路，其被配置为通过将来自所述纠错电路的纠错的用户数据片段进行移位来输出纠错的用户数据。

5、所述移位电路可以进一步被配置为从外部设备接收用户数据片段以移位接收到的用户数据片段，所述零填充电路可以进一步配置为生成要存储在列修复存储块中的零填充数据片段，所述纠错电路可以进一步被配置为生成用于生成的零填充数据片段和移位的用户数据片段的ecc数据片段，所述交换电路可以进一步被配置为将要存储在相邻存储块中的所生成的ecc数据片段和移位的用户数据片段进行相互交换，并且所述存储器块可以进一步被配置为在其中存储所述生成的零填充数据片段、所述移位的用户数据片段和交换的数据片段。

6、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置包括：移位电路，其被配置为从外部设备接收用户数据片段以移位所述用户数据片段；零填充电路，其被配置为生成零填充数据片段；纠错电路，其被配置为生成用于所述零填充数据片段和移位的用户数据片段的纠错码(ecc)数据片段；交换电路，其被配置为将要存储在两个相邻存储器块中的所述ecc数据片段和所述移位的用户数据片段相互交换；以及存储器块，其被布置成行并且被配置为在其中存储所述零填充数据片段、所述移位的用户数据片段和所述ecc数据片段，所述存储器块包括将要存储所述零填充数据片段的列修复存储器块和将要存储对应于所述列修复存储器块的移位的用户数据片段的一个的冗余存储器块。

7、根据本发明的实施例，存储器装置可以在设置的范围内管理纠错，并且通过在执行基于零填充的纠错之后执行用于列修复的移位操作来最大化纠错能力。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一开关组设置在所述纠错电路与数据焊盘之间，通过所述数据焊盘所述第一开关组输出所述纠错的数据。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述纠错电路包括多个码计算电路，所述多个码计算电路被划分为多个正常码计算电路、至少一个ecc码计算电路和至少一个冗余码计算电路。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，

5.根据权利要求1所述的存储器装置，

6.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括第三开关组，所述第三开关组根据第三修复控制信息对从所述ecc单元块输出的所述数据与从所述正常单元块中的与所述ecc单元块相邻的一个正常单元块输出的所述数据执行交换操作。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第三开关组包括第一交换开关，所述第一交换开关根据所述第三修复控制信息，将从所述ecc单元块输出的所述数据和从所述相邻的正常单元块输出的所述数据中的一个传送至所述纠错电路。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述第三开关组还包括第二交换开关，所述第二交换开关根据所述第三修复控制信息，将从所述ecc单元块输出的所述数据和从所述相邻的正常单元块输出的所述数据中的另一个传送至所述第二开关组。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括修复控制电路，所述修复控制电路存储缺陷地址作为修复信息，并且基于存储的修复信息来提供与输入地址相对应的所述第一修复控制信息和所述第二修复控制信息。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述修复控制电路包括：

11.根据权利要求1所述的存储器装置，

12.一种存储器装置，包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述第一开关组设置在所述纠错电路与数据焊盘之间，通过所述数据焊盘所述第一开关组输出所述纠错的数据。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述纠错电路包括：

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述码计算电路中的每一个包括：

16.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述码计算电路被划分为多个正常码计算电路、至少一个ecc码计算电路和至少一个冗余码计算电路。

17.根据权利要求16所述的存储器装置，

18.根据权利要求12所述的存储器装置，还包括第三开关组，所述第三开关组根据第三修复控制信息，对从所述ecc单元块输出的所述数据与从所述正常单元块中的与所述ecc单元块相邻的一个正常单元块输出的所述数据执行交换操作。

19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中，所述第三开关组包括：

20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中，所述第三开关组还包括第二交换开关，所述第二交换开关根据所述第三修复控制信息，将从所述ecc单元块输出的所述数据和从所述相邻的正常单元块输出的所述数据中的另一个传送至所述纠错电路。

21.根据权利要求12所述的存储器装置，还包括修复控制电路，所述修复控制电路存储缺陷地址作为修复信息，并且基于存储的修复信息来提供与输入地址相对应的所述第一修复控制信息和所述第二修复控制信息。

22.根据权利要求21所述的存储器装置，其中，所述修复控制电路包括：

23.一种存储器装置，包括：

24.根据权利要求23所述的存储器装置，

技术总结一种存储器装置包括：存储单元区域，其包括多个单元块，所述多个单元块被划分为多个正常单元块、至少一个ECC单元块和至少一个冗余单元块，所述多个单元块被配置为输出数据和纠错码；纠错电路，其被配置为通过利用所述纠错码校正所述数据中的错误来生成纠错的数据；第一开关组，其被配置为在根据第一修复控制信息对所述纠错的数据执行移位操作时输出所述纠错的数据；以及第二开关组，其被配置为在根据第二修复控制信息对从所述单元块中的一个输出的数据执行零填充操作时，将所述数据从所述存储单元区域传送至所述纠错电路。技术研发人员：郑镇浩,金大石,尹相又,林雅兰,张文选受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29