包括行电路的存储器及其操作方法与流程

本发明的多种实施例涉及存储器。

背景技术：

1、随着存储器的集成度提高，存储器中包括的多个字线之间的间隔减小。随着字线之间的间隔减小，相邻字线之间的耦合效应增强。

2、每当向存储单元输入或从其输出数据时，字线在激活的状态和被去激活的状态之间切换。随着相邻字线之间的耦合效应增强，耦接到与频繁地被激活的字线相邻地设置的字线的存储单元中的数据可能被损坏。这个现象被称为行锤击(或字线干扰)。存储单元的数据可能由于字线干扰而在该存储单元被刷新之前就被损坏。

3、图1是用于描述行锤击的示意图。图1示出了存储器件中包括的单元阵列的一部分。

4、在图1中，wll可以对应于具有大的激活数量的字线(即频繁地被激活的字线)，而wll-1和wll+1可以是与wll相邻地设置的字线(即相邻字线)，即与具有大的激活数量的字线相邻地设置的字线。此外，cl可以表示被耦接到wll的存储单元，cl-1可以表示被耦接到wll-1的存储单元，而cl+1可以表示被耦接到wll+1的存储单元。存储单元可以分别包括单元晶体管tl、tl-1和tl+1以及单元电容器capl、capl-1和capl+1。

5、当图1中的wll被激活或被去激活时，wll-1和wll+1的电压可以由于wll与wll-1和wll+1之间出现的耦合效应而上升或下降，另外也影响单元电容器cl-1和cl+1中的电荷量。因此，当wll频繁地被激活并且wll在激活的状态和被去激活的状态之间切换时，存储在cl-1和cl+1中所分别包括的单元电容器capl-1和capl+1中的电荷量的改变可以增大，因此存储单元中的数据可以被破坏。

6、此外，字线在激活的状态和被去激活的状态之间切换时生成的电磁波可以通过将电子引入被耦接到相邻字线的存储单元的单元电容器中或通过从单元电容器中释放出电子而损坏数据。

7、作为用于解决行锤击的方法，用于减少字线的激活和去激活对与被激活的行相邻地设置的行的影响的技术可以包括检测被激活若干次的行(字线)以及刷新与被激活若干次的行相邻的行的方法。

技术实现思路

1、本发明的实施例涉及一种能够减少在刷新操作期间执行的预充电操作的负担的存储器。

2、根据本发明的一个实施例，一种存储器包括：多个字线；以及行电路，所述行电路被配置为：在激活操作期间将所述多个字线之中的至少一个字线激活至激活电压电平，以及在预充电操作期间将激活的字线放电；以及在响应于预充电命令的预充电操作期间和在刷新操作期间的预充电操作期间以不同的方式将所述激活的字线从所述激活电压电平放电至预充电电压电平。

3、根据本发明的另一实施例，一种用于操作存储器的方法包括：接收激活命令；响应于所述激活命令而将字线驱动至激活电压电平；接收预充电命令；响应于所述预充电命令而将所述字线放电至预充电电压电平，以使得从所述激活电压电平放电至所述预充电电压电平的波形具有第一图案；确定执行刷新操作；在所述刷新操作期间将所述字线驱动至所述激活电压电平；以及在所述刷新操作期间将所述字线放电至所述预充电电压电平，以使得所述波形具有第二图案。

4、根据本发明的另一实施例，一种存储器包括：多个字线；以及行电路，所述行电路被配置为：响应于行激活信号的激活而激活所述多个字线之中的选择的字线，以及响应于所述行激活信号的去激活而将所述选择的字线预充电，其中，所述行电路根据表示刷新操作是否正在执行的刷新标志信号的电平而不同地将所述选择的字线预充电。

5、根据本发明的另一实施例，一种存储器的操作方法包括：响应于预充电命令，以柔和的方式将字线从激活电平放电至预充电电平；以及在刷新操作期间，以相对不柔和的方式将所述字线从所述激活电平放电至所述预充电电平。

技术特征：

1.一种存储器，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其中：

3.根据权利要求1所述的存储器，其中：

4.根据权利要求1所述的存储器，其中：

5.根据权利要求1所述的存储器，其中：

6.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述刷新操作包括用于消除行锤击的智能刷新操作、自动刷新操作和自刷新操作中的至少一个操作。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述行电路包括：

8.一种用于操作存储器的方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，

10.根据权利要求8所述的方法，

11.根据权利要求8所述的方法，

12.根据权利要求8所述的方法，

13.根据权利要求8所述的方法，其中，确定执行所述刷新操作包括接收刷新命令。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，确定执行所述刷新操作包括在自刷新操作模式下激活自刷新信号。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，确定执行所述刷新操作包括接收指示智能刷新操作的命令。

16.一种存储器，包括：

17.根据权利要求16所述的存储器，

18.根据权利要求16所述的存储器，

19.根据权利要求16所述的存储器，

20.根据权利要求16所述的存储器，

21.一种存储器的操作方法，所述操作方法包括：

22.根据权利要求21所述的操作方法，其中：

23.根据权利要求21所述的操作方法，其中：

24.根据权利要求21所述的操作方法，其中：

25.根据权利要求21所述的操作方法，其中：

技术总结本公开涉及存储器及其操作方法。存储器包括：多个字线；以及行电路。行电路被配置为：在激活操作期间将多个字线之中的至少一个字线激活至激活电压电平，以及在预充电操作期间将激活的字线放电；以及在响应于预充电命令的预充电操作期间和在刷新操作期间的预充电操作期间以不同的方式将激活的字线从激活电压电平放电至预充电电压电平。技术研发人员：具尚铉,金度鸿,石珉浩,洪德和,金沼润受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/16