电压校准装置及方法、存储器和存储系统与流程

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种电压校准装置及方法、存储器和存储系统。

背景技术：

1、随着当今科学技术的不断发展，半导体存储装置的密度不断增加。高数据可靠性、高存取速度成为了半导体存储器发展的重要趋势。其中，动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，dram)是一种易失性存储器，其通过存储单元电容器中积累的电荷作为物理信号来存储信息。

2、由于动态随机存取存储器可能具有不执行操作的时间段，因此可以具有掉电模式以减小功耗。例如，在不输入和不输出数据的时段内，存储器件可以进入掉电模式，从而不对特定的功能块以外的存储块执行各项操作。在退出掉电模式后，动态随机存储器需要对参考电压进行精确校准，其对于存储系统的正常工作起着十分重要的作用。然而，在上电后参考电压校准的过程中，动态随机存储器有可能接收到用户命令而产生逻辑错误，从而导致后续命令失效等问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种电压校准装置、电压校准方法、存储器和存储系统。

2、第一方面，本公开实施例提供了一种电压校准装置，包括：

3、命令解码电路，用于根据存储控制器发出的第一外部命令，输出掉电模式启用信号，以及根据所述存储控制器发出的第二外部命令输出掉电模式退出信号；电压生成电路，用于产生第一参考电压和第二参考电压；校准控制电路，连接所述电压生成电路和所述命令解码电路；在接收到所述掉电模式启用信号后，所述校准控制电路用于比较外部提供的供电电压和所述第二参考电压，以在所述供电电压达到额定电压之后，且接收到所述掉电模式退出信号之前，输出校准触发信号；电压校准电路，连接所述校准控制电路；所述电压校准电路用于根据所述校准触发信号，对所述第一参考电压进行校准操作。

4、在一些实施例中，在所述命令解码电路接收到所述第一外部命令之后，所述存储控制器用于将所述供电电压由第一电压降低至第二电压；所述第一电压高于所述第二参考电压，所述第二电压低于所述第二参考电压；在所述命令解码电路接收到所述第二外部命令之前，所述存储控制器用于将所述供电电压由所述第二电压升高至所述第一电压。

5、在一些实施例中，所述校准控制电路包括：预触发单元，连接所述电压生成电路；所述预触发单元用于在所述供电电压由所述第二电压上升至大于或等于所述第二参考电压时，输出预触发信号；第一延迟单元，连接所述预触发单元；所述第一延迟单元用于延迟所述预触发信号，以在所述供电电压上升至所述第一电压之后，且在接收到所述掉电模式退出信号之前，输出所述校准触发信号。

6、在一些实施例中，所述预触发单元包括：比较器，所述比较器的输入端连接所述电压生成电路；所述比较器用于比较所述供电电压与所述第二参考电压，以输出比较信号；在所述供电电压大于所述第二参考电压的情况下，所述比较信号为低电平；在所述供电电压小于或等于所述第二参考电压的情况下，所述比较信号为高电平；反相器，所述反相器的输入端连接所述比较器的输出端；所述反相器用于输出与所述比较信号反相的反相信号；第二延迟单元，所述第二延迟单元的输入端连接所述反相器的输出端；所述第二延迟单元用于延迟所述反相信号，以输出延迟信号；或非门，所述或非门的第一输入端连接所述比较器的输出端；所述或非门的第二输入端连接所述第二延迟单元的输出端；所述或非门用于根据所述比较信号和所述延迟信号，输出预触发信号；其中，所述第二延迟单元的延迟时长用于确定所述预触发信号的脉冲宽度。

7、在一些实施例中，所述命令解码电路还用于根据存储控制器发出的第三外部命令，输出模式寄存器写命令；所述电压生成电路还用于根据所述模式寄存器写命令，调整所述第一参考电压。

8、在一些实施例中，所述电压校准装置还包括：控制逻辑电路，连接所述校准控制电路和所述电压生成电路；所述控制逻辑电路用于在接收到所述校准触发信号的情况下，增大所述电压生成电路输出的所述第一参考电压对应的工作电流。

9、第二方面，本公开实施例提供了一种电压校准方法，包括：产生第一参考电压和第二参考电压；根据存储控制器发出的第一外部命令，输出掉电模式启用信号；根据所述掉电模式启用信号，比较外部提供的供电电压和所述第二参考电压；基于所述供电电压和所述第二参考电压的比较结果，输出校准触发信号；根据所述校准触发信号，对所述第一参考电压进行校准操作；根据存储控制器发出的第二外部命令，输出掉电模式退出信号；其中，输出所述校准触发信号的时刻在所述供电电压达到额定电压之后，且在输出所述掉电模式退出信号之前。

10、在一些实施例中，所述方法还包括：在所述存储控制器发出所述第一外部命令之后，所述存储控制器将所述供电电压由第一电压降低至第二电压；所述第一电压高于所述第二参考电压，所述第二电压低于所述第二参考电压；在所述存储控制器发出所述第二外部命令之前，所述存储控制器将所述供电电压由所述第二电压升高至所述第一电压。

11、在一些实施例中，所述比较所述供电电压和所述第二参考电压，基于所述供电电压和所述第二参考电压的比较结果，输出校准触发信号，包括：在所述供电电压由所述第二电压上升至大于或等于所述第二参考电压时，输出预触发信号；延迟所述预触发信号，以在所述供电电压上升至所述第一电压之后，且在输出所述掉电模式退出信号之前，输出所述校准触发信号。

12、在一些实施例中，所述在所述供电电压由所述第二电压上升至大于或等于所述第二参考电压时，输出预触发信号，包括：比较所述供电电压与所述第二参考电压，以输出比较信号；在所述供电电压大于所述第二参考电压的情况下，所述比较信号为低电平；在所述供电电压小于或等于所述第二参考电压的情况下，所述比较信号为高电平；输出与所述比较信号反相的反相信号；延迟所述反相信号，以输出延迟信号；对所述比较信号和所述延迟信号进行或非运算，以输出预触发信号；其中，所述延迟信号的延迟时长用于确定所述预触发信号的脉冲宽度。

13、在一些实施例中，所述方法还包括：根据所述校准触发信号，增大所述第一参考电压对应的工作电流。

14、第三方面，本公开实施例提供了一种存储器，包括：外围电路，包括上述实施例中任一所述的电压校准装置；存储单元阵列，连接所述外围电路。

15、第四方面，本公开实施例提供了一种存储系统，包括：存储器，包括上述实施例中任一所述的电压校准装置；存储控制器。

16、在本公开实施例提供的电压校准装置中，命令解码器根据外部命令输出掉电模式启用信号和退出信号，校准控制电路在接收到掉电模式启用信号的情况下，比较供电电压和第二参考电压，以在供电电压达到额定电压之后，且接收到掉电模式退出信号之前，输出校准触发信号。如此，通过控制校准触发信号的输出时刻，电压校准电路可以在存储器退出掉电模式之前，完成第一参考电压的校准操作，从而在退出掉电模式之后，减少因存储器接收到用户命令而造成的逻辑错误。

技术特征：

1.一种电压校准装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电压校准装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的电压校准装置，其特征在于，所述校准控制电路包括：

4.根据权利要求3所述的电压校准装置，其特征在于，所述预触发单元包括：

5.根据权利要求1所述的电压校准装置，其特征在于，所述命令解码电路还用于根据存储控制器发出的第三外部命令，输出模式寄存器写命令；

6.根据权利要求1所述的电压校准装置，其特征在于，还包括：

7.一种电压校准方法，其特征在于，所述方法包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述比较所述供电电压和所述第二参考电压，基于所述供电电压和所述第二参考电压的比较结果，输出校准触发信号，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述供电电压由所述第二电压上升至大于或等于所述第二参考电压时，输出预触发信号，包括：

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

12.一种存储器，其特征在于，包括：

13.一种存储系统，其特征在于，包括：

技术总结本公开实施例提供一种电压校准装置及方法、存储器和存储系统，所述电压校准装置包括：命令解码电路，用于根据存储控制器发出的第一外部命令，输出掉电模式启用信号，以及存储控制器发出的第二外部命令输出掉电模式退出信号；电压生成电路，用于产生第一参考电压和第二参考电压；校准控制电路，连接电压生成电路和命令解码电路；在接收到掉电模式启用信号后，校准控制电路用于比较外部提供的供电电压和第二参考电压，以在供电电压达到额定电压之后，且接收到掉电模式退出信号之前，输出校准触发信号；电压校准电路，连接校准控制电路；电压校准电路用于根据校准触发信号，对第一参考电压进行校准操作。技术研发人员：史腾受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/16