内建自测试系统及电子设备的制作方法

本公开涉及半导体，特别是涉及一种内建自测试系统及电子设备。

背景技术：

1、集成电路测试的目的是检测生产制造中产生的缺陷，内建自测试(built in selftest，bist)是可测试性设计的一种重要方法。bist测试原理是测试电路内部产生测试数据，将其输入到被测电路，采集被测电路的反馈数据，以及验证反馈数据是否正确。随着存储系统的功能不断增多，完善存储系统的内建自测试电路的功能成为亟待解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种内建自测试系统及电子设备。

2、根据本公开的第一个方面，提供了一种内建自测试系统，包括：数据总线翻转信号产生器、以及耦接于所述数据总线翻转信号产生器的数据总线翻转信号比较器；

3、所述数据总线翻转信号产生器被配置为：将写操作数据总线翻转信号发送给所述数据总线翻转信号比较器，所述写操作数据总线翻转信号是基于写入数据和数据总线翻转规则确定的；

4、所述数据总线翻转信号比较器被配置为：接收所述写操作数据总线翻转信号、以及被测存储系统发送的读操作数据总线翻转信号，比较所述读操作数据总线翻转信号和所述写操作数据总线翻转信号，生成数据翻转总线信号比较结果；其中，所述读操作数据总线翻转信号是被测存储系统基于存储数据和所述数据总线翻转规则确定的，所述存储数据是所述被测存储系统基于所述写入数据确定的。

5、根据本公开的第二个方面，提供了一种电子设备，包括存储系统、以及耦接于所述存储系统的内建自测试系统；

6、所述内建自测试系统被配置为：在第一测试模式下，向存储系统发送写入数据；在第二测试模式下，向存储系统发送编码写入数据和写操作数据总线翻转信号；

7、所述存储系统被配置为：在第一测试模式下，向内建自测试系统发送读取数据和读操作数据总线翻转信号；在所述第二测试模式下，向所述内建自测试系统发送编码读取数据和所述读操作数据总线翻转信号。

8、本公开实施例提供的内建自测试系统中，数据总线翻转(data bus inversion，dbi)信号产生器(dbi产生器)在执行写操作时将写操作数据总线翻转信号(写操作dbi信号)发送给数据总线翻转信号比较器(dbi比较器)，dbi比较器在执行读操作时接收被测存储系统发送的读操作数据总线翻转信号(读操作dbi信号)，并比较读操作dbi信号和写操作dbi信号，生成数据总线翻转信号比较结果(dbi信号比较结果)，dbi信号比较结果可指示读操作dbi信号和写操作dbi信号是否一致。当dbi信号比较结果指示读操作dbi信号和写操作dbi信号不一致时，可以判断出被测存储系统读写操作异常；如果dbi信号比较结果是读操作dbi信号和写操作dbi信号一致，那么可以结合其它比较结果(比如数据比较结果)，继续判断被测存储系统的数据传输是否异常。本公开实施例提供的dbi信号检测可加快定位被测存储系统在数据传输中的异常，并且扩大了内建自测试系统的测试范围，提高了被测存储系统的可靠性。

技术特征：

1.一种内建自测试系统，其特征在于，包括：数据总线翻转信号产生器、以及耦接于所述数据总线翻转信号产生器的数据总线翻转信号比较器；

2.根据权利要求1所述的内建自测试系统，其特征在于，所述内建自测试系统可执行第一测试模式或者第二测试模式，所述第一测试模式用于在所述被测存储系统中的存储器控制器和存储器均启用数据总线翻转功能的情况下执行，所述第二测试模式用于在所述被测存储系统中的存储器控制器禁用所述数据总线翻转功能且存储器启用所述数据总线翻转功能的情况下执行；

3.根据权利要求2所述的内建自测试系统，其特征在于，所述数据产生器包括：第一数据产生单元和第二数据产生单元，

4.根据权利要求3所述的内建自测试系统，其特征在于，所述数据总线翻转信号产生器包括：第一信号产生单元和第二信号产生单元，

5.根据权利要求2所述的内建自测试系统，其特征在于，所述内建自测试系统还包括：数据比较器，耦接于所述数据产生器，被配置为：

6.根据权利要求5所述的内建自测试系统，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的内建自测试系统，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的内建自测试系统，其特征在于，所述内建自测试系统还包括：状态机，被配置为：在所述第一测试模式或者所述第二测试模式下，执行写操作和读操作；其中，所述执行写操作包括发出写入命令并所述控制所述数据产生器输出所述写入数据或者所述编码写入数据；所述执行读操作包括发出读取命令，以使所述数据比较器接收所述读取数据或者所述编码读取数据；

9.根据权利要求8所述的内建自测试系统，其特征在于，所述状态机包括多个状态，所述状态机被配置为：

10.一种电子设备，其特征在于，包括：存储系统、以及耦接于所述存储系统的内建自测试系统；

11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，所述存储系统包括存储器、以及耦接于所述存储器和所述内建自测试系统的存储器控制器；在第一测试模式下，所述存储器控制器和所述存储器均启用数据总线翻转功能；其中，

12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，在第二测试模式下，所述存储器控制器禁用所述数据总线翻转功能，且所述存储器启用数据总线翻转功能；其中，

技术总结本公开实施例提供了一种内建自测试系统及电子设备，该内建自测试系统包括：数据总线翻转信号产生器、以及与其耦接的数据总线翻转信号比较器；数据总线翻转信号产生器被配置为：将写操作数据总线翻转信号发送给数据总线翻转信号比较器，写操作数据总线翻转信号是基于写入数据和数据总线翻转规则确定的；数据总线翻转信号比较器被配置为：接收写操作数据总线翻转信号、以及被测存储系统发送的读操作数据总线翻转信号，比较读操作数据总线翻转信号和写操作数据总线翻转信号，生成数据翻转总线信号比较结果；其中，读操作数据总线翻转信号是被测存储系统基于存储数据和数据总线翻转规则确定的，存储数据是被测存储系统基于写入数据确定的。技术研发人员：彭浩程,王燚受保护的技术使用者：鼎道智芯（上海）半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29