存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统的制作方法

本公开涉及存储器装置和存储器系统。

背景技术：

1、用于存储数据的半导体存储器装置包括易失性存储器装置和非易失性存储器(nvm)装置。通过对单元电容器充电或放电来存储数据的易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(dram))在电力被施加时维持存储的数据，但是在电力被切断时丢失存储的数据。即使在电力被切断时，非易失性存储器装置也可存储数据。易失性存储器装置可用作计算机等的主存储器，并且非易失性存储器装置可用作大容量存储器，用于在宽范围的应用装置(诸如，计算机和便携式通信装置)中存储程序和数据。

2、根据在较小芯片中实现较大存储器容量的需要，易失性存储器装置正逐渐缩小。然而，具有发生缺陷的可能性的存储器单元可导致存储器装置具有劣化的性能。

技术实现思路

1、一个或多个示例实施例提供了装置性能和可靠性可被改善的存储器控制器和存储器系统。

2、根据示例实施例的一方面，一种存储器系统包括：存储器装置；以及存储器控制器，被配置为：基于刷洗周期来控制巡回刷洗操作，在巡回刷洗操作中，数据从存储器装置读取并且被重写到存储器装置中；以及基于存储器装置的错误计数值与多个风险阈值的比较来自适应地调节刷洗周期。

3、根据示例实施例的一方面，一种存储器系统包括：多个存储器装置；以及存储器控制器，被配置为：基于所述多个存储器装置的故障信息来识别风险等级，根据风险等级来设置刷洗周期，并且控制巡回刷洗操作以刷洗周期被执行。

4、根据示例实施例的一方面，一种存储器控制器，包括：非易失性存储器，存储故障信息；以及处理器，被配置为：基于故障信息控制刷新周期被设置，并且控制纠错码(ecc)引擎以刷洗周期执行刷洗操作，在刷洗操作中，从存储器装置读取的数据的位错误被检测和纠正，并且纠正的数据被写入存储器装置中。

5、示例实施例不限于上面提及的示例实施例，并且本领域技术人员将从本公开的以下描述清楚地理解在此未提及的本公开的附加目的。

技术特征：

1.一种存储器系统，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，错误计数值指示在存储器装置中已经发生的可纠正的错误的数量。

3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：

4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：控制对与存储的所述地址对应的存储器单元执行巡回刷洗操作。

5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述多个风险阈值被存储为用于存储器访问操作的寄存器位。

6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：

7.根据权利要求1至权利要求6中任意一项所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：基于存储器装置处于活动状态，控制巡回刷洗操作以刷洗周期被执行。

8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：基于存储器装置处于空闲状态，以预设的空闲刷洗周期执行巡回刷洗操作。

9.一种存储器系统，包括：

10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：基于所述多个存储器装置的操作状态，控制巡回刷洗操作以刷洗周期或空闲刷洗周期被执行。

11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：基于所述多个存储器装置处于空闲状态，在设置的时间段内执行至少两次巡回刷洗操作。

12.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：

13.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：

14.根据权利要求13所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：

15.根据权利要求12至权利要求14中任意一项所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：控制对与所述地址对应的存储器芯片的巡回刷洗操作以刷洗周期被执行。

16.一种存储器控制器，包括：

17.根据权利要求16所述的存储器控制器，其中，处理器还被配置为：

18.根据权利要求17所述的存储器控制器，其中，处理器还被配置为：

19.根据权利要求18所述的存储器控制器，其中，所述多个风险阈值、所述多个风险等级和与所述多个风险等级对应的多个刷洗周期的信息被存储为寄存器位。

20.根据权利要求17所述的存储器控制器，其中，故障信息指示其中检测到位错误的存储器单元的地址。

技术总结提供了存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统。所述存储器系统包括：存储器装置；以及存储器控制器，被配置为：基于刷洗周期控制巡回刷洗操作，在刷洗操作中，数据从存储器装置读取并且被重写到存储器装置；并且基于存储器装置的错误计数值与多个风险阈值的比较来自适应地调节刷洗周期。技术研发人员：朴璟珍,金成峻,李浩荣,韩京希受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/23