非易失性存储器件、具有该非易失性存储器件的存储设备和该非易失性存储器件的操作方法与流程

本公开涉及一种非易失性存储器件，并且更具体地，涉及一种从外部接收高电压的非易失性存储器件、包括该非易失性存储器件的存储设备以及操作该非易失性存储器件的方法。

背景技术：

1、作为非易失性存储器，闪存即使在其电源被切断时，也可以保留存储的数据。包括闪存的存储设备(例如，固态盘(ssd)和存储卡)被广泛使用，并且存储设备用于存储或移动大量数据。

技术实现思路

1、一方面提供了一种能够通过优化提供给字线的字线电压的生成和传输来改善功耗和效率方面的特性的非易失性存储器件、包括该非易失性存储器件的存储设备、以及操作该非易失性存储器件的方法。

2、根据一个或多个实施例的一方面，提供了一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括耦接到多条字线的存储单元；升压电路，被配置为接收外部电源电压，并基于外部电源电压生成升压电压；调节器，被配置为基于外部电源电压生成调节电压；以及控制逻辑，被配置为控制提供给多条字线的字线电压，其中，控制逻辑在针对存储单元阵列的编程操作中执行多个编程循环，并且其中，控制逻辑向与所选择的字线相邻的至少一条相邻字线提供相邻字线电压，并且其中，在多个编程循环的第一部分中，控制逻辑提供调节电压作为相邻字线电压，并且在多个编程循环的第二部分中，控制逻辑提供升压电压作为相邻字线电压。

3、根据一个或多个实施例的另一方面，提供了一种操作非易失性存储器件的方法，其中，该非易失性存储器件的编程操作包括多个编程循环，该方法包括：向所选择的字线提供通过对外部电源电压进行升压而生成的第一升压电压；向未选择的字线提供通过调节外部电源电压而生成的第一调节电压；在多个编程循环的初始循环中，向与所选择的字线相邻的至少一条相邻字线提供通过调节外部电源电压而生成的第二调节电压；以及在执行初始循环之后的后续循环中，向至少一条相邻字线提供通过对外部电源电压进行升压而生成的第二升压电压。

4、根据一个或多个实施例的另一方面，提供了一种存储设备，包括：具有存储单元阵列的非易失性存储器，存储单元阵列包括连接到多条字线的存储单元；控制器，被配置为控制非易失性存储器的存储操作；以及电源管理集成电路(pmic)，被配置为向非易失性存储器提供高电压，其中，该非易失性存储器包括：调节器，被配置为在编程操作中包括的多个编程循环的初始循环中，向与所选择的字线相邻的至少一条相邻字线提供通过调节高电压而生成的第一相邻字线电压；以及升压电路，被配置为在多个编程循环之中的在初始循环之后的后续循环中，向至少一条相邻字线提供通过对高电压进行升压而生成的第二相邻字线电压。

技术特征：

1.一种非易失性存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括接收所述外部电源电压和所述升压电压的开关，

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一部分包括所述多个编程循环中的初始编程循环，并且所述第二部分包括所述多个编程循环中的后续剩余编程循环。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述调节器包括第一调节器和第二调节器，

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，向所述所选择的字线提供其电平随着所述多个编程循环的执行而逐渐增大的增量步进脉冲编程ispp电压；

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，还包括被配置为对所述多个编程循环进行计数的计数器，

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述相邻字线电压的电平在执行所述多个编程循环的过程中逐步增大至少一次，

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述控制逻辑生成用于调整所述相邻字线电压的目标电平的调整代码，并且基于所述调整代码提供控制信号，以从所述调节电压作为所述相邻字线电压切换到所述升压电压作为所述相邻字线电压。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述外部电源电压具有在所述多个编程循环中要提供给所述至少一条相邻字线的电压的最小值和最大值之间的电平。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括竖直闪存器件，

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述存储单元被编程到多个阈值电压状态，

12.一种操作非易失性存储器件的方法，其中，所述非易失性存储器件的编程操作包括多个编程循环，所述方法包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，提供所述第二升压电压包括：向所述至少一条相邻字线提供通过调节所述第二升压电压而生成的第三调节电压。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述外部电源电压具有在所述多个编程循环中提供给所述至少一条相邻字线的电压的最小值和最大值之间的电平。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，在连续执行所述多个编程循环的同时，提供给所述至少一条相邻字线的电压的电平逐渐增大，

16.根据权利要求12所述的方法，其中，将存储单元编程到多个阈值电压状态，

17.一种存储设备，包括：

18.根据权利要求17所述的存储设备，其中，随着提供给所述所选择的字线的编程电压电平在所述多个编程循环中逐渐增大，所述调节器在所述初始循环中提供其电平上升至少一次的所述第一相邻字线电压，并且所述升压电路在所述后续循环中提供其电平上升至少一次的所述第二相邻字线电压。

19.根据权利要求18所述的存储设备，其中，所述升压电路通过调节对所述高电压进行升压而生成的升压电压来生成所述第二相邻字线电压。

20.根据权利要求18所述的存储设备，其中，所述pmic提供具有如下电平的所述高电压，所述电平在所述多个编程循环中要提供给所述至少一条相邻字线的电压的最小值和最大值之间。

技术总结一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括耦接到字线的存储单元；升压电路，接收外部电源电压，并基于外部电源电压生成升压电压；调节器，基于外部电源电压生成调节电压；以及控制逻辑，控制提供给字线的字线电压。控制逻辑在针对存储单元阵列的编程操作中执行多个编程循环。控制逻辑向与所选择的字线相邻的相邻字线提供相邻字线电压。在编程循环的第一部分中，控制逻辑提供调节电压作为相邻字线电压，并且在编程循环的第二部分中，控制逻辑提供升压电压作为相邻字线电压。技术研发人员：尹梓洋,金治贤,朴商秀,朴俊泓,尹治元,崔亨途受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/15