使用横向电荷迁移代理自优化校正读取偏移的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及在存储器子系统的存储器装置中使用横向电荷迁移代理自优化校正读取偏移。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、在一个实施例中，提供一种存储器子系统，所述存储器子系统包括：存储器装置，其包括多个单元，所述多个单元包括一组单元；及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置，所述处理装置用以执行包括以下者的操作：确定与所述一组单元相关联的电平信息，其中所述一组单元包括与读取操作相关联的目标单元；基于所述电平信息识别所述目标单元的读取电平偏移；及根据所述读取电平偏移执行所述读取操作。

2、在第二实施例中，提供一种方法，所述方法包括：由处理装置确定一组单元的电平信息，其中所述一组单元包括与读取操作相关联的目标单元；基于所述电平信息识别所述目标单元的读取电平偏移；及根据所述读取电平偏移执行所述读取操作。

3、在第三实施例中，提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，所述非暂时性计算机可读存储媒体包括指令，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下者的操作：由所述处理装置接收用以对存储器装置的多个单元中的一组单元的目标单元执行读取操作的读取请求；确定所述一组单元的电平信息；基于所述电平信息识别所述目标单元的读取电平偏移；及响应于识别所述读取电平偏移，根据所述读取电平偏移执行所述读取操作。

技术特征：

1.一种存储器子系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述电平信息包括电平状态宽度，且其中所述电平信息与所述一组单元的最低可编程电平相关联。

3.根据权利要求2所述的存储器子系统，所述操作进一步包括：

4.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中为了识别所述读取电平偏移，所述操作进一步包括：

5.根据权利要求4所述的存储器子系统，其中所述读取操作类型是校正读取操作。

6.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述电平信息包括电平移位，且其中所述电平信息与所述一组单元的最高可编程电平相关联。

7.根据权利要求6所述的存储器子系统，所述操作进一步包括：

8.一种方法，其包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电平信息包括电平状态宽度，且其中所述电平信息与所述一组单元的最低可编程电平相关联。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述读取操作类型是校正读取操作。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述电平信息包括电平移位，且其中所述电平信息与所述一组单元的最高可编程电平相关联。

14.根据权利要求13所述的方法，其中为了确定所述电平信息，所述方法进一步包括：

15.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下者的操作：

16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述电平信息包括电平状态宽度，且其中所述电平信息与所述一组单元的最低可编程电平相关联。

17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储媒体，所述操作进一步包括：

18.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，所述操作进一步包括：

19.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述电平信息包括电平移位，且其中所述电平信息与所述一组单元的最高可编程电平相关联。

20.根据权利要求19所述的非暂时性计算机可读存储媒体，所述操作进一步包括：

技术总结本申请涉及使用横向电荷迁移代理自优化校正读取偏移，以及一种存储器子系统，其具有：存储器装置，其具有多个单元，且所述多个单元具有一组单元；及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置，所述处理装置用以执行以下操作：确定与所述一组单元相关联的电平信息，其中所述一组单元包括与读取操作相关联的目标单元；基于所述电平信息识别所述目标单元的读取电平偏移；及根据所述读取电平偏移执行所述读取操作。技术研发人员：G·尼科西亚,合田晃,N·里盖蒂受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15