使用部分块处置的功率损耗错误检测的制作方法

本公开大体上涉及存储器装置、存储器装置操作及例如使用部分块处置的功率损耗错误检测。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于存储各种电子装置中的信息。存储器装置包含存储器单元。存储器单元是能够经编程为两个或更多个数据状态中的数据状态的电子电路。例如，存储器单元可经编程为表示单个二进制值(通常由二进制“1”或二进制“0”表示)的数据状态。作为另一实例，存储器单元可经编程为表示小数值(例如0.5、1.5或类似者)的数据状态。为了存储信息，电子装置可写入到或编程一组存储器单元。为了存取存储信息，电子装置可从所述一组存储器单元读取或感测存储状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、静态ram(sram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁ram(mram)、电阻式ram(rram)、全息ram(hram)、快闪存储器(例如nand存储器及nor存储器)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如快闪存储器)可长时间存储数据，即使没有外部电源。易失性存储器(例如dram)会随时间丢失存储数据，除非易失性存储器由电源刷新。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括一或多个组件，其经配置以：确定已发生功率损耗；确定与所述存储器装置的存储器的块的最后写入页面(lwp)相关联的lwp位置；确定以下中的一者：与所述lwp位置相关联的字线群组(wlg)及与所述wlg相关联的至少一个wlg相关偏移，或与所述lwp位置相关联的部分块(pb)填充比及与所述pb填充比相关联的至少一个pb填充比相关偏移；及通过将所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比偏移中的一者施加到与功率损耗错误检测程序相关联的至少一个读取参考电压来基于所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者执行所述功率损耗错误检测程序。

2、根据本公开的另一方面，提供一种方法。所述方法包括：由存储器装置的控制器确定已发生功率损耗；由所述存储器装置的所述控制器确定与所述存储器装置的存储器的块的最后写入页面(lwp)相关联的lwp位置；由所述存储器装置的所述控制器确定以下中的一者：与所述lwp位置相关联的字线群组(wlg)及与所述wlg相关联的至少一个wlg相关偏移，或与所述lwp位置相关联的部分块(pb)填充比及与所述pb填充比相关联的至少一个pb填充比相关偏移；及由所述存储器装置的所述控制器通过将所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比偏移中的一者施加到与功率损耗错误检测程序相关联的至少一个读取参考电压来基于所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比偏移中的所述一者执行所述功率损耗错误检测程序。

3、根据本公开的又一方面，提供一种设备。所述设备包括：用于确定已发生功率损耗的构件；用于确定与所述设备相关联的存储器的块的最后写入页面(lwp)相关联的lwp位置的构件；用于确定以下中的一者的构件：与所述lwp位置相关联的字线群组(wlg)及与所述wlg相关联的至少一个wlg相关偏移，或与所述lwp位置相关联的部分块(pb)填充比及与所述pb填充比相关联的至少一个pb填充比相关偏移；及用于通过将所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比偏移中的一者施加到与功率损耗错误检测程序相关联的至少一个读取参考电压来基于所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者执行所述功率损耗错误检测程序的构件。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以：

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以：

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述功率损耗错误检测程序与nand检测程序完成程序相关联。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述功率损耗错误检测程序是基于与额外页面数据相关联的失败位计数。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者包含与层级3读取参考电压相关联的至少一偏移。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以通过使用查找表来确定所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者包含约-40毫伏(mv)到约-240mv的范围内的偏移。

9.一种方法，其包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述功率损耗错误检测程序与nand检测程序完成程序相关联。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述功率损耗错误检测程序是基于与额外页面数据相关联的失败位计数。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者包含与层级3读取参考电压相关联的至少一偏移。

15.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括由所述存储器装置的所述控制器通过使用查找表来确定所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者。

16.根据权利要求9所述的方法，其中所述至少一个wlg相关偏移或所述至少一个pb填充比相关偏移中的所述一者包含约-40毫伏(mv)到约-240mv的范围内的偏移。

17.一种设备，其包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

19.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

20.根据权利要求17所述的设备，其中所述功率损耗错误检测程序与nand检测程序完成程序相关联。

技术总结本公开涉及使用部分块处置的功率损耗错误检测。在一些实施方案中，一种存储器装置可确定已发生功率损耗。所述存储器装置可确定与所述存储器装置的存储器的块的最后写入页面LWP相关联的LWP位置。所述存储器装置可确定以下中的一者：与所述LWP位置相关联的字线群组WLG及与所述WLG相关联的至少一个WLG相关偏移；或与所述LWP位置相关联的部分块PB填充比及与所述PB填充比相关联的至少一个PB填充比相关偏移。所述存储器装置可通过将所述至少一个WLG相关偏移或所述至少一个PB填充比偏移中的一者施加到至少一个读取参考电压来基于所述至少一个WLG相关偏移或所述至少一个PB填充比偏移中的所述一者执行功率损耗错误检测程序。技术研发人员：张鹏,林磊,许中广,张立德,陈振刚,郎慕蓉,周振明受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27