溅射靶部件、溅射靶组件、以及成膜方法与流程

本发明在一实施方式中，涉及一种磁记录层用溅射靶部件。本发明在另一实施方式中，涉及一种具备这样的溅射靶部件的溅射靶组件。本发明在又一实施方式中，涉及一种使用这样的溅射靶部件的成膜方法。

背景技术：

1、在以硬盘驱动为代表的磁性记录的领域，作为发挥记录作用的磁性薄膜的材料，已经使用采用强磁性金属的co、fe或ni作为基材的材料。例如，在近年实际应用的采用垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，通常使用在以co为主要成分的co－pt系的强磁性合金中分散有氧化物粒子以及碳粒子等非磁性粒子的复合材料。记录层，通过使得非磁性粒子将磁性粒子磁性地分离开的这种粒状结构被微细化，因此每单位面积的记录量增大。

2、磁性薄膜，基于高生产性的观点，通常使用磁控溅射装置对以上述材料为成分的溅射靶进行溅射，由此制造。因此，以往基于各种观点，进行了磁性薄膜形成用的溅射靶的技术开发。

3、专利文献1(日本特开2013－37730号公报)中，公开了一种将构成fept的l10型有序合金的金属(磁性金属、贵金属)以及碳进行混合的溅射靶。

4、在该文献中，为了能够抑制磁记录介质的磁头间距的扩大，并提高记录密度，公开了一种一种垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

5、(1)在非磁性基板上，形成包含有序合金的结晶粒子以及由碳构成的粒界层的磁记录层，并形成存在于所述磁记录层上且由碳构成的保护层前体的步骤，

6、(2)对所述保护层前体，照射对碳化氢系气体进行等离子体放电而生成的碳化氢系离子，以使得保护层前体变成保护层的步骤，

7、所述碳化氢系离子，在到达所述保护层前体时，具有300ev以上的能量。

8、专利文献2(国际公开第2014/132746号)中，公开了一种含有fe、pt和c的fept－c系溅射靶，其特征在于，具有如下结构：包括不可避免的杂质的1次粒子的c以彼此不接触的方式，分散在含有33at％以上60at％以下的pt且余量由fe和不可避免的杂质构成的fept系合金相中。根据专利文献2，认为该fept－c系溅射靶的微粒较少。

9、专利文献3(日本2018－172770号公报)中公开了一种强磁性材溅射靶，以co：pt＝x：100－x(59≤x＜100)的摩尔比计，合计含有70mol％以上的金属co以及金属pt，且含有0mol％以上20mol％以下的金属cr，具有：含有90mol％以上的金属co且平均粒径为30～300μm的co粒子相；以及，在以摩尔比计为co：pt＝y：100－y(20≤y≤60.5)的条件下合计含有70mol％以上的金属co以及金属pt，并且平均粒径为7μm以下的co－pt合金粒子相。专利文献3中，公开了一种强磁性材溅射靶，合计含有25mol％以下的从碳、氧化物、氮化物、碳化物以及碳氮化物所构成的群组中选择的一种或两种以上的非磁性材料，并且认为该强磁性材溅射靶由于采用了使得co－pt合金相微细化，同时使得co相粗大化的方法，因此漏磁通高，在溅射时也能够抑制微粒的产生。

10、专利文献4(国际公开第2012/081340号)中，提出了在磁记录膜用溅射靶中，除了添加sio2之外，还进行添加10wtppm以上的b(硼)的步骤。其认为通过抑制成为溅射时产生微粒的原因的方英石的形成，能够抑制靶的微裂纹以及以及溅射中的微粒产生，并且能够缩短老化(burn-in)时间。

11、现有技术文献

12、专利文献

13、专利文献1：日本特开2013-37730号公报

14、专利文献2：国际公开第2014/132746号

15、专利文献3：日本特开2018-172770号公报

16、专利文献4：国际公开第2012/081340号

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、近年，在成膜磁记录层时，会预先将基板加热(例：200℃左右)。虽然主要的目的是提高磁性粒子的结晶性，但是在次要的影响下氧化物粒子会向磁性粒子侧进行扩散，成膜后的磁特性可能会降低。因此，作为在高温下也稳定的粒界材料，可以考虑使用碳。然而，若仅仅添加碳则微粒激增，收率显著降低。通过采用在上文所述的现有技术文献中记载的技术来减少微粒的策略是可行的，但是存在极限。因此，基于能够增加技术的选择项，并且能够进一步扩展技术开发的可能性的观点，如果能够通过与之不同的途径来减少微粒，则是有用的。

3、因此，本发明在一实施方式中，要解决的技术问题是，提供一种从与上述的现有技术不同的观点出发的、能够抑制微粒的产生的磁记录层用溅射靶部件。本发明在另一实施方式中，要解决的技术问题是，提供一种具备这样的溅射靶部件的溅射靶组件。本发明在另一实施方式中，要解决的技术问题是，提供一种使用这样的溅射靶部件的成膜方法。

4、解决技术问题的方法

5、本发明人为了解决上述技术问题进行深入研究，结果发现，使用碳化物的比率提高的co－pt系的溅射靶部件，对于抑制微粒是有效的。本发明基于上述知识而完成，在下文中进行示例。

6、[1]

7、该磁记录层用溅射靶部件，含有：10～70mol％的co，5～30mol％的pt，1.5～10mol％的碳化物，并且，合计含有0～30mol％的从碳、氧化物、氮化物以及碳氮化物中选择的一种或两种以上的非磁性材料。

8、[2]

9、如[1]所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，与碳和碳化物的合计相比的碳化物的摩尔比为0.25以上。

10、[3]

11、如[1]或[2]所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，含有从b4c、cr3c2以及tic中选择的一种或两种以上作为碳化物。

12、[4]

13、如[3]所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，合计含有1.5～10mol％的从b4c、cr3c2以及tic中选择的一种或两种以上。

14、[5]

15、如[1]～[4]中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，合计含有30mol％以下的从cr、ru、b、ti、si以及mn中选择的一种或两种以上的金属元素。

16、[6]

17、如[1]～[5]中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，相对密度为90％以上。

18、[7]

19、一种溅射靶组件，具备如[1]～[6]中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件，和与该溅射靶部件接合的背管或背板。

20、[8]

21、一种成膜方法，包括对如[1]～[6]中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件进行溅射。

22、发明的效果

23、根据本发明的一实施方式，由于碳化物在高温下也稳定，因此能够抑制对成膜后的磁特性的影响，并且可得到减少溅射时的微粒的特别的效果。

技术特征：

1.一种磁记录层用溅射靶部件，含有：10～70mol％的co，5～30mol％的pt，1.5～10mol％的碳化物，并且，合计含有0～30mol％的从碳、氧化物、氮化物以及碳氮化物中选择的一种或两种以上的非磁性材料。

2.如权利要求1所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，与碳和碳化物的合计相比的碳化物的摩尔比为0.25以上。

3.如权利要求1或2所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，含有从b4c、cr3c2以及tic中选择的一种或两种以上作为碳化物。

4.如权利要求3所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，合计含有1.5～10mol％的从b4c、cr3c2以及tic中选择的一种或两种以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，合计含有30mol％以下的从cr、ru、b、ti、si以及mn中选择的一种或两种以上的金属元素。

6.如权利要求1～5中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，该磁记录层用溅射靶部件的相对密度为90％以上。

7.一种溅射靶组件，具备如权利要求1～6中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件，和与该溅射靶部件接合的背管或背板。

8.一种成膜方法，包括对如权利要求1～6中任一项所述的磁记录层用溅射靶部件进行溅射。

技术总结本发明提供一种能够抑制微粒的产生的磁记录层用溅射靶部件。该磁记录层用溅射靶部件，含有：10～70mol％的Co，5～30mol％的Pt，1.5～10mol％的碳化物，并且，合计含有0～30mol％的从碳、氧化物、氮化物以及碳氮化物中选择的一种或两种以上的非磁性材料。技术研发人员：小庄孝志,岩渊靖幸受保护的技术使用者：JX金属株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/27