存储器装置及其操作方法、存储器系统与流程

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。

背景技术：

1、存储器装置是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器，nand(not-and，与非型)闪存器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性，已经成为存储市场中的主流产品。

2、随着对存储器装置要求的不断提高，如何提高编程效率成为本领域现阶段亟需解决的技术问题之一。

技术实现思路

1、本公开实施例提出一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。

2、第一方面，本公开实施例提供一种存储器装置，所述存储器装置包括存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路；其中，

3、所述存储阵列包括多条字线；

4、所述外围电路被配置为：

5、将第一目标编程电压施加在所述多条字线中选中的字线上；在开始施加所述第一目标编程电压对应的上升脉冲之前，产生所述第一目标编程电压。

6、上述方案中，所述外围电路包括控制逻辑及与所述控制逻辑耦接的编程电压产生器；

7、所述控制逻辑被配置为：

8、在对所述选中的字线开始施加所述第一目标编程电压对应的上升脉冲之前，控制所述编程电压产生器产生所述第一目标编程电压；

9、将所述第一目标编程电压施加在所述选中的字线上。

10、上述方案中，所述控制逻辑被配置为：

11、在第一沟道升压阶段，将所述编程电压产生器产生的电压上升至第一目标编程电压；以及对所述选中的字线施加沟道上升电压；

12、在所述第一沟道升压阶段之后的第一编程脉冲阶段，将编程电压产生器产生的第一目标编程电压施加在所述选中的字线上，以使所述选中的字线的电压从所述沟道上升电压上升至第二目标编程电压，所述第二目标编程电压小于或等于所述第一目标编程电压。

13、上述方案中，所述外围电路还包括行驱动器，所述编程电压产生器通过行驱动器中的第一晶体管与所述选中的字线耦接；所述控制逻辑被配置为：

14、在所述第一编程脉冲阶段，将所述第一晶体管导通，以使编程电压产生器产生的第一目标编程电压连接至所述选中的字线。

15、上述方案中，所述外围电路还包括与所述控制逻辑耦接的驱动电压产生器；所述控制逻辑被配置为：

16、在所述第一沟道升压阶段，将所述驱动电压产生器产生的电压上升至第一电压，并在所述第一编程脉冲阶段保持所述第一电压；

17、在所述第一编程脉冲阶段，在所述第一晶体管的栅极施加所述第一电压，以使所述第一晶体管导通。

18、上述方案中，所述第一电压与所述第一目标编程电压之间的电压差大于所述第一晶体管的开启电压。

19、上述方案中，所述控制逻辑被配置为：

20、在所述第一沟道升压阶段之前的第一沟道预充电阶段，将所述编程电压产生器产生的电压上升至第一中间电压，将所述驱动电压产生器产生的电压上升至第二中间电压；

21、在所述第一沟道升压阶段，将所述编程电压产生器产生的电压从所述第一中间电压上升至所述第一目标编程电压，将所述驱动电压产生器产生的电压从所述第二中间电压上升至所述第一电压。

22、上述方案中，所述外围电路还包括行驱动器，所述外围电路还包括与所述控制逻辑耦接的沟道上升电压产生器，所述沟道上升电压产生器通过所述行驱动器中的第二晶体管与所述选中的字线耦接；所述控制逻辑被配置为：

23、在所述第一沟道升压阶段，将所述第二晶体管导通，以使沟道上升电压产生器产生的沟道上升电压连接至所述选中的字线。

24、上述方案中，所述控制逻辑被配置为：

25、在所述第一编程脉冲阶段，在所述第二晶体管的栅极施加第二电压，以使所述第二晶体管关断。

26、上述方案中，所述第二电压和所述沟道上升电压之间的电压差小于所述第二晶体管的开启电压。

27、上述方案中，所述控制逻辑被配置为：

28、在所述第一编程脉冲阶段之后的第一恢复阶段，通过多次阶梯式降压将所述选中的字线的电压从所述第二目标编程电压降低到第三电压。

29、上述方案中，所述控制逻辑被配置为：

30、在第二沟道升压阶段，将所述编程电压产生器产生的电压上升至第三目标编程电压，所述第三目标编程电压大于所述第一目标编程电压；以及对所述选中的字线施加所述沟道上升电压；

31、在所述第二沟道升压阶段之后的第二编程脉冲阶段，将编程电压产生器产生的第三目标编程电压连接至所述选中的字线，以使所述选中的字线的电压从所述沟道上升电压上升至第四目标编程电压，所述第四目标编程电压小于或等于所述第三目标编程电压。

32、上述方案中，所述存储器装置包括三维nand型存储器。

33、第二方面，本公开实施例提供一种存储器系统，包括：

34、一个或多个如上述任一方案所述的存储器装置；以及

35、存储器控制器，其与所述存储器装置耦接并控制所述存储器装置。

36、第三方面，本公开实施例提供了一种存储器装置的操作方法，包括：

37、在对所述存储器装置中选中的字线开始施加第一目标编程电压对应的上升脉冲之前，产生所述第一目标编程电压；

38、将产生的第一目标编程电压施加在所述选中的字线上。

39、上述方向中，产生所述第一目标编程电压，包括：

40、在第一沟道升压阶段，产生所述第一目标编程电压，并对所述选中的字线施加沟道上升电压；

41、所述将产生的第一目标编程电压施加在所述选中的字线上，包括：

42、在所述第一沟道升压阶段之后的第一编程脉冲阶段，将产生的第一目标编程电压施加在所述选中的字线上，以使所述选中的字线的电压从所述沟道上升电压上升至第二目标编程电压，所述第二目标编程电压小于或等于所述第一目标编程电压。

43、上述方案中，所述方法还包括：

44、在所述第一沟道升压阶段之前的第一沟道预充电阶段，将所述编程电压产生器产生的电压上升至第一中间电压；

45、在所述第一沟道升压阶段，将所述编程电压产生器产生的电压从所述第一中间电压上升至所述第一目标编程电压。

46、上述方案中，所述方法还包括：

47、在所述第一编程脉冲阶段之后的第一恢复阶段，通过多次阶梯式降压将所述选中的字线的电压从所述第二目标编程电压降低到第三电压。

48、上述方案中，所述方法还包括：

49、在第二沟道升压阶段，产生第三目标编程电压，并对所述选中的字线施加所述沟道上升电压；所述第三目标编程电压大于所述第一目标编程电压；

50、在所述第二沟道升压阶段之后的第二编程脉冲阶段，将产生的第三目标编程电压连接至所述选中的字线，以使所述选中的字线的电压从所述沟道上升电压上升至第四目标编程电压，所述第四目标编程电压小于或等于所述第三目标编程电压。

51、本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括：存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路；其中，所述存储阵列包括多条字线；所述外围电路被配置为：将第一目标编程电压施加在所述多条字线中选中的字线上；在开始施加所述第一目标编程电压对应的上升脉冲之前，产生所述第一目标编程电压。本公开实施例中，在对选中的字线开始施加第一目标编程电压对应的上升脉冲之前先产生目标编程电压，之后再将该目标编程电压施加在选中的字线上，使得选中的字线能够直接快速的上升至该目标编程电压附近，避免了由于一边产生目标编程电压一边施加在选中的字线上时，导致的选中的字线上升至该目标编程电压附近的速度慢，如此，本公开实施例中，选中的字线的上升速度更快，相同时序内编程脉冲效率更高，可减少编程脉冲数，从而提高编程效率。