带有多个软垫层的磁记录介质以及与其一起使用的磁记录装置的制作方法

在一些方面，本公开涉及磁记录介质以及与磁记录介质一起使用的磁记录装置。更具体地，但非唯一地，本公开涉及被配置用于与热辅助磁记录(hamr)一起使用的带有软垫层(sul)的磁记录介质。

背景技术：

1、诸如硬盘驱动器(hdd)之类的磁存储系统用于静止和移动计算环境中的多种设备中。结合磁存储系统的设备的示例包括台式计算机、便携式笔记本计算机、便携式硬盘驱动器、高清晰度电视(hdtv)接收器、电视机顶盒、视频游戏控制器和便携式媒体播放器。

2、典型的磁盘驱动器包括呈一个或多个平盘形式的磁存储介质。磁盘通常由少数主要物质形成，即赋予其结构和刚性的基板材料，保持存储数字数据的磁脉冲或磁矩的磁记录层，以及用以保护磁记录层的介质外覆层和润滑层。典型的磁盘驱动器还包括通常呈磁换能器形式的读取头和写入头，该磁换能器可以感测和/或改变存储在磁盘的记录层上的磁矩。

3、热辅助磁记录(hamr)系统可以增加在各种磁介质上以磁方式记录的信息的面密度。为了实现用于磁存储的更高面密度，可能需要更小的磁晶粒尺寸(例如，小于6纳米(nm))。在hamr中，在写入期间将高温施加于介质以便于对小晶粒进行记录，该小晶粒通过设计具有高磁各向异性。可以使用耦接到hamr磁盘驱动器的滑块的激光二极管的近场换能器来实现高温。

4、与hamr一起使用的至少一些磁记录介质在磁记录层下面采用软垫层(sul)，该软垫层为写入操作期间来自滑块的磁记录头的磁通量提供返回路径。本公开的各方面涉及配置和定位此类sul层。

技术实现思路

1、下文呈现了对本公开的一些方面的简要概述，以提供对这些方面的基本理解。该概述并不是对本公开的所有设想特征的广泛概述，并且既不旨在标识本公开的所有方面的关键或重要元素，也不旨在描绘本公开的任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本公开的一些方面的各种概念，以作为稍后呈现的更详细描述的序言。

2、在一个实施方案中，提供了一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基板；位于该基板上的第一软垫层(sul)，其中该第一sul被配置和定位在该磁记录介质内以便为磁通量提供第一返回路径；位于该第一sul上的散热片层；位于该散热片层上的第二sul，其中该第二sul被配置和定位在该磁记录介质内以便为磁通量提供不同于该第一返回路径的第二返回路径；和位于该第二sul上的磁记录层。磁记录介质可以是热辅助磁记录(hamr)介质。

3、在另一个实施方案中，提供了一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基板；直接位于该基板上的粘附层；直接位于该粘附层上的第一sul；直接位于该第一sul上的散热片层；位于该散热片层上的第二sul；和位于该第二sul上的磁记录层。磁记录介质可以是hamr介质。

4、在另一个实施方案中，提供了一种磁记录装置，该磁记录装置包括磁记录头；和磁记录介质，该磁记录介质包括：基板；位于该基板上的第一sul，其中该第一sul具有距该磁记录头不超过125nm的顶表面，同时该磁记录头被定位成向该磁记录介质写入数据；位于该第一sul上的散热片层；位于该散热片层上的第二sul，其中该第二sul具有距该磁记录头不超过40nm的顶表面，同时该磁记录头被定位成向该磁记录介质写入数据；和位于该第二sul上的磁记录层。磁记录装置可以是hamr装置。

5、在另一个实施方案中，提供了一种用于制造磁记录介质的方法。该方法包括：提供基板；提供直接位于该基板上的粘附层；提供直接位于该粘附层上的第一软垫层(sul)；提供直接位于该第一sul上的散热片层；提供位于该散热片层上的第二sul；以及提供位于该第二sul上的磁记录层。所制造的磁记录介质可以是hamr介质。

6、通过阅读随后的详细描述，将更全面地理解本公开的这些和其他方面。通过阅读以下结合附图对本公开的具体实施方式的描述，本公开的其他方面、特征和具体实施对于本领域普通技术人员而言将变得显而易见。尽管可以相对于下文的某些具体实施和附图来讨论本公开的特征，但本公开的所有具体实施可以包括本文所讨论的有利特征中的一者或多者。换句话讲，尽管可以将一个或多个具体实施讨论为具有某些有利特征，但也可以根据本文所讨论的本公开的各种具体实施使用这些特征中的一者或多者。类似地，尽管某些具体实施在下文可以作为设备具体实施、系统具体实施或方法具体实施来讨论，但应当理解，此类具体实施可以在各种设备、系统和方法中实现。

技术特征：

1.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一sul和所述第二sul各自包含饱和磁通量密度大于1.2特斯拉的材料。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一sul和所述第二sul各自包含cozrwmo。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一sul和所述第二sul中的一者或两者包含co、fe或ni与w、mo、ta、nb、cr、b、si或c中的一种或多种或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一sul和所述第二sul被配置和定位成在写入操作期间在所述磁记录层内实现具有大于7000奥斯特的绝对量的垂直磁场强度。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二sul被配置和定位成与不具有所述第二sul的相应磁记录介质的磁记录层内的磁场强度相比，在写入操作期间将所述磁记录层内的磁场强度增加至少10％。

7.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一sul具有距所述磁记录介质的顶表面约110纳米(nm)的顶表面。

8.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一sul具有距所述磁记录介质的顶表面不大于120纳米(nm)的顶表面。

9.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二sul具有距所述磁记录介质的顶表面约25纳米(nm)的顶表面。

10.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二sul具有距所述磁记录介质的顶表面不大于30纳米(nm)的顶表面。

11.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述磁记录介质被配置用于热辅助磁记录(hamr)。

12.一种数据存储设备，所述数据存储设备包括：

13.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

14.根据权利要求13所述的磁记录介质，其中所述第二sul直接位于所述散热片层上。

15.根据权利要求13所述的磁记录介质，还包括直接位于所述第二sul上的晶种层，所述晶种层被配置成为随后沉积的层提供生长模板，其中所述磁记录层位于所述晶种层上。

16.根据权利要求15所述的磁记录介质，其中所述晶种层包括选自由mgo和mgo-tio组成的组的材料。

17.一种磁记录装置，所述磁记录装置包括：

18.一种用于制造磁记录介质的方法，所述方法包括：

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一sul和所述第二sul各自包含cozrwmo。

技术总结公开了用于热辅助磁记录(HAMR)的各种装置、系统、方法和介质，在一些示例中，这些装置、系统、方法和介质提供了带有位于单个散热片层的相对侧上的两个软垫层(SUL)的HAMR介质。例如，提供了一种包括位于基板上的较低SUL的磁记录介质。该较低SUL被配置和定位在该介质内以便为写入操作期间来自磁记录头的磁通量提供第一返回路径。该介质还包括位于该较低SUL上的散热片层和位于该散热片层上的较高SUL。该较高SUL被配置和定位在该介质内以便为来自该磁记录头的磁通量提供第二返回路径。磁记录层设置在该较高SUL上以在该写入操作期间存储信息。也可提供附加层或膜。技术研发人员：A·巴希尔,P-O·朱伯特,A·阿健,P·C·多尔西受保护的技术使用者：西部数据技术公司技术研发日：技术公布日：2024/4/22