带有被配置为减少钛到磁记录层中的扩散的垫层的磁记录介质的制作方法

在一些方面中，本公开涉及磁记录介质。更具体地，但非唯一地，本公开涉及被配置用于与热辅助磁记录(hamr)一起使用的磁记录介质。

背景技术：

1、诸如硬盘驱动器(hdd)之类的磁存储系统用于静止和移动计算环境中的多种设备中。结合磁存储系统的设备的示例包括台式计算机、便携式笔记本计算机、便携式硬盘驱动器、高清晰度电视(hdtv)接收器、电视机顶盒、视频游戏控制器和便携式媒体播放器。

2、典型的磁盘驱动器包括呈一个或多个平磁盘形式的磁存储介质。磁盘通常由少数主要物质形成，即赋予其结构和刚性的基板材料，保持存储数字数据的磁脉冲或磁矩的磁记录层，以及用以保护磁记录层的介质外覆层和润滑层。典型的磁盘驱动器还包括通常呈磁换能器形式的读取头和写入头，该磁换能器可以感测和/或改变存储在磁盘的记录层上的磁场。

3、热辅助磁记录(hamr)系统可以增加在各种磁介质上以磁方式记录的信息的面密度。为了实现用于磁存储的更高面密度，可能需要更小的磁晶粒尺寸(例如，小于6纳米(nm))。在hamr中，在写入期间将高温施加于介质以便于到小晶粒的记录。可以使用耦接到hamr磁盘驱动器的滑块的激光二极管的近场换能器来实现高温。

4、与hamr一起使用的至少一些磁记录介质采用在磁记录层或多个磁记录层下面的镁-钛氧化物(mto)层。可能出现涉及钛从mto层到磁记录层中的扩散的问题。本公开的方面涉及解决用于与hamr一起使用的磁记录介质或其他磁记录介质内的扩散问题。

技术实现思路

1、下文呈现了对本公开的一些方面的简要概述，以提供对这些方面的基本理解。该概述并不是对本公开的所有设想特征的广泛概述，并且既不旨在标识本公开的所有方面的关键或重要元素，也不旨在描绘本公开的任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本公开的一些方面的各种概念，以作为稍后呈现的更详细描述的序言。

2、在一个实施方案中，提供了一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基板；在基板上的散热片层；在散热片层上的包含mgotio(mto)的垫层，其中垫层还包含被配置为与钛化学键合的添加剂材料；以及在垫层上的磁记录层。在一些方面中，记录介质被配置用于与能量/热辅助磁记录(hamr)一起使用。在一些方面中，添加剂材料包括feo、fe、c或al2o3中的至少一者。在一些方面中，mto垫层中的添加剂材料被配置为相对于在没有添加剂材料的情况下发生的扩散的量，减少钛到磁记录层中的扩散的量。在一些方面中，mto垫层包含：(100-a)[(100-b)mgo-btio]-ax，其中x为添加剂材料，其中a在0.1mol％至10mol％的范围内，包括端值在内，并且其中b在40mol％至100mol％的范围内，包括端值在内。在一些方面中，记录介质还包括在mto垫层与磁记录层之间的mgo-n2层。在一些方面中，mgo-n2层还包含feo、fe、c、或al2o3中的至少一者。在一些方面中，记录介质还包括在基板与散热片层之间的按顺序的粘附层、软垫层(sul)和晶种层，以及在散热片层与mto垫层之间的热阻层。在一些方面中，在磁记录层上提供封盖层，并且在封盖层上提供碳外覆层(coc)。

3、在另一个实施方案中，提供了一种用于制造记录介质的方法。该方法包括：提供基板；提供在基板上的散热片层；提供在散热片层上的包含mto的垫层，其中垫层还包含被配置为与钛化学键合的添加剂材料。在一些方面中，添加剂材料包括feo、fe、c或al2o3中的至少一者。在一些方面中，mto垫层中的添加剂材料的量被选择以相对于在没有所述添加剂材料的情况下发生的扩散的量，减少钛到磁记录层中的扩散的量。在一些方面中，mto垫层包含：(100-a)[(100-b)mgo-btio]-ax，其中x为添加剂材料，其中a在0.1mol％至10mol％的范围内，包括端值在内，并且其中b在40mol％至100mol％的范围内，包括端值在内。在一些方面中，该方法还包括提供在mto垫层与磁记录层之间的mgo-n2层。在一些方面中，mgo-n2层还包含feo、fe、c、或al2o3中的至少一者。在一些方面中，该方法还包括：提供在基板与散热片层之间的按顺序的粘附层、sul和晶种层，以及提供在散热片层与mto垫层之间的热阻层。在一些方面中，该方法包括：提供在磁记录层上的封盖层，以及提供在封盖层上的coc。

4、在又一个实施方案中，提供了一种被配置用于hamr的介质，该介质包括：基板；在基板上的散热片层；在散热片层上的包含mgotio(mto)的垫层；以及在垫层上的磁记录层；其中垫层还包含添加剂材料，该添加剂材料将从垫层到磁记录层中的钛的扩散的量减少至不超过两纳米。例如，在一些方面中，垫层的mto包含：(100-a)[(100-b)mgo-btio]-ax，其中a在0.1mol％至10mol％的范围内，包括端值在内，并且其中b在40mol％至100mol％的范围内，包括端值在内。在一些方面中，添加剂材料x包括feo、fe、c、或al2o3中的至少一者。

5、通过阅读随后的详细描述，将更全面地理解本公开的这些和其他方面。通过阅读以下结合附图对本公开的具体实施方式的描述，本公开的其他方面、特征和具体实施对于本领域普通技术人员而言将变得显而易见。尽管可以相对于下文的某些具体实施和附图来讨论本公开的特征，但本公开的所有具体实施可以包括本文所讨论的有利特征中的一者或多者。换句话讲，尽管可以将一个或多个具体实施讨论为具有某些有利特征，但也可以根据本文所讨论的本公开的各种具体实施使用这些特征中的一者或多者。类似地，尽管某些具体实施在下文可以作为设备具体实施、系统具体实施或方法具体实施来讨论，但应当理解，此类具体实施可以在各种设备、系统和方法中实现。

技术特征：

1.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述添加剂材料包括feo、fe、c或al2o3中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述垫层包含：

4.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述添加剂材料被配置为相对于在没有所述添加剂材料的情况下发生的扩散的量，减少钛从所述垫层到所述磁记录层中的扩散的量。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质，还包括在所述垫层与所述磁记录层之间的mgo-n2层。

6.根据权利要求5所述的磁记录介质，其中所述mgo-n2层还包括feo、fe、c或al2o3中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的磁记录介质，还包括在所述基板与所述散热片层之间的按顺序的粘附层、软垫层(sul)和晶种层，以及在所述散热片层与所述垫层之间的热阻层。

8.根据权利要求7所述的磁记录介质，其中所述粘附层包含nita，所述晶种层包含rual，所述散热片层包含cr，并且所述热阻层包含rualtio2。

9.根据权利要求1所述的磁记录介质，还包括在所述磁记录层上的封盖层以及在所述封盖层上的碳外覆层(coc)。

10.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述磁记录层包括fept。

11.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述添加剂材料包括等同于所述垫层的5％(mol％)的feo。

12.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述磁记录介质被配置用于热辅助磁记录(hamr)。

13.一种数据存储设备，所述数据存储设备包括：

14.一种用于制造记录介质的方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述添加剂材料包括feo、fe、c或al2o3中的至少一者。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述垫层包含：

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述垫层中的所述添加剂材料的量被选择以相对于在没有所述添加剂材料的情况下发生的扩散的量，减少钛从所述垫层到所述磁记录层中的扩散的量。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括在所述垫层与所述磁记录层之间提供mgo-n2层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述mgo-n2层还包括feo、fe、c或al2o3中的至少一者。

20.根据权利要求14所述的方法，还包括：提供在所述基板与所述散热片层之间的按顺序的粘附层、软垫层(sul)和晶种层，以及提供在所述散热片层与所述垫层之间的热阻层。

21.根据权利要求14所述的方法，其中所述磁记录层被配置用于热辅助磁记录(hamr)。

22.一种被配置用于热辅助磁记录(hamr)的介质，所述hamr介质包括：

23.根据权利要求22所述的hamr介质，其中所述垫层的所述添加剂材料包括feo、fe、c或al2o3中的至少一者。

24.根据权利要求22所述的hamr介质，其中所述垫层包含：

技术总结本发明公开了各种装置、系统、方法和介质以提供热辅助磁记录(HAMR)介质，该HAMR介质具有在氧化镁‑氧化钛(MTO)垫层上的磁记录层，其中该MTO垫层包含与钛化学键合的添加剂材料。在一些示例中，该添加剂材料包括氧化铁、铁、碳或各种氧化铝。通过向MTO提供与该MTO的该钛化学键合的该添加剂材料，减轻了钛从该MTO垫层到该磁记录层中的扩散，以提供实现改善的面密度的改善的记录层。在一些实施方案中，还提供了附加的氧化镁‑氮垫层，其可以包含更多的该添加剂材料。技术研发人员：H·C·何,H·原,关智孔,P·C·多尔西受保护的技术使用者：西部数据技术公司技术研发日：技术公布日：2024/2/25