储存装置的制作方法

各种实施方式涉及包括存储器装置的储存装置。

背景技术：

1、储存装置可以被配置为响应于来自外部装置的写入请求而在其中存储从外部装置提供的数据。此外，储存装置可以被配置为响应于来自外部装置的读取请求而向外部装置提供所存储的数据。外部装置是能够处理数据的电子装置，并且可以包括计算机、数码相机、移动电话等。储存装置可以安装在外部装置中或者可以被制造为能够连接到外部装置以及从外部装置拆卸。储存装置可以包括被配置为在其中存储数据的存储器装置。

2、随着存储器装置持续操作，存储器装置内的存储器单元可能越来越劣化。由于严重劣化而不能被利用的存储器区域可以作为坏存储器区域来管理。随着坏存储器区域数量的增加，存储器装置的存储容量减小，因此无法执行优化操作。

技术实现思路

1、在实施方式中，一种储存装置可以包括存储器装置和控制器。存储器装置可以包括由多个存储器单元配置的存储器区域。控制器可以被配置为基于对存储器区域的操作的结果来针对存储器区域设置至少一个禁止阈值电压分布。

2、在实施方式中，一种储存装置可以包括存储器装置和控制器。存储器装置可以包括存储器区域。控制器可以被配置为基于从存储器区域读取的数据的失败数量来针对存储器区域设置至少一个禁止阈值电压分布。

3、在实施方式中，一种储存装置可以包括存储器装置和控制器。存储器装置可以包括由存储器单元配置的存储器区域。控制器可以被配置为针对存储器区域设置分别映射到存储器单元的多个阈值电压分布的多个数据图案当中的禁止数据图案，被配置为允许不包括禁止数据图案的数据被存储在存储器区域中并且被配置为防止包括禁止数据图案的数据被存储在存储器区域中。

技术特征：

1.一种储存装置，所述储存装置包括：

2.根据权利要求1所述的储存装置，其中，当通过对所述存储器区域的读取操作读取的数据包括失败位并且失败位的数量超过参考数量时，所述控制器针对所述存储器区域将所述存储器区域内的所述存储器单元的多个阈值电压分布当中的与最高失败数量相对应的阈值电压分布设置为所述至少一个禁止阈值电压分布。

3.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述控制器在对所述存储器区域的编程操作失败时，按照所述存储器单元的阈值电压分布当中从最高阈值电压分布到最低阈值电压分布的降序来设置所述至少一个禁止阈值电压分布。

4.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述控制器在对所述存储器区域的擦除操作失败时，按照所述存储器单元的阈值电压分布当中从最低阈值电压分布到最高阈值电压分布的升序来设置所述至少一个禁止阈值电压分布。

5.根据权利要求1所述的储存装置，其中，基于正在执行哪个操作以及在该操作中计算出的失败数量，所述控制器确定针对所述存储器区域一次要设置多少个禁止阈值电压分布。

6.根据权利要求5所述的储存装置，其中，当所述操作是读取操作时，所述失败数量是通过对从所述存储器区域读取的数据的纠错操作而被纠错的失败位的数量。

7.根据权利要求5所述的储存装置，其中，当所述操作是编程操作时，所述失败数量是所述存储器区域内的应该具有高于所选择的编程验证电压的存储器单元当中具有低于所选择的编程验证电压的阈值电压的存储器单元的数量。

8.根据权利要求5所述的储存装置，其中，当所述操作是擦除操作时，所述失败数量是所述存储器单元当中具有高于擦除验证电压的阈值电压的存储器单元的数量。

9.根据权利要求1所述的储存装置，其中，在设置所述至少一个禁止阈值电压分布之前，所述控制器在针对所述存储器区域的允许阈值电压分布的数量被确定为低于阈值数量时，将所述存储器区域确定为坏存储器区域。

10.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述控制器在设置所述至少一个禁止阈值电压分布时针对所述存储器区域设置至少一个禁止数据图案。

11.根据权利要求10所述的储存装置，其中，所述控制器对允许阈值电压分布和允许数据图案进行重新映射，所述允许阈值电压分布是除了所述至少一个禁止阈值电压分布之外的阈值电压分布，并且所述允许数据图案是除了所述至少一个禁止数据图案之外的数据图案。

12.根据权利要求10所述的储存装置，其中，所述控制器在写入数据不包括所述至少一个禁止数据图案时确定将所述写入数据存储在所述存储器区域中，并且在写入数据包括所述至少一个禁止数据图案时确定将所述写入数据存储在除了所述存储器区域之外的另一存储器区域中。

13.根据权利要求1所述的储存装置，其中，所述控制器基于所述至少一个禁止阈值电压分布来调整所述存储器装置的设置值。

14.根据权利要求13所述的储存装置，其中，所述存储器装置根据调整后的设置值对所述存储器区域执行访问操作。

15.一种储存装置，所述储存装置包括：

16.根据权利要求15所述的储存装置，其中，所述控制器确定与所述存储器区域内的存储器单元形成的多个阈值电压分布中的每一个相对应的失败数量，并且基于所述失败数量设置所述至少一个禁止阈值电压分布。

17.根据权利要求16所述的储存装置，其中，所述至少一个禁止阈值电压分布包括所述存储器区域内的所述存储器单元的所述多个阈值电压分布当中的与最高失败数量相对应的阈值电压分布。

18.根据权利要求16所述的储存装置，其中，在两个最高失败数量分别对应于所述多个阈值电压分布当中的相邻的阈值电压分布时，所述至少一个禁止阈值电压分布包括所述相邻的阈值电压分布中的至少一个。

19.一种储存装置，所述储存装置包括：

20.根据权利要求19所述的储存装置，其中，所述控制器针对所述存储器区域设置所述多个阈值电压分布当中的禁止阈值电压分布，并且对其余的阈值电压分布和其余的数据图案进行重新映射，所述其余的阈值电压分布是除了所述禁止阈值电压分布之外的阈值电压分布，并且所述其余的数据图案是除了所述禁止数据图案之外的数据图案。

技术总结本申请涉及储存装置。一种储存装置包括存储器装置和控制器。存储器装置包括由多个存储器单元配置的存储器区域。控制器被配置为基于对存储器区域的操作的结果来针对存储器区域设置至少一个禁止阈值电压分布。技术研发人员：崔晳焕,郭东勋受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/22