用于NAND闪存存储器的高压开关的制作方法

本公开总体上涉及半导体，更具体而言，涉及用于为nand闪存存储器提供高电压的电路和方法。

背景技术：

1、对nand闪存存储器的存储器单元进行编程需要比存储器装置的电源更高的电压。例如，在编程操作期间，选定字线被施加编程电压(例如，15-20v)，从而可以将载流子(例如，电子)注入选定存储器单元的存储器膜中。注入的载流子可以被捕获，从而存储在选定存储器单元的存储器膜中。nand闪存存储器的存储数据取决于注入并存储在存储器单元中的载流子数量。为了实现快速和可靠的编程，编程操作可以包括各个阶段(例如，沟道升压阶段和编程脉冲阶段)和各种高电压(例如，升压电压和编程电压)。因此，需要向nand闪存存储器提供高电压以执行编程操作。

技术实现思路

1、本公开中描述了用于提供高电压以对nand闪存存储器编程的电路和方法的实施例。

2、本公开的一个方面提供了一种用于存储器装置的高压(hv)开关系统，包括：第一开关，所述第一开关被配置为在第一时间段期间向所述存储器装置的第一组选定字线或第二组选定字线传送升压电压；第二开关，所述第二开关被配置为当对耦接至所述第一组选定字线的第一组存储器单元进行编程时，在第二时间段期间向所述第一组选定字线传送目标调节电压；以及第三开关，所述第三开关被配置为当对耦接至所述第二组选定字线的第二组存储器单元进行编程时，在所述第二时间段期间向不同于所述第一组选定字线的所述第二组选定字线传送所述目标调节电压。所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关的第一端子电连接到所述hv开关系统的输出节点；并且所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关的第二端子分别耦接至所述升压电压、第一调节电压和第二调节电压。

3、在一些实施例中，所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关均包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosfet)，并且其中，所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关的所述第一端子和所述第二端子是源极端子和漏极端子。

4、在一些实施例中，所述hv开关系统的所述输出节点耦接至所述存储器装置的行解码器/字线驱动器，所述存储器装置的所述行解码器/字线驱动器被配置为在所述第一时间段期间向所述第一组选定字线或所述第二组选定字线传送所述升压电压；当对所述第一组存储器单元进行编程时，在所述第二时间段期间向所述第一组选定字线传送所述目标调节电压；以及当对所述第二组存储器单元进行编程时，在所述第二时间段期间向所述第二组选定字线传送所述目标调节电压。

5、在一些实施例中，当对所述第一组存储器单元进行编程时，所述第一调节电压在所述第一时间段和所述第二时间段期间是所述目标调节电压。

6、在一些实施例中，所述第二调节电压在所述第二时间段期间是所述目标调节电压。

7、在一些实施例中，当对所述第二组存储器单元进行编程时，所述第二调节电压在所述第一时间段和所述第二时间段期间是所述目标调节电压。在一些实施例中，所述第一调节电压在所述第二时间段期间是所述目标调节电压。

8、在一些实施例中，当对所述第一组存储器单元进行编程时，所述第一调节电压在所述第一时间段期间是预目标调节电压，并且在所述第二时间段期间是所述目标调节电压，其中，所述预目标调节电压低于所述目标调节电压。在一些实施例中，所述第二调节电压在所述第二时间段期间是所述目标调节电压。在一些实施例中，所述预目标调节电压比所述目标调节电压低一在1v和3v之间范围中的电压。

9、在一些实施例中，当对所述第二组存储器单元进行编程时，所述第二调节电压在所述第一时间段期间是预目标调节电压，并且在所述第二时间段期间是所述目标调节电压，其中，所述预目标调节电压低于所述目标调节电压。在一些实施例中，所述第一调节电压在所述第二时间段期间是所述目标调节电压。在一些实施例中，所述预目标调节电压比所述目标调节电压低一在1v和3v之间范围中的电压。

10、在一些实施例中，所述目标调节电压由hv调节器供应。

11、在一些实施例中，所述目标调节电压在22v和26v之间的范围中。在一些实施例中，所述升压电压在5v和8v之间的范围中。

12、本公开的另一方面还还提供了一种用于对存储器装置进行编程的方法，包括：在第一时间段期间，通过所述存储器装置的高压(hv)开关系统的第一开关向所述存储器装置的第一组选定字线或第二组选定字线传送升压电压；以及在第二时间段期间，通过所述hv开关系统的第二开关向所述第一组选定字线，或者通过所述hv开关系统的第三开关向所述第二组选定字线传送目标调节电压。所述第二组选定字线不同于所述第一组选定字线；并且所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关并联连接。所述方法还包括：根据所述目标调节电压，在所述第二时间段期间对耦接至所述第一组选定字线的第一组存储器单元进行编程，或者对耦接至所述第二组选定字线的第二组存储器单元进行编程，其中，当对所述第一组存储器单元进行编程时，向所述第三开关供应所述目标调节电压，并且当对所述第二组存储器单元进行编程时，向所述第二开关供应目标调节电压。

13、在一些实施例中，所述升压电压的传送包括导通所述第一开关以及截止所述第二开关和所述第三开关；将所述目标调节电压传送到所述第一组选定字线包括截止所述第一开关和所述第三开关以及导通所述第二开关；并且将所述目标调节电压传送到所述第二组选定字线包括截止所述第一开关和所述第二开关以及导通所述第三开关。

14、在一些实施例中，所述方法还包括：当向所述第一组选定字线传送所述升压电压时，在所述第一时间段期间向所述第二开关供应所述目标调节电压；以及当向所述第二组选定字线传送所述升压电压时，在所述第一时间段期间向所述第三开关供应所述目标调节电压。

15、在一些实施例中，所述方法还包括：当向所述第一组选定字线传送所述升压电压时，在所述第一时间段期间向所述第二开关供应预目标调节电压，其中，所述预目标调节电压比所述目标调节电压低；以及当向所述第二组选定字线传送所述升压电压时，在所述第一时间段期间向所述第三开关供应所述预目标调节电压。在一些实施例中，所述预目标调节电压比所述目标调节电压低一在1v和3v之间范围中的电压。

16、在一些实施例中，所述目标调节电压在22v和26v之间的范围中，并且所述升压电压在5v和8v之间的范围中。

17、本公开的又一方面还提供了一种包括存储器阵列的存储器装置，所述存储器阵列具有耦接至第一组选定字线的第一组存储器单元和耦接至第二组选定字线的第二组存储器单元。所述存储器装置还包括外围电路，所述外围电路具有：行解码器/字线驱动器；被配置为提供目标调节电压的高压(hv)调节器；以及hv开关系统。所述hv开关系统包括：第一开关，所述第一开关被配置为在第一时间段期间向所述第一组选定字线或所述第二组选定字线传送升压电压；第二开关，所述第二开关被配置为当对所述第一组存储器单元进行编程时，在第二时间段期间向所述第一组选定字线传送所述目标调节电压；以及第三开关，所述第三开关被配置为当对所述第二组存储器单元进行编程时，在所述第二时间段期间向不同于所述第一组选定字线的所述第二组选定字线传送所述目标调节电压。

18、在一些实施例中，所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关的第一端子耦接至所述行解码器/字线驱动器。

19、在一些实施例中，所述第二开关的第二端子在对所述第一组存储器单元进行编程时耦接至所述hv调节器。

20、在一些实施例中，所述第三开关的第二端子在对所述第二组存储器单元进行编程时耦接至所述hv调节器。

21、本公开的又一方面还提供了一种包括存储器装置和存储器控制器的存储器系统。所述存储器装置包括存储器阵列，所述存储器阵列包括耦接至第一组选定字线的第一组存储器单元和耦接至第二组选定字线的第二组存储器单元；以及外围电路，所述外围电路包括：行解码器/字线驱动器；被配置为提供目标调节电压的高压(hv)调节器；以及hv开关系统。所述hv开关系统包括：第一开关，所述第一开关被配置为在第一时间段期间向所述第一组选定字线或所述第二组选定字线传送升压电压；第二开关，所述第二开关被配置为当对所述第一组存储器单元进行编程时，在第二时间段期间向所述第一组选定字线传送所述目标调节电压；以及第三开关，所述第三开关被配置为当对所述第二组存储器单元进行编程时，在所述第二时间段期间向不同于所述第一组选定字线的所述第二组选定字线传送所述目标调节电压。所述存储器控制器被配置为向所述存储器装置发送命令，以对所述第一组存储器单元和所述第二组存储器单元进行编程。

22、本公开的其他方面可以由本领域的技术人员考虑到本公开的说明书、权利要求和附图来理解。