一种闪存颗粒筛选方法及装置与流程

本技术涉及存储，尤其涉及一种闪存颗粒筛选方法及装置。

背景技术：

1、随着闪存技术的不断发展，闪存的应用领域也越来越广，低温下应用也逐渐增多，但是低温对于介质特性最大的影响是低温下电子活性降低，导致低温下写入数据时，发生遂穿效应的电子相比常温下偏少，使得整体的闪存阈值电压分布偏窄，错误比特数余量更少，因此闪存在低温下应用时，需要首先确定该闪存是否能在要求的低温下正常使用，但是现有技术中对于低温下闪存颗粒的筛选周期较长且复杂，不适合筛选大量适用于低温的情况。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术实施例提供一种闪存颗粒筛选方法及装置，可以快速有效的筛选出需要的低温闪存。

2、第一方面，本技术实施例提供一种闪存颗粒筛选方法，包括：

3、对多组样本闪存依次进行不同次数的编程擦除操作，其中每组所述样本闪存的编程擦除次数相同；

4、对多组所述样本闪存在第一预设温度下写入数据后，对多组所述样本闪存在不同的多个第二预设温度下进行读取数据，并根据所述读取数据的信息确定闪存的跨温读写能力边界；所述第二预设温度高于所述第一预设温度；

5、对经过所述第二预设温度后的多组所述样本闪存，在所述第一预设温度下再次写入数据，并根据在所述第一预设温度下的二次读取数据信息确定所述闪存在不同时间的数据保持能力边界；

6、根据所述跨温读写能力边界及所述数据保持能力边界，确定在所述第一预设温度下的第一限制条件和第二限制条件；

7、根据所述第一限制条件和所述第二限制条件对所述闪存进行筛选，以获得筛选结果。

8、在一些实施例中，所述对多组样本闪存依次进行不同次数的编程擦除操作包括：

9、确定闪存编程擦除次数的预设编程擦除范围；

10、将所述预设编程擦除范围分为多个编程擦除等级；

11、选取与所述编程擦除等级数量相同组数的所述样本闪存，每组所述样本闪存对应一个所述编程擦除等级进行对应编程擦除操作。

12、在一些实施例中，所述对多组所述样本闪存在第一预设温度下写入数据后，对多组所述样本闪存在不同的第二预设温度下进行读取数据包括：

13、在第一预设温度下分别对多组所述样本闪存写入随机数据后，进行读取数据；其中，所述第一预设温度小于-30度；

14、将不同的第二预设温度按照温度高低进行排序；

15、从最低温度的第二预设温度开始，依次对多组所述样本闪存在当前所述第二预设温度下进行读取数据；其中，所述第二预设温度小于100度。

16、在一些实施例中，所述对经过所述第二预设温度后的多组所述样本闪存在所述第一预设温度下再次写入数据，并根据在所述第一预设温度下的读取数据信息确定所述闪存在不同时间的数据保持能力边界包括：

17、对经过所述第二预设温度后的多组所述样本闪存在所述第一预设温度下再次写入数据后，进行读取数据；

18、记录每种编程擦除次数下的当前数据保持能力；

19、继续在所述第一预设温度下对当前多组所述样本闪存进行读取数据，依次模拟不同预设时间，并获取每个所述预设时间下每种编程擦除次数下的数据保持能力；

20、根据不同预设时间下每种编程擦除次数下的数据保持能力，获得每种编程擦除次数下所述闪存的数据保持能力边界；其中，所述闪存的所述数据保持能力边界为每种编程擦除次数的所述闪存在所述第一预设温度下数据保持最久的时间。

21、在一些实施例中，所述读取数据包括：

22、从每种编程擦除次数下的闪存中选取第一预设数量的闪存页，并扫描出当前所述闪存页的阈值电压分布；

23、从每种编程擦除次数下的闪存中取第二预设数量闪存页，并获取当前所述闪存的最佳读电压；

24、根据当前所有所述闪存页的最佳读电压，计算最佳读电压平均值，以作为测试最佳读电压；

25、在所述测试最佳读电压下对所有样本闪存进行读操作，获取每个所述闪存的错误比特数和相同测试条件下所述闪存的所有扇区故障率曲线；其中，该相同测试条件为编程擦除次数相同且第二预设温度相同；

26、根据所述错误比特数和所述扇区故障率曲线，判断当前所述测试最佳读电压是否准确；

27、若准确，则根据所述错误比特数计算每种测试条件下的错误比特数中位数和平均值。

28、在一些实施例中，所述根据所述读取数据的信息确定闪存的跨温读写能力边界包括：

29、根据所有所述扇区故障率曲线确定所述闪存的跨温读写能力边界；其中，所述闪存的所述跨温读写能力边界为在一种所述编程擦除次数下，经过第一预设温度写入数据，且能在第二预设温度下正常使用时的最高第二预设温度值。

30、在一些实施例中，所述根据所述跨温读写能力边界及所述数据保持能力边界确定在所述第一预设温度下的第一限制条件和第二限制条件包括：

31、获取第一中位数和第一平均值，并获取第二中位数和第二平均值；其中，所述第一中位数和第一平均值为最大所述数据保持能力下所述样本闪存中最高编程擦除次数的所述闪存页的错误比特数的中位数和平均值；其中，所述第二中位数和第二平均值为最大所述数据保持能力下所述样本闪存中编程擦除次数为0的所述闪存页的错误比特数的中位数和平均值；

32、将所述第一中位数与所述第二中位数的差值的绝对值与所述第一平均值与所述第二平均值的差值的绝对值中的最大值作为第一值a；

33、获取第三中位数和第三平均值，并获取第四中位数和第四平均值；其中，所述第三中位数和第三平均值为编程擦除次数为0的所述样本闪存中数据保持能力最大的闪存页的错误比特数的中位数平均值；所述第四中位数和第四平均值为编程擦除次数为0的所述样本闪存中数据保持能力最小的闪存页的错误比特数的中位数和平均值；

34、将所述第三中位数与所述第四中位数的差值的绝对值与所述第三平均值与所述第四平均值的差值的绝对值中的最大值作为第二值b；

35、获取第五中位数和第五平均值，并获取第六中位数和第六平均值；其中，所述第五中位数和第五平均值为编程擦除次数最高的所述样本闪存中数据保持能力最大的闪存页的错误比特数的中位数和平均值；所述第六中位数和第六平均值为编程擦除次数最高的所述样本闪存中数据保持能力最小的闪存页的错误比特数的中位数和平均值；

36、将所述第五中位数与所述第六中位数的差值的绝对值与所述第五平均值与所述第六平均值的差值的绝对值中的最大值作为第三值c；

37、获取第七中位数和第七平均值，并获取第八中位数和第八平均值；其中，所述第七中位数和第七平均值为最大跨温读写能力下所述样本闪存中最高编程擦除次数的所述闪存页的错误比特数的中位数和平均值；所述第八中位数和第八平均值为最大跨温读写能力下所述样本闪存中编程擦除次数为0的所述闪存页的错误比特数的中位数和平均值；

38、将所述第七中位数与所述第八中位数的差值的绝对值与所述第七平均值与所述第八平均值的差值的绝对值中的最大值作为第四值d；

39、将所述闪存的主控纠错能力作为第五值f；

40、将所述闪存所述主控纠错能力与最大的所述错误比特数差值作为第六值e；

41、第一限制条件包括：第一限制条件ⅰ和第一限制条件ⅱ；

42、所述第一限制条件ⅰ为f-e-a-b；

43、所述第一限制条件ⅱ为f-e-d；

44、所述第二限制条件包括：第二限制条件ⅰ和第二限制条件ⅱ；

45、所述第二限制条件ⅰ为f-e-c；

46、所述第二限制条件ⅱ为f-e。

47、在一些实施例中，所述根据所述第一限制条件和所述第二限制条件对所述闪存进行筛选，以获得筛选结果包括：

48、其中，第一限制条件为生命初期错误比特数限制条件；第二限制条件为生命末期错误比特数限制条件；

49、对于所有所述闪存在低温条件下的数据保持能力方面：

50、对所有所述闪存在所述第一预设温度下写入数据，在数据保持预设最小时间后在所述第一预设温度下进行读取数据；

51、判断是否有所述闪存的所述错误比特数超过第一限制条件ⅰ；

52、若有，则超过所述错误比特数超过第一限制条件ⅰ对应的所述闪存为不能满足低温应用的闪存；

53、若没有，获取所述错误比特数最大的所述闪存，对当前所述闪存的预设数量字线进行编程擦除到其生命末期，然后在第一预设温度下向所述字线对应的闪存中写入数据；

54、在所述字线对应的闪存中的数据保持预设最小时间后在所述第一预设温度下进行读取数据，并判断所述字线对应的闪存的所述错误比特数是否超过所述第二限制条件ⅰ；

55、若超过，则所述闪存为不能满足低温应用的闪存。

56、在一些实施例中，所述根据所述第一限制条件和所述第二限制条件对所述闪存进行筛选，以获得筛选结果，还包括：

57、对于所有所述闪存在低温条件下的跨温读写能力方面：

58、对所有所述闪存在所述第一预设温度下写入数据，然后在第二预设温度下读取数据，然后判断是否有所述闪存的所述错误比特数超过第一限制条件ⅱ；

59、若有，则超过所述错误比特数超过第一限制条件ⅱ对应的所述闪存为不能满足低温应用的闪存；

60、若没有，获取所述错误比特数最大的所述闪存，对当前所述闪存的预设数量字线进行编程擦除到其生命末期，然后在第一预设温度下向所述字线对应的闪存中写入数据，然后在第一预设温度下读取数据；

61、判断所述字线对应的闪存的所述错误比特数是否超过所述第二限制条件ⅱ；

62、若超过，则所述闪存为不能满足低温应用的闪存。

63、第二方面，本技术实施例提供一种闪存颗粒筛选装置，包括：

64、编程擦除模块，用于对多组样本闪存依次进行不同次数的编程擦除操作，其中每组所述样本闪存的编程擦除次数相同；

65、第一读写模块，用于对多组所述样本闪存在第一预设温度下写入数据后，对多组所述样本闪存在不同的多个第二预设温度下进行读取数据，并根据所述读取数据的信息确定闪存的跨温读写能力边界； 所述第二预设温度高于所述第一预设温度；

66、第二读写模块，用于对经过所述第二预设温度后的多组所述样本闪存，在所述第一预设温度下再次写入数据，并根据在所述第一预设温度下的二次读取数据信息确定所述闪存在不同时间的数据保持能力边界；

67、确定模块，用于根据所述跨温读写能力边界及所述数据保持能力边界，确定在所述第一预设温度下的第一限制条件和第二限制条件；

68、筛选模块，用于根据所述第一限制条件和所述第二限制条件对所述闪存进行筛选，以获得筛选结果。

69、本技术的实施例具有如下有益效果：本技术首先根据具体的需求通过对多组样本闪存进行测试，根据测试获取跨温读写能力边界和数据保持能力边界，然后根据获取的跨温读写能力边界和数据保持能力边界制定筛选策略，以达到在节约时间和节约资源的基础上快速筛选出符合低温需求的闪存。