控制擦除到编程延迟以改进数据保留的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更明确来说，涉及控制数据保留的擦除到编程延迟以增强性能及可靠性。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、在一方面中，本公开涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列；及控制逻辑，其可操作地耦合到所述存储器阵列，以执行包括以下的操作：识别所述存储器阵列的经擦除块；致使可通过所述经擦除块的目标字线寻址的一组单元被设置到目标阈值电压；在一定延迟之后确定关于所述目标阈值电压的阈值电压移位量；确定所述阈值电压移位量是否满足由目标数据保留度量定义的阈值条件；及响应于确定所述阈值电压移位量是足够的，释放所述经擦除块用于编程。

2、在另一方面中，本公开涉及一种方法，其包括：由处理装置识别存储器装置的经擦除块；由所述处理装置致使可通过所述经擦除块的目标字线寻址的一组单元被设置到目标阈值电压；由所述处理装置在一定延迟之后确定关于所述目标阈值电压的阈值电压移位量；由所述处理装置确定所述阈值电压移位量是否满足由目标数据保留度量定义的阈值条件；及响应于确定所述阈值电压移位量是足够的，由所述处理装置释放所述经擦除块用于编程。

3、在另一方面中，本公开涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下的操作：识别存储器阵列的经擦除块；致使可通过所述经擦除块的目标字线寻址的一组单元被设置到目标阈值电压；在一定延迟之后确定关于所述目标阈值电压的阈值电压移位量；确定所述阈值电压移位量是否满足由目标数据保留度量定义的阈值条件；及响应于确定所述阈值电压移位量不满足所述阈值条件，在所述延迟之后重新确定所述阈值电压移位量。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述经擦除块根据非零延迟擦除策略进行擦除且所述一组单元根据非零延迟擦除策略进行编程。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述阈值电压移位量对应于使用查找表确定的数据保留度量。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述阈值电压移位量对应于使用函数确定的数据保留度量。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中致使所述一组单元被编程包括致使编程脉冲与编程电压一起被施加到所述目标字线以产生定义目标字线激活能量的数据型式。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中确定所述阈值电压移位量包括致使关于所述目标字线执行扫描操作。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述阈值电压移位量不满足所述阈值条件，在所述延迟之后重新确定所述阈值电压移位量。

8.一种方法，其包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述经擦除块根据非零延迟擦除策略进行擦除且所述一组单元根据非零延迟擦除策略进行编程。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述阈值电压移位量对应于使用查找表确定的数据保留度量。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述阈值电压移位量对应于使用函数确定的数据保留度量。

12.根据权利要求8所述的方法，其中致使所述一组单元被编程包括致使编程脉冲与编程电压一起被施加到所述目标字线以产生定义目标字线激活能量的数据型式。

13.根据权利要求8所述的方法，其中确定所述阈值电压移位量包括致使关于所述目标字线执行扫描操作。

14.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：响应于确定所述阈值电压移位量不满足所述阈值条件，由所述处理装置在所述延迟之后重新确定所述阈值电压移位量。

15.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下的操作：

16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述经擦除块根据非零延迟擦除策略进行擦除且所述一组单元根据非零延迟擦除策略进行编程。

17.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述阈值电压移位量对应于使用查找表确定的数据保留度量。

18.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述阈值电压移位量对应于使用函数确定的数据保留度量。

19.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中致使所述一组单元被编程包括致使编程脉冲与编程电压一起被施加到所述目标字线以产生定义目标字线激活能量的数据型式。

20.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述阈值电压移位量满足所述阈值条件，释放所述经擦除块用于编程。

技术总结本公开涉及控制擦除到编程延迟以改进数据保留。一种存储器装置包含：存储器阵列；及控制逻辑，其可操作地耦合到所述存储器阵列，以执行包含以下的操作：识别所述存储器阵列的经擦除块；致使可通过所述经擦除块的目标字线寻址的一组单元被设置到目标阈值电压；在一定延迟之后确定关于所述目标阈值电压的阈值电压移位量；确定所述阈值电压移位量是否满足由目标数据保留度量定义的阈值条件；及响应于确定所述阈值电压移位量是足够的，释放所述经擦除块用于编程。技术研发人员：鹿中原受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15