flash工装检测方法与流程
- 国知局
- 2024-07-31 20:13:17
本发明涉及存储,尤其涉及一种flash工装检测方法。
背景技术:
1、flash存储器应用之前,需预先进行检测,以及时发现并更换损坏件,避免影响终端使用。现有技术公开的flash检测大多涉及芯片内嵌flash的检测方式,是通过在芯片内部预置检测文件和校验值,检测时将检测文件读入读取模块,通过预设算法计算得出计算值,与预设校验值对比,若一致,则检测通过。该种方式检测文件固定,检测不灵活。如将芯片应用至不同存储需求的终端时,固定大小的检测文件可能无法覆盖整个内嵌flash的存储块区,从而得出不准确的检测结果。再者,在芯片工艺的任意阶段,检测文件固定使得针对内嵌flash检测的工装效率始终一致,无法提高。
2、现有技术暂未公开外挂flash的检测方式,而独立的flash存储器检测完成再集成至soc片上系统或者连接于pcb板,将充分保证安装该flash的元件的存储性能。
技术实现思路
1、本发明提供一种flash工装检测方法,用于外挂flash检测,通过将上位机中检测文件写入和读出待检测flash,对比写入和读出的检测文件计算值,从而得出工装检测结果,判定flash性能。由于检测文件位于上位机,故能够基于差异化产品阶段场景、应用场景灵活选用,提高检测效率,保证检测可靠性。
2、本发明提供的flash工装检测方法被实施为,待检测flash外挂连接一soc控制器,所述soc控制器通信连接上位机,所述上位机预置有检测文件,所述检测方法包括:获取所述flash参数,基于所述flash参数确定所述检测文件;擦除所述flash存储数据;利用预设算法计算所述检测文件并写入所述flash;将写入的所述检测文件读出,再利用所述预设算法计算;对比两次计算值,若一致,则所述flash工装检测通过。
3、优选地,所述预设算法为sm3密码杂凑算法,所述sm3密码杂凑算法包括sm3_init函数、sm3_update函数、sm3_done函数,其中,所述sm3_init函数用于初始化寄存器,所述sm3_update函数用于对所述检测文件进行数据处理,所述sm3_done函数用于计算所述检测文件,得出所述计算值。
4、优选地,所述检测文件写入所述flash步骤包括:设定所述上位机与所述soc控制器单帧通信长度为lw;获取所述检测文件大小x,判断:若x≤lw,则读取全部所述检测文件至缓存区,利用所述预设算法对所述缓存区内的所述检测文件进行数据处理并计算,其中,对所述检测文件进行数据处理的同时还写入所述flash;若x>lw,则对所述检测文件写入所述flash指定分帧模式。
5、优选地,对所述检测文件写入flash指定分帧模式包括:设定每次读取所述检测文件的位置句柄hwn=hwn-1+lw、待写数据长度rwn=rwn-1 - lw;依照所述位置句柄hwn、以所述通信长度lw为单位分帧读取所述检测文件至所述缓存区,并利用所述sm3_update函数对所述缓存区内帧文件进行数据处理;监测所述待写数据长度rwn与所述通信长度lw关系,至rwn≤lw,则读取最后所述帧文件至所述缓存区后,还利用所述sm3_done函数进行计算;其中,所述位置句柄初值hw0满足0≤hw0<x。
6、优选地,利用所述sm3_update函数对所述缓存区内帧文件进行数据处理时,所述帧文件被转移至所述寄存器执行,还依照所述位置句柄hwn写入所述flash。
7、优选地,所述检测文件读出所述flash步骤包括:赋值所述检测文件单次读出长度lr=lw、读出所述检测文件的位置句柄初值hr0 = hw0,设置待读数据长度rrn=rrn-1 - lr,其中待读数据长度初值rr0 = x-hr0;判断所述待读数据长度初值rr0与所述单次读出长度lr关系,若rr0>lr,则依照所述位置句柄初值hr0、单次读出lr长度分帧读出所述检测文件至所述缓存区,利用所述预设算法对所述缓存区内帧文件进行数据处理;所述待读数据长度自减至rrn ≤lr,则读出最后所述帧文件至所述缓存区后,利用所述预设算法进行数据处理并计算。
8、优选地,调用所述sm3_update函数之前,先调用所述sm3_init函数对所述寄存器初始化;所述sm3_update函数对所述检测文件进行数据处理包括,将所述检测文件转移至转移至所述寄存器,进行消息分组、消息扩展、迭代压缩。
9、优选地,所述上位机预置有检测文件数据库,所述flash参数包括flash_id,所述flash_id与所述检测文件数据库中的至少一个所述检测文件对应;接收检测等级指示,依照所述检测等级指示确认所述检测文件。
10、优选地,所述flash与所述soc控制器通过iic或spi接口通信连接。
11、本发明提供一种flash工装检测方法,用于外挂flash检测,通过将检测文件预置在上位机,对比基于相同算法对写入、读出flash的检测文件计算所得的计算值,以判定flash工装检测结果,由于检测文件位于上位机,可根据待检测flash参数灵活选用,从而适用不同产品阶段工装检测,提高检测效率。比如,本发明在应用于成熟flash工艺工装检测时,可选用小检测文件进行点检,检测效率高,而在应用于不成熟flash工艺工装检测时,可选用大检测文件进行全检,保证检测可靠性。也就是,对于差异化产品阶段,本发明无需更改检测工具,依然能够兼顾检测质量和效率。
技术特征:1.一种flash工装检测方法,其特征在于,待检测flash外挂连接一soc控制器,所述soc控制器通信连接上位机,所述上位机预置有检测文件,所述检测方法包括:
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述预设算法为sm3密码杂凑算法,所述sm3密码杂凑算法包括sm3_init函数、sm3_update函数、sm3_done函数,其中,所述sm3_init函数用于初始化寄存器,所述sm3_update函数用于对所述检测文件进行数据处理,所述sm3_done函数用于计算所述检测文件,得出所述计算值。
3.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述检测文件写入所述flash步骤包括:
4.根据权利要求3所述的检测方法,其特征在于,对所述检测文件写入flash指定分帧模式包括:
5.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,利用所述sm3_update函数对所述缓存区内帧文件进行数据处理时,所述帧文件被转移至所述寄存器执行,还依照所述位置句柄hwn写入所述flash。
6.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,所述检测文件读出所述flash步骤包括:
7.根据权利要求2至6任一所述的检测方法,其特征在于,调用所述sm3_update函数之前,先调用所述sm3_init函数对所述寄存器初始化;
8.根据权利要求1至6任一所述的检测方法,其特征在于,所述上位机预置有检测文件数据库,所述flash参数包括flash_id,所述flash_id与所述检测文件数据库中的至少一个所述检测文件对应;接收检测等级指示,依照所述检测等级指示确认所述检测文件。
9.根据权利要求1至6任一所述的检测方法,其特征在于,所述flash与所述soc控制器通过iic或spi接口通信连接。
技术总结本发明提供了一种flash工装检测方法,通过将检测文件预置在上位机,对比基于相同算法对写入、读出flash的检测文件计算所得的计算值,以判定flash工装检测结果,由于检测文件位于上位机,可灵活选用,从而适用不同产品阶段工装检测,提高检测效率。比如,本发明在应用于成熟flash工艺工装检测时,可选用小检测文件进行点检,检测效率高,而在应用于不成熟flash工艺工装检测时,可选用大检测文件进行全检,保证检测可靠性。也就是,对于差异化产品阶段,本发明无需更改检测工具,依然能够兼顾检测质量和效率。技术研发人员:范犇,柳鹏,周敏,赵训虎,田阳柱受保护的技术使用者:长江量子(武汉)科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/15本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240731/185485.html
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