提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备与流程

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种提高nor flash配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备。背景技术：：：1、快闪存储器(flash)是一种非易失性的存储器，其在断电时数据也不会丢失，因此广泛应用于记忆卡、固态硬盘以及可携式多媒体播放器(portable multimedia players)等电子设备。快闪存储器主要可分为nor型快闪存储器(nor flash)和nand型快闪存储器(nand flash)。2、其中，nor flash存储器作为一种电可擦除可编程只读存储器，其不但能在不移除存储芯片的情况下进行擦除和编程操作，还具有非易失性、固态性、体积小、重量轻、抗振动、高性能和低能耗等优点，因而nor flash存储器在计算机硬件、工业控制、硬件仪表、家用电器、智能手机等各个领域得到了广泛的运用。3、nor flash存储器在模块结构上包括可供用户进行编程、擦除、读操作的模块(normal array)以及位于芯片内部的配置模块(config array)。配置模块负责芯片上电配置、读写擦算法模式选择、模式配置、模拟电路电压和电流选择等，其中存储了芯片大量的信息，如参考电压/电流、内部时钟频率、设备id、算法相关参数等，是nor flash芯片的基本功能模块。4、在nor flash芯片出厂前，厂商需要对配置模块进行编程操作，存入相应的数据信息。出厂后，每次芯片上电工作时会读取其中的数据，但用户无法对配置模块的数据进行读写擦的操作。5、图1所示为nor flash存储器中的配置模块的基本结构例。图1中，以64字节(byte)容量的配置模块为例。该配置模块由8条字线(wl0～wl7)与64条位线(bl0～bl63)构成。每一条位线与字线交叉重合的位置即为一个存储单元例如场效应晶体管(未图示)。该存储单元的源端连接至源线，漏端连接至位线bl，栅端连接到字线wl。通过控制这些字线wl、位线bl上的电压，对该存储单元进行编程操作、擦除操作等。6、一旦由于某一条或多条字线wl和/或位线bl失效，配置模块便无法将配置信息正确写入，导致芯片无法再使用。因此，对于失效字线或位线的修复关系到配置模块数据的准确率以及芯片的合格率。7、专利文献1中公开了一种nor flash存储器的修复方法，其通过添加冗余字线来替换存在故障存储单元的整条字线，解决字线失效问题。另外，可以通过添加冗余位线来替换某一条位线，以解决某一条字线上的某处位线失效的问题。但是如果故障存储单元比较分散地存在于不同的字线及位线上，那么需要添加的冗余字线以及冗余位线的资源相应地也需要增加，这将导致芯片面积增大。8、现有专利文献9、专利文献1：cn 111863108 a技术实现思路1、本发明所要解决的技术问题2、本发明旨在通过设置少量的冗余字线，在配置模块中同时解决字线失效及位线失效的问题，而无需设置冗余位线，并且能够实现存储单元的一对一精准替换。3、用于解决技术问题的技术手段4、为解决上述技术问题，根据本公开的一些示例性实施例，提供一种提高nor flash存储器的配置模块数据准确性的方法，所述配置模块包括：5、存储单元阵列，该存储单元阵列包括多条字线、多条位线、以及分别设置在所述多条字线与所述多条位线的交叉位置上的多个存储单元；以及6、冗余字线单元，该冗余字线单元包括多条冗余字线，7、所述方法包括：8、对所述配置模块中的所述多条字线依次进行编程操作；9、在第一冗余字线中记录存在编程失效的所述存储单元即失效存储单元的字线地址作为失效字线地址；10、在第二冗余字线中记录所述失效存储单元的位线地址作为失效位线地址；以及11、将应当写入所述失效存储单元的数据写入到第三冗余字线上且与所述失效位线地址相对应的所述存储单元来作为所述失效存储单元的替换存储单元，12、在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，用所述第三冗余字线上的所述替换存储单元中写入的数据来替换所述失效存储单元中的数据。13、一些实施例中，所述第一冗余字线、所述第二冗余字线及所述第三冗余字线的组合设有多组。14、一些实施例中，对应于所述失效存储单元，所述第一冗余字线上的所述失效字线地址和所述第二冗余字线上的所述失效位线地址相关联地存储。15、一些实施例中，在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，检查所述第一冗余字线中是否记录有与当前正在读取的字线相关的所述失效字线地址。16、一些实施例中，当所述第一冗余字线上记录有与当前正在读取的字线相关的所述失效字线地址时，根据所述失效字线地址以及所述第二冗余字线上记录的与所述失效字线地址相对应的所述失效位线地址，读取所述第三冗余字线中的所述替换存储单元中的数据来替换所述失效存储单元。17、一些实施例中，在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，预先将所述第一冗余字线上的所述失效字线地址和所述第二冗余字线上的所述失效位线地址存入寄存器。18、一些实施例中，在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，在所述寄存器中检查是否存在与当前正在读取的字线相关的所述失效字线地址的记录。19、本发明还提供一种提高nor flash存储器的配置模块数据准确性的装置，所述配置模块包括：20、存储单元阵列，该存储单元阵列包括多条字线、多条位线、以及分别设置在所述多条字线与所述多条位线的交叉位置上的多个存储单元；以及21、冗余字线单元，该冗余字线单元包括多条冗余字线，22、所述装置包括：23、编程模块，该编程模块对所述配置模块中的多条字线依次进行编程操作；24、第一冗余字线记录模块，该第一冗余字线记录模块在第一冗余字线中记录存在编程失效的存储单元即失效存储单元的字线地址作为失效字线地址；25、第二冗余字线记录模块，该第二冗余字线记录模块在第二冗余字线中记录所述失效存储单元的位线地址作为失效位线地址；26、替换存储单元写入模块，该替换存储单元写入模块将应当写入所述失效存储单元的数据写入到第三冗余字线上且与所述失效位线地址相对应的存储单元作为所述失效存储单元的替换存储单元；以及27、读取模块，该读取模块在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，用所述第三冗余字线上的所述替换存储单元中写入的数据来替换所述失效存储单元中的数据。28、一些实施例中，所述第一冗余字线、所述第二冗余字线及所述第三冗余字线的组合设有多组。29、一些实施例中，对应于所述失效存储单元，所述第一冗余字线记录模块及所述第二冗余字线记录模块将对应于所述失效存储单元的所述失效字线地址和所述失效位线地址相关联地存储。30、一些实施例中，所述配置模块还具有寄存器，所述读取模块在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，预先将所述第一冗余字线上的所述失效字线地址和所述第二冗余字线上的所述失效位线地址存入所述寄存器。31、一些实施例中，所述读取模块在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，在所述寄存器中检查是否存在与当前正在读取的字线相关的所述失效字线地址的记录。32、本发明还提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上提高nor flash存储器的配置模块数据准确性的方法中的各步骤。33、本发明还提供一种存储设备，包括存储控制器，所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上提高nor flash存储器的配置模块数据准确性的方法中的各步骤。34、发明效果35、根据本发明提供的提高nor flash存储器的配置模块数据准确性的方法、装置、存储介质及存储设备，仅设置少量的冗余字线且无需设置冗余位线，就能在配置模块中同时解决字线失效及位线失效的问题，并且能够实现存储单元的一对一精准替换，即使norflash存储器的配置模块中存在编程失效的存储单元，也能够通过冗余字线上的替换存储单元中写入相应数据，从而提高了nor flash存储器上电读取数据的准确性，并且不会导致芯片大型化。当前第1页12当前第1页12