存储器的操作方法、存储器以及存储系统与流程

本技术总体上涉及半导体，进一步地，涉及一种存储器的操作方法、存储器以及存储系统。

背景技术：

1、随着电子技术的不断发展，生活中的许多应用场景都需要使用存储器。

2、基于此，如何减少存储器的编程时间、提高存储器的编程效率，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述问题或其他问题，本技术提供了以下技术方案。

2、第一方面，本技术提供了一种存储器的操作方法，所述存储器至少包括多条字线以及多个存储片，且所述多条字线包括目标字线，各所述字线耦接多个所述存储片，各所述存储片包括多个存储单元，所述操作方法至少包括：

3、向所述目标字线施加第一编程起始电压，并在所述第一编程起始电压的基础上，逐次增加一个预设步进电压，以对所述目标字线耦接的目标存储片中的多个目标存储单元执行第一编程操作；

4、在执行所述第一编程操作的过程中，每向所述目标字线增加一个所述预设步进电压后，以第一验证电压对所述多个目标存储单元进行第一验证，得到第一验证结果；

5、当所述第一验证结果指示所述多个目标存储单元首次通过所述第一验证，以第二验证电压对所述多个目标存储单元进行第二验证，其中，所述第一验证电压小于所述第二验证电压，且所述第一验证电压与所述第二验证电压之间的差值小于所述预设步进电压；

6、获取所述第二验证的第二验证结果，并至少基于所述第二验证结果确定第二编程起始电压；以及，

7、向除所述多个目标存储单元以外的其他存储单元施加所述第二编程起始电压，以对所述其他存储单元执行第二编程操作。

8、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述至少基于所述第二验证结果确定第二编程起始电压的步骤，具体包括：

9、基于所述第二验证结果确定编程电压补偿量，其中，当所述第二验证结果指示所述多个目标存储单元通过所述第二验证，所述编程电压补偿量被配置为第一补偿值，当所述第二验证结果指示所述多个目标存储单元未通过所述第二验证，所述编程电压补偿量被配置为第二补偿值；

10、将所述第一编程起始电压、增加的所述预设步进电压的总量以及所述编程电压补偿量之和，作为第二编程起始电压；

11、其中，所述第一补偿值和所述第二补偿值为负值，且所述第二补偿值的绝对值小于所述第一补偿值的绝对值。

12、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述基于所述第二验证结果确定编程电压补偿量的步骤，具体包括：

13、基于所述第一验证电压与所述第二验证电压之间的差值、所述第一编程起始电压、所述预设步进电压以及所述第二验证结果，确定编程电压补偿量。

14、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述获取所述第二验证的第二验证结果，并至少基于所述第二验证结果确定第二编程起始电压的步骤，具体包括：

15、获取所述第二验证的第二验证结果，并获取所述预设步进电压的增量所对应的区间；

16、基于所述第二验证结果和所述区间确定编程电压补偿量；

17、将所述第一编程起始电压、增加的所述预设步进电压的总量以及所述编程电压补偿量之和，作为第二编程起始电压。

18、根据本技术实施例的操作方法，其中，在所述以第二验证电压对所述多个目标存储单元进行第二验证的步骤之前，还包括以第三验证电压对所述多个目标存储单元进行第三验证，其中，所述第三验证电压介于所述第一验证电压和所述第二验证电压之间，所述获取所述第二验证的第二验证结果，并至少基于所述第二验证结果确定第二编程起始电压的步骤，具体包括：

19、获取所述第三验证的第三验证结果以及所述第二验证的第二验证结果，并至少基于所述第三验证结果和所述第二验证结果，确定第二编程起始电压。

20、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述存储单元具有多阶阈值状态，且所述多阶阈值状态的其中之一为擦除状态，其中，所述第一编程操作被配置为将所述多个目标存储单元编程至目标阈值状态，所述目标阈值状态为最靠近所述擦除状态的所述阈值状态。

21、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述多条字线被划分为多组，各所述组包括所述目标字线以及其他字线，所述向除所述多个目标存储单元以外的其他存储单元施加所述第二编程起始电压，以对所述其他存储单元执行第二编程操作的步骤，具体包括：

22、向所述其他字线耦接的其他存储单元施加所述第二编程起始电压，以对所述其他存储单元执行第二编程操作。

23、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述向除所述多个目标存储单元以外的其他存储单元施加所述第二编程起始电压，以对所述其他存储单元执行第二编程操作的步骤，具体包括：

24、向所述目标字线耦接的除所述多个目标存储单元以外的其他存储单元施加所述第二编程起始电压，以对所述其他存储单元执行第二编程操作。

25、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述操作方法还包括：

26、当所述多个目标存储单元被执行编程的次数达到预设阈值，触发执行所述第一编程操作中的所述第一验证、所述第二验证以及所述第二编程起始电压的确定。

27、第二方面，本技术提供了一种存储器，所述存储器至少包括：

28、存储阵列，至少包括多条字线以及多个存储片，所述多条字线包括目标字线，各所述字线耦接多个所述存储片，各所述存储片包括多个存储单元；以及，

29、外围电路，与所述存储阵列耦接，所述外围电路被配置为：

30、向所述目标字线施加第一编程起始电压，并在所述第一编程起始电压的基础上，逐次增加一个预设步进电压，以对所述目标字线耦接的目标存储片中的多个目标存储单元执行第一编程操作；

31、在执行所述第一编程操作的过程中，每向所述目标字线增加一个所述预设步进电压后，以第一验证电压对所述多个目标存储单元进行第一验证，得到第一验证结果；

32、当所述第一验证结果指示所述多个目标存储单元首次通过所述第一验证，以第二验证电压对所述多个目标存储单元进行第二验证，其中，所述第一验证电压小于所述第二验证电压，且所述第一验证电压与所述第二验证电压之间的差值小于所述预设步进电压；

33、获取所述第二验证的第二验证结果，并至少基于所述第二验证结果确定第二编程起始电压；以及，

34、向除所述多个目标存储单元以外的其他存储单元施加所述第二编程起始电压，以对所述其他存储单元执行第二编程操作。

35、根据本技术实施例的存储器，其中，所述外围电路进一步被配置为：

36、基于所述第二验证结果确定编程电压补偿量，其中，当所述第二验证结果指示所述多个目标存储单元通过所述第二验证，所述编程电压补偿量被配置为第一补偿值，当所述第二验证结果指示所述多个目标存储单元未通过所述第二验证，所述编程电压补偿量被配置为第二补偿值；

37、将所述第一编程起始电压、增加的所述预设步进电压的总量以及所述编程电压补偿量之和，作为第二编程起始电压；

38、其中，所述第一补偿值和所述第二补偿值为负值，且所述第二补偿值的绝对值小于所述第一补偿值的绝对值。

39、根据本技术实施例的存储器，其中，所述外围电路还包括多个寄存器，所述第一补偿值和所述第二补偿值被存储于所述寄存器中。

40、根据本技术实施例的存储器，其中，所述外围电路进一步被配置为：

41、获取所述第二验证的第二验证结果，并获取所述预设步进电压的增量所对应的区间；

42、基于所述第二验证结果和所述区间确定编程电压补偿量；

43、将所述第一编程起始电压、增加的所述预设步进电压的总量以及所述编程电压补偿量之和，作为第二编程起始电压。

44、根据本技术实施例的存储器，其中，所述多条字线被划分为多组，各所述组包括所述目标字线以及其他字线，所述其他存储单元与所述其他字线耦接。

45、根据本技术实施例的存储器，其中，所述其他存储单元与所述目标字线耦接。

46、第三方面，本技术提供了一种存储系统，所述存储系统至少包括：

47、如上述任一项所述的存储器；以及，

48、控制器，与所述存储器耦接，并被配置为对所述外围电路进行控制。

49、本技术的有益效果为：本技术提供了一种存储器的操作方法、存储器以及存储系统，存储器至少包括多条字线以及多个存储片，且多条字线包括目标字线，各字线耦接多个存储片，各存储片包括多个存储单元，操作方法至少包括以下步骤：向目标字线施加第一编程起始电压，并在第一编程起始电压的基础上，逐次增加一个预设步进电压，以对目标字线耦接的目标存储片中的多个目标存储单元执行第一编程操作；在执行第一编程操作的过程中，每向目标字线增加一个预设步进电压后，以第一验证电压对多个目标存储单元进行第一验证，得到第一验证结果；当第一验证结果指示多个目标存储单元首次通过第一验证，以第二验证电压对多个目标存储单元进行第二验证，第一验证电压小于第二验证电压，且第一验证电压与第二验证电压之间的差值小于预设步进电压；获取第二验证的第二验证结果，并至少基于第二验证结果确定第二编程起始电压；向除多个目标存储单元以外的其他存储单元施加第二编程起始电压，以对其他存储单元执行第二编程操作，本技术通过在执行第一编程操作的过程中，以第一验证电压和第二验证电压对多个目标存储单元进行第一验证和第二验证，并至少基于第二验证结果确定第二编程起始电压，保证了第二编程起始电压的精度，从而减少了存储器的编程时间并提高了存储器的编程效率。