存储器的操作方法、存储器、存储系统以及电子设备与流程

本技术总体上涉及半导体，进一步地，涉及一种存储器的操作方法、存储器、存储系统以及电子设备。

背景技术：

1、随着电子技术的不断发展，生活中的许多应用场景都需要使用存储器。

2、基于此，如何保证存储器的编程操作的可靠性，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述问题或其他问题，本技术提供了以下技术方案。

2、第一方面，本技术提供了一种存储器的操作方法，所述存储器至少包括目标字线以及分别层叠设置于所述目标字线两侧的第一字线组和第二字线组，所述第一字线组包括多条第一字线，所述第二字线组包括多条第二字线，其中，所述操作方法至少包括：

3、在预充电操作中，向所述多条第一字线施加第一偏置电压信号、向所述目标字线施加第二偏置电压信号以及向所述多条第二字线施加第三偏置电压信号；以及，

4、在编程操作中，对所述目标字线施加编程电压信号。

5、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述第一偏置电压信号具有第一电压值，所述第二偏置电压信号具有第二电压值，所述第三偏置电压信号具有第三电压值，所述第一电压值、所述第二电压值以及所述第三电压值互不相同。

6、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述编程操作包括第一子编程操作以及第二子编程操作，所述存储器还包括多个存储单元，所述第一字线组包括与所述目标字线相邻的第一相邻字线，所述第二字线组包括与所述目标字线相邻的第二相邻字线，所述操作方法具体包括：

7、对所述第一相邻字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

8、执行所述预充电操作，其中，所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号具有第一套设定值；

9、对所述目标字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

10、对所述第二相邻字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

11、执行所述预充电操作，其中，所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号具有第二套设定值；以及，

12、对所述目标字线耦接的所述存储单元执行所述第二子编程操作；

13、其中，所述第一套设定值不同于所述第二套设定值。

14、根据本技术实施例的操作方法，其中，在所述第一套设定值中，所述第一偏置电压信号的电压值大于所述第二偏置电压信号的电压值，在所述第二套设定值中，所述第三偏置电压信号的电压值大于所述第二偏置电压信号的电压值。

15、根据本技术实施例的操作方法，其中，所述编程操作包括第一子编程操作以及第二子编程操作，所述存储器还包括多个存储单元，所述第一字线组包括与所述目标字线相邻的第一相邻字线，所述第二字线组包括与所述目标字线相邻的第二相邻字线，所述操作方法具体包括：

16、对所述第一相邻字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

17、执行所述预充电操作，其中，所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号具有第一套设定值；

18、对所述目标字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

19、对所述第二相邻字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

20、执行所述预充电操作，其中，所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号具有所述第一套设定值；以及，

21、对所述目标字线耦接的所述存储单元执行所述第二子编程操作。

22、根据本技术实施例的操作方法，其中，在所述预充电操作中，对所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号进行独立控制。

23、根据本技术实施例的操作方法，其中，各所述第二字线耦接的所述存储单元均处于擦除状态，所述第一偏置电压信号具有第一电压值，所述第二偏置电压信号具有第二电压值，所述第三偏置电压信号具有第三电压值，其中：

24、所述第一电压值大于所述第二电压值；

25、所述第二电压值等于所述第三电压值。

26、第二方面，本技术提供了一种存储器，所述存储器至少包括：

27、存储阵列，至少包括目标字线以及分别层叠设置于所述目标字线两侧的第一字线组和第二字线组，所述第一字线组包括多条第一字线，所述第二字线组包括多条第二字线；以及，

28、外围电路，与所述存储阵列耦接，所述外围电路被配置为：

29、在预充电操作中，向所述多条第一字线施加第一偏置电压信号、向所述目标字线施加第二偏置电压信号以及向所述多条第二字线施加第三偏置电压信号；以及，

30、在编程操作中，对所述目标字线施加编程电压信号。

31、根据本技术实施例的存储器，其中，所述外围电路进一步被配置为：

32、对所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号进行独立控制。

33、根据本技术实施例的存储器，其中，所述第一偏置电压信号具有第一电压值，所述第二偏置电压信号具有第二电压值，所述第三偏置电压信号具有第三电压值，所述第一电压值、所述第二电压值以及所述第三电压值互不相同。

34、根据本技术实施例的存储器，其中，所述编程操作包括第一子编程操作以及第二子编程操作，所述存储阵列还包括多个存储单元，所述第一字线组包括与所述目标字线相邻的第一相邻字线，所述第二字线组包括与所述目标字线相邻的第二相邻字线，所述外围电路进一步被配置为：

35、对所述第一相邻字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

36、执行所述预充电操作，其中，所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号具有第一套设定值；

37、对所述目标字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

38、对所述第二相邻字线耦接的所述存储单元执行所述第一子编程操作；

39、执行所述预充电操作，其中，所述第一偏置电压信号、所述第二偏置电压信号以及所述第三偏置电压信号具有第二套设定值；以及，

40、对所述目标字线耦接的所述存储单元执行所述第二子编程操作；

41、其中，所述第一套设定值不同于所述第二套设定值。

42、根据本技术实施例的存储器，其中，在所述第一套设定值中，所述第一偏置电压信号的电压值大于所述第二偏置电压信号的电压值，在所述第二套设定值中，所述第三偏置电压信号的电压值大于所述第二偏置电压信号的电压值。

43、根据本技术实施例的存储器，其中，所述存储单元可被执行所述编程操作以处于多阶阈值状态的其中之一。

44、根据本技术实施例的存储器，其中，所述多阶阈值状态至少包括最低阶阈值状态以及最高阶阈值状态，所述最低阶阈值状态下具有最低阶最小阈值电压，所述最高阶阈值状态下具有最高阶最大阈值电压，所述最高阶最大阈值电压与所述最低阶最小阈值电压之间具有预设差值，其中：

45、所述第一偏置电压信号以及所述第二偏置电压信号的设定值与所述预设差值相关，所述第三偏置电压信号以及所述第二偏置电压信号的设定值与所述预设差值相关。

46、第三方面，本技术提供了一种存储系统，所述存储系统至少包括：

47、如上述任一项所述的存储器；以及，

48、控制器，与所述存储器耦接。

49、第四方面，本技术提供了一种电子设备，所述电子设备至少包括如上所述的存储系统。

50、本技术的有益效果至少包括：本技术提供了一种存储器的操作方法、存储器、存储系统以及电子设备，存储器至少包括目标字线以及分别层叠设置于目标字线两侧的第一字线组和第二字线组，第一字线组包括多条第一字线，第二字线组包括多条第二字线，其中，操作方法至少包括：在预充电操作中，向多条第一字线施加第一偏置电压信号、向目标字线施加第二偏置电压信号以及向多条第二字线施加第三偏置电压信号，之后，在编程操作中，对目标字线施加编程电压信号，本技术通过对第一偏置电压信号、第二偏置电压信号以及第三偏置电压信号进行独立控制，可以避免热载流子注入效应发生于存储器中，有效提高了存储器的可靠性。