存储器系统及其操作方法与流程

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种存储器系统及其操作方法。

背景技术：

1、存储器装置是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器，nand(not-and，与非型)型存储器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性，已经成为存储市场中的主流产品。

2、然而，随着人们对存储器要求的不断提高，存储器装置及其系统在执行读写操作时还存在诸多问题。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提出一种存储器系统及其操作方法。所述存储器系统包括：存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中，

2、所述存储器装置包括至少一个存储芯片，所述存储芯片均包括多个存储面；每个所述存储面包括多个页面；所述至少一个存储芯片的各存储面中位于相同位置的多个页面构成一个页面线；所述存储器装置包括多个标签组；每个所述标签组包括多个页面线；

3、所述存储器控制器被配置为：

4、在所述存储器装置中出现掉电再上电的情况后，依次对所述每个标签组中状态为编程态的所有页面分别进行重新编码操作；

5、根据每个标签组对应的编码结果，分别确定每个标签组对应的校验数据是否存在异常。

6、上述方案中，所述存储器装置包括m个标签组，所述存储器控制器被配置为：

7、针对第i个标签组，确定所述第i个标签组各页面线的起始编码页面的地址和最终编码页面的地址，所述起始编码页面包括第i个标签组各页面线中按照编程顺序首个被编程的页面，所述最终编码页面包括第i个标签组各页面线中按照编程顺序最后一个被编程的页面；所述m、i均为整数，且0≤i＜m；

8、对第i个标签组各页面线中地址处于所述起始编码页面的地址至所述最终编码页面的地址之间的所有页面进行编码操作，得到第一校验数据；

9、比较所述第一校验数据与第二校验数据；所述第二校验数据为所述第i个标签组对应的正确校验数据；

10、根据所述比较结果，确定所述第i个标签组的校验数据是否存在异常。

11、上述方案中，所述存储器控制器被配置为：

12、获取边界页面线；所述边界页面线包括按照编程顺序页面线中的页面的状态为未被编程的页面所在的首个页面线；根据边界页面线的地址，确定所述第i个标签组各页面线的最终编码页面地址。

13、上述方案中，所述存储器控制器被配置为：

14、将所述第i个标签组中当前页面线的最终编码页面的下一个页面的地址作为第i+1个标签组中当前页面线的下一个页面线的起始编码页面的地址。

15、上述方案中，所述存储器控制器被配置为：

16、在所述比较结果显示所述第一校验数据与所述第二校验数据相同时，确定所述第i个标签组的校验数据不存在异常；并继续对第i+1个标签组中状态为编程态的所有页面进行编码操作，以及确定第i+1个标签组对应的校验数据是否存在异常；

17、在所述比较结果显示所述第一校验数据与所述第二校验数据不同时，对所述第i个标签组中最后一个页面线的起始编码页面的地址进行校正。

18、上述方案中，所述存储器控制器被配置为：

19、在所述比较结果显示所述第一校验数据与所述第二校验数据不同时，获取所述第i-1个标签组中最后一个页面线的最终编码页面；

20、当所述第i-1个标签组中最后一个页面线的最终编码页面不是最后一个页面线的最后一个页面时，将所述第i-1个标签组中最后一个页面线的最后一个页面的下一个标签组中的首个页面的地址，作为所述第i个标签组中最后一个页面线的校正的起始编码页面的地址；采用校正的起始编码页面的地址对第i个标签组进行重新编码操作。

21、上述方案中，所述存储器控制器被配置为：

22、从校验缓存器中获取所述第二校验数据。

23、上述方案中，所述至少一个存储芯片包括的多个存储面能够同时执行编程操作。

24、上述方案中，所述存储器系统包括通用闪存存储器或固体硬盘。

25、本公开实施例又提出一种存储器系统的操作方法，所述存储器系统包括：存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中，

26、所述存储器装置包括至少一个存储芯片，所述存储芯片均包括多个存储面；每个所述存储面包括多个页面；所述至少一个存储芯片的各存储面中位于相同位置的多个页面构成一个页面线；所述存储器装置包括多个标签组；每个所述标签组包括多个页面线；

27、所述存储器系统的操作方法包括：

28、在所述存储器装置中出现掉电再上电的情况后，依次对所述存储器装置中每个标签组中状态为编程态的所有页面分别进行重新编码操作；

29、根据每个标签组对应的编码结果，分别确定每个标签组对应的校验数据是否存在异常。

30、上述方案中，所述存储器装置包括m个标签组，所述对所述存储器装置中每个标签组中状态为编程态的所有页面分别进行重新编码操作；根据每个标签组对应的编码结果，分别确定每个标签组对应的校验数据是否存在异常，包括：

31、针对第i个标签组，确定所述第i个标签组各页面线的起始编码页面的地址和最终编码页面的地址，所述起始编码页面包括第i个标签组各页面线中按照编程顺序首个被编程的页面，所述最终编码页面包括第i个标签组各页面线中按照编程顺序最后一个被编程的页面；所述m、i均为整数，且0≤i＜m；

32、对第i个标签组各页面线中地址处于所述起始编码页面的地址至所述最终编码页面的地址之间的所有页面进行编码操作，得到第一校验数据；

33、比较所述第一校验数据与第二校验数据；所述第二校验数据为所述第i个标签组对应的正确校验数据；

34、根据所述比较结果，确定所述第i个标签组的校验数据是否存在异常。

35、上述方案中，所述确定所述第i个标签组各页面线的最终编码页面的地址，包括：

36、获取边界页面线；所述边界页面线包括按照编程顺序页面线中的页面的状态为未被编程的页面所在的首个页面线；

37、根据边界页面线的地址，确定所述第i个标签组各页面线的最终编码页面地址。

38、上述方案中，所述方法还包括：

39、将所述第i个标签组中当前页面线的最终编码页面的下一个页面的地址作为第i+1个标签组中当前页面线的下一个页面线的起始编码页面的地址。

40、上述方案中，所述根据所述比较结果，确定所述第i个标签组的校验数据是否存在异常，包括：

41、在所述比较结果显示所述第一校验数据与所述第二校验数据相同时，确定所述第i个标签组的校验数据不存在异常；

42、在所述比较结果显示所述第一校验数据与所述第二校验数据不同时，对所述第i个标签组中最后一个页面线的起始编码页面的地址进行校正；

43、所述方法还包括：

44、在所述第i个标签组的校验数据不存在异常时，继续对第i+1个标签组中状态为编程态的所有页面进行编码操作，以及确定第i+1个标签组对应的校验数据是否存在异常。

45、上述方案中，所述在所述比较结果显示所述第一校验数据与所述第二校验数据不同时，对所述第i个标签组中最后一个页面线的起始编码页面的地址进行校正，包括：

46、在所述比较结果显示所述第一校验数据与所述第二校验数据不同时，获取所述第i-1个标签组中最后一个页面线的最终编码页面；

47、当所述第i-1个标签组中最后一个页面线的最终编码页面不是最后一个页面线的最后一个页面时，将所述第i-1个标签组中最后一个页面线的最后一个页面的下一个标签组中的首个页面的地址，作为所述第i个标签组中最后一个页面线的校正的起始编码页面的地址；

48、采用校正的起始编码页面的地址对第i个标签组进行重新编码操作。

49、上述方案中，所述方法还包括：

50、从校验缓存器中获取所述第二校验数据。

51、本公开实施例中，在出现意外掉电又重新上电之后，可以通过依次对存储器装置每个标签组中的状态为编程态的所有页面分别进行重新编码操作，获取对应的校验数据，其中，在重新编码操作过程中，以标签组为单位，对一个标签组中的所有页面进行重新编码操作，然后判断当前标签组对应的校验数据是否正常，一个标签组处理完成后再处理下一个标签组；如此，一方面，可以使得重新编程操作更灵活，不需要拘泥于按照编程顺序对所有的页面依次进行重新编码操作；另一方面，由于一个标签组对应一个校验数据，因此，对同一个标签组中的所有页面进行重新编程操作时，可以减少虚拟块与校验缓存器之间的切换次数，提高存储器系统的性能。