晶圆的测试方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种晶圆的测试方法。

背景技术：

1、flash(闪存)产品良率测试旨在快速筛选出工艺异常die，在测试过程中难免会因探针卡接触不良等原因导致测试异常，导致良率测试图存在问题测试图形(如图1所示)；

2、存在一种失效表现为cp1(第一部分良率测试)良率正常，但是每个测试区之间的模拟量(擦写读用到的高压)数值已经发生了偏移，进而导致后续的良率测试存在失效。

3、为解决上述问题，需要提出一种新型的晶圆的测试方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆的测试方法，用于解决现有技术中每个测试区之间的模拟量(擦写读用到的高压)数值已经发生了偏移，进而导致后续的良率测试存在失效的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆的测试方法，包括：

3、步骤一、提供待测试的晶圆，所述晶圆上具有多个测试区，每个所述测试区包括多个die，设置晶圆测试的bin失效率卡控规格，设置每个所述测试区的模拟量数值卡控规格，所述模拟量为所述测试区中所述die用于擦写读的电压；

4、步骤二、对所述晶圆上的不同所述测试区进行良率测试，并记录其测试信息；

5、步骤三、根据所述测试信息获取bin失效率，以及每个所述测试区的模拟量测试值与模拟量目标值之间的模拟量差值；

6、步骤四、根据所述bin失效率和所述模拟量差值判断所述待测试的晶圆是否为不良品：

7、若bin失效且所述模拟量差值不超过卡控标准，则判断所述待测试的晶圆为不良品；

8、若bin不失效且所述模拟量差值不超过卡控标准，则判断所述待测试的晶圆为良品；

9、若bin不失效且所述模拟量差值超过卡控标准，则判断所述待测试的晶圆为不良品。

10、优选地，步骤一中的所述设置每个所述测试区的模拟量数值卡控规格的方法包括：获取所述测试区中每个所述die的模拟量数值；根据每个所述die的模拟量数值获取每个所述测试区的模拟量数值；根据每个所述测试区的模拟量数值设置其卡控规格。

11、优选地，步骤一中根据所述测试区中所有所述die的模拟量数值的众数、平均数或中位数作为每个所述测试区的模拟量目标数值。

12、优选地，步骤一中的所述晶圆上设置有有用于引出不同所述测试区的焊垫。

13、优选地，所述焊垫用于与探针卡形成电接触进行良率测试。

14、优选地，步骤二中的所述良率测试为部分良率测试。

15、优选地，步骤二中的所述测试信息包括良率测试图以及每个所述测试区中所述die的模拟量测试数值。

16、优选地，所述方法用于闪存器件的良率测试。

17、如上所述，本发明的晶圆的测试方法，具有以下有益效果：

18、本发明能够提前筛选出模拟量数值异常的区域，能够避免对之后良率测试形成影响，避免重测、节省测试时间。

技术特征：

1.一种晶圆的测试方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：步骤一中的所述设置每个所述测试区的模拟量数值卡控规格的方法包括：获取所述测试区中每个所述die的模拟量数值；根据每个所述die的模拟量数值获取每个所述测试区的模拟量数值；根据每个所述测试区的模拟量数值设置其卡控规格。

3.根据权利要求2所述的晶圆的测试方法，其特征在于：步骤一中根据所述测试区中所有所述die的模拟量数值的众数、平均数或中位数作为每个所述测试区的模拟量目标数值。

4.根据权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆上设置有有用于引出不同所述测试区的焊垫。

5.根据权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：所述焊垫用于与探针卡形成电接触进行良率测试。

6.根据权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：步骤二中的所述良率测试为部分良率测试。

7.根据权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：步骤二中的所述测试信息包括良率测试图以及每个所述测试区中所述die的模拟量测试数值。

8.根据权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：所述方法用于闪存器件的良率测试。

技术总结本发明提供一种晶圆的测试方法，提供待测试的晶圆，晶圆上具有多个测试区，每个测试区包括多个die，设置晶圆测试的bin失效率卡控规格，设置每个测试区的模拟量数值卡控规格，模拟量为测试区中die用于擦写读的电压；对晶圆上的不同测试区进行良率测试，并记录其测试信息；根据测试信息获取bin失效率，以及每个测试区的模拟量测试值与模拟量目标值之间的模拟量差值；根据bin失效率和模拟量差值判断待测试的晶圆是否为不良品。本发明能够提前筛选出模拟量数值异常的区域，能够避免对之后良率测试形成影响，避免重测、节省测试时间。技术研发人员：曹谢元,王善屹受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29